NP50P06D6(60V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
1.概述
NP50P06D6采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。
2.一般特征
? VDS=-60 V，ID=-50A
? RDS(ON)（典型值）=22 MΩ@VGS=-10V
? RDS(ON)（典型值）=27 MΩ@VGS=-4.5V
? 超低RDS的高密度電池設(shè)計(jì)
? 完全特征的雪崩電壓和電流
? 穩(wěn)定性好，均勻性高，EAS高
? 散熱性好的優(yōu)秀封裝
3.應(yīng)用程序
? 負(fù)荷開(kāi)關(guān)
4.包裝
pdfn5*6-8L-A
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9683瀏覽量
233681 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
1743瀏覽量
100779
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
選型手冊(cè)：AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM40P150C是一款面向40V低壓超大功率場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
選型手冊(cè)：VSO009N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)
選型手冊(cè)：VSO011N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO011N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)
選型手冊(cè)：VSP003N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N06MS-G是一款面向60V低壓超大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x
選型手冊(cè)：VSD007N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大功率電
選型手冊(cè)：VSP020P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，
選型手冊(cè)：VSO012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSO012N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓小型電源管理、負(fù)載開(kāi)
選型手冊(cè)：VST012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VST012N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配低壓大功率電源管
選型手冊(cè)：VSI080N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSI080N06MS是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-251-S封裝，適配低壓中功率電源管
選型手冊(cè)：VSD007N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS-G是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大電流電源管
IXTY2P50PA MOSFET：高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析
IXTY2P50PA是一款 -500 V、 -2 A的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用了Pola
選型手冊(cè)：VST002N06MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配低壓
選型手冊(cè)：VSP007P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，
HG012N06X替代NCE6050KA 60V 50A增強(qiáng)型功率NMOS
HG012N06X替代NCE6050KA 60V 50A增強(qiáng)型功率NMOS
惠海半導(dǎo)體NMOS常用型號(hào)：3400 30N03 50N03 9
發(fā)表于 11-18 09:59
選型手冊(cè)：MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開(kāi)關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借60V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及高速開(kāi)關(guān)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論