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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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MOS管是什么，詳細圖解MOS管的結構原理

MOS管是金屬 (metal) 氧化物 (oxide) 半導體 (semiconductor) 場效應晶體管，或者稱是金屬絕緣體 (insulator...

2020-10-13 標簽：驅動器 MOS 4.0萬 0

各種氣體傳感器的性能特點

微機電系統(tǒng)（MEMS）和絲網(wǎng)印刷技術為氣體傳感器的小型化打開了大門，使這些微型化氣體傳感器能夠集成進入智能手機和可穿戴設備等消費電子產品。IDTechE...

2020-06-29 標簽：mems 氣體傳感器 MOS 4.7k 0

另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電

即使搜索“結型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結型場效應管已經被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFET相對來說是比較少使用的，如果你問百度，百度貌似...

2020-06-05 標簽：三極管場效應管 MOS 5.7k 0

MOS管分幾種種類？

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2020-06-04 標簽：MOS 絕緣柵 4.4萬 0

SRAM市場與技術

靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動態(tài)隨機存取存...

2020-05-26 標簽：存儲器 sram MOS 2.3k 0

《漲知識啦9-邊緣終端》---場板

《漲知識啦9-邊緣終端》--- 場板本周《漲知識啦》給大家?guī)淼氖沁吘壗K端的系列內容第二講，上一講我們介紹了正斜角的概念，它可以改善邊緣電場，起到提高...

2020-05-06 標簽：電極 MOS 擊穿電壓 8.1k 0

MOS管的發(fā)展歷程

然而在這里，我們也不得不提及另外一個大的人物，馬丁阿塔拉（Martin M. “John” Atalla）他也被認為是MOS場效應晶體管的發(fā)明人之一， ...

2020-04-04 標簽：集成電路 MOS 場效應晶體管 1.6萬 0

圖片處理能力提升50%，杉巖智能存儲是如何做到的？

一提到對象存儲，大家多半會聯(lián)想到存儲海量文件。但隨著近幾年大數(shù)據(jù)、云計算等應用場景的廣泛部署，客戶對業(yè)務的敏捷性要求越來越高，盡可能地精簡業(yè)務處理流程、...

2020-03-26 標簽：MOS 圖片處理智能存儲系統(tǒng) 1k 0

開關元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路...

2020-03-20 標簽：場效應管 IGBT MOS 1.6萬 1

熱衷于導熱硅膠片的有哪些行業(yè)呢？

導熱硅膠片它也是用普通的硅膠作為原料的，然后需要通過一道比較特殊的工藝讓導熱硅膠片稱為具有導熱性能非常好的硅膠制品，它的作用主要的用戶在高溫產品中起到熱...

2020-03-14 標簽：MOS 導熱性能硅膠 1.9k 0

如何給317加mos擴流

LM317是一款常用的三端穩(wěn)壓IC，在各種線性可調穩(wěn)壓電源中用的很廣，其最大輸出電流為1.5A，實際中若要求輸出更大的電流，可以通過外接大功率三極管的方...

2020-03-14 標簽：MOS 317 2.5萬 0

杉巖海量對象存儲（SandStone MOS）V5.4版本發(fā)布，新增/優(yōu)化多項功能

作為一家專注于產品自主研發(fā)的企業(yè)級存儲廠商，杉巖數(shù)據(jù)始終堅持以客戶需求為導向，持續(xù)完善存儲產品及解決方案，通過版本迭代不斷豐富產品特性，不斷提升產品競爭...

2020-03-26 標簽：智能 MOS 對象存儲 1.8k 0

三極管直接驅動MOS的注意事項

由于MOS場效應管是一種電壓驅動器件，要想使其充分導通，要求其柵極驅動電壓的幅度要足夠大，而一些低壓IC電路（譬如3.3V供電的單片機電路）輸出幅度較小...

2020-02-12 標簽：三極管 MOS 2.7萬 0

講解MOS管驅動設計細節(jié)

MOS管驅動設計一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。如...

2020-03-09 標簽：MOSFET MOS 驅動電流 8.6k 0

杉巖：破解海量小文件存儲的大難題

導語：海量小文件的元數(shù)據(jù)管理、存儲性能以及訪問效率等問題是目前學術界和工業(yè)界公認的難題。杉巖海量對象存儲MOS利用包括小文件聚合功能在內的獨特技術，幫助...

2020-03-17 標簽：MOS 1.1k 0

滿足新能源充電標準長園維安MOS模塊創(chuàng)新封裝

在11月8日的第十三屆(上海)新能源汽車核心電源技術研討會上，長園維安產品應用經理郭建軍先生帶來了《超結SJ-MOSFET 在充電機領域的應用》的主題演...

2020-03-17 標簽：新能源封裝 MOS 1k 0

三極管和MOS管在選型時需注意哪些參數(shù)

電子元器件都有電氣參數(shù)，在選型時要給電子元器件留夠余量才能保證電子元器件穩(wěn)定、長久的工作。借助這個題目簡單介紹一下三極管和MOS管的選型方法。

2019-10-03 標簽：三極管電子元器件 mos 2.7萬 0

晶閘管是如何實現(xiàn)逆變的？

一般使用NMOS管來實現(xiàn)逆變電路，如下圖所示是三相逆變常用的逆變電路，由六個NMOS管構成的橋式電路。在逆變時，上下橋臂的兩個NMOS不同時導通，上管和...

2019-10-03 標簽：晶閘管 pwm mos 1.1萬 0

回顧關于MOS-AK 北京器件模型會議可靠性報告的發(fā)展

FinFET和FDSOI是先進的工藝技術節(jié)點采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結構中，器件自熱效應（SHE）和應力引起的器件可靠性老化效應...

2019-09-08 標簽：摩爾定律 MOS 4.3k 0

關于MOS器件的發(fā)展與挑戰(zhàn)分析介紹

隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小到90nm及以下時，短溝道效應中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進一步發(fā)展的主要因素，盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑...

2019-09-06 標簽：電阻電極 MOS 1.0萬 0

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