在11月8日的“第十三屆(上海)新能源汽車核心電源技術(shù)研討會”上，長園維安產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理郭建軍先生帶來了《超結(jié)SJ-MOSFET 在充電機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用》的主題演講。

郭經(jīng)理演講內(nèi)容大致可分為MOSFET ID&IDM、防止LLC啟動/短路，MOSFET直通的電路，浪涌抑制電路、新能源充電機(jī)/充電樁以及長園維安SJ-MOSFET。

作為研討會當(dāng)日第一位出場演講嘉賓，郭經(jīng)理首先介紹了MOSFET的內(nèi)部框架，如下圖中間紅色部分是主芯片，周圍布滿銀膠形狀主要是起連接作用，最外層的塑封體是用于絕緣固化，整個框架可以理解為是一個散熱器。再如下正視圖可見，中間區(qū)域為有源區(qū)，邊緣處為終端區(qū)，如果放大內(nèi)部構(gòu)造看的話，是可以看到單個MOS的模塊是串聯(lián)并聯(lián)的狀態(tài)，并且單體的性能決定了整體的性能，另外MOS模塊要做到高度電壓，就要串聯(lián)更多的模塊。

郭建軍認(rèn)為，目前MOS模塊是市面上比較熱門的氮化鎵碳化硅新材料的關(guān)鍵產(chǎn)品，為了做到更小的電阻，就要避免更多的單體，因此在規(guī)范化期間做到更高耐壓1200伏，1700伏則是它的優(yōu)勢。

SJ-MOSFET主要工藝

據(jù)郭建軍介紹，SJ-MOSFET 主要工藝 Multi-EPI 多次外延首先從為N- epi 生長、然后分散至Boron粒子注入、最后形成循環(huán)多次迭代形成結(jié)構(gòu)、制作MOS表面結(jié)構(gòu)。

而SJ-MOSFET 主要工藝-Deep Trench 深溝槽首先是N- epi生長、然后刻蝕深溝槽、再者生長P型外延、最后才是制作MOS表面結(jié)構(gòu)。

MOSFET封測順序則是晶粒切割、晶粒黏貼、焊線、塑封、切割成型以及最終測試。

MOSFET IDM：

1) 在一定的脈沖寬度下，基于功率MOSFET的轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性的真正的單脈沖最大電流測量值。

2) 在一定的脈沖寬度下，基于瞬態(tài)的熱阻和最大結(jié)溫的計算值。

(3) IDM 最大漏極電流也由器件源極鍵合引線的熔斷電流決定。

防止LLC啟動/短路，MOSFET直通的電路

郭建軍表示，推薦使用MOSFET 內(nèi)部快速恢復(fù)二極管，而例如 INF CFD2，則有成本高，未從源頭消除問題的不足之處。

浪涌抑制電路

郭建軍對于浪涌抑制電路較為理想，他認(rèn)為它的優(yōu)勢在于GDT 小的技術(shù)電容不影響信號和系統(tǒng)連接;MOV 漏電流更小(MOV 理解為待機(jī)狀態(tài)，不是時刻都接入到母線中);開關(guān)電源和白色家電產(chǎn)品延長MOV 的壽命，提高系統(tǒng)可靠性。

車載充電機(jī)

結(jié)合今次新能源汽車主題，長園維安第三代深溝槽工藝應(yīng)用于車載充電機(jī)上防浪涌防雷電路、有源PFC整流器、主功率、輔助電源+5V和+12V。

最后，SJ-MOS創(chuàng)新封裝優(yōu)勢在于無引腳封裝，低寄生電感還有助于最大限度地減少電磁干擾，尺寸更小，適合更高的功率密度產(chǎn)品，(3200VAC,100%測試)熱阻與普通TO-22—樣省去絕緣墊片和絕緣粒節(jié)省或者減小散熱片，半橋拓?fù)錈o需使用絕緣墊。