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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)。
AI數(shù)據(jù)中心高壓中間母線轉(zhuǎn)換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型
本白皮書將重點(diǎn)圍繞實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)的轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù)展開探討。 內(nèi)容主要聚焦于原邊的拓?fù)溥x擇與半導(dǎo)體器件;副邊假定采用低壓硅基 MOSFET , ...
2026-03-02 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET半導(dǎo)體 3.6k 0
長(zhǎng)晶科技100V邏輯電平MOSFET選型指南:多封裝布局工業(yè)與汽車應(yīng)用
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,100V電壓等級(jí)的MOSFET憑借兼顧耐壓與能效的核心優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源輔助供電等關(guān)鍵場(chǎng)景。長(zhǎng)晶科技深耕功率器...
CSD17507Q5A 30 - V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
CSD17507Q5A 30 - V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)CSD17507Q5A 107 0
深入解析CSD17312Q5:30V N-Channel NexFET? Power MOSFET
深入解析CSD17312Q5:30V N-Channel NexFET? Power MOSFET 引言 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET作為...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換CSD17312Q5 89 0
30V N-Channel NexFET? Power MOSFET CSD17322Q5A:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
30V N-Channel NexFET? Power MOSFET CSD17322Q5A:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,MOSFET一直...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換CSD17322Q5A 118 0
CSD16327Q3 25 - V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
CSD16327Q3 25 - V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)CSD16327Q3 93 0
CSD16342Q5A 25V N-Channel NexFET? Power MOSFET:高效電源轉(zhuǎn)換的理想之選
CSD16342Q5A 25V N-Channel NexFET? Power MOSFET:高效電源轉(zhuǎn)換的理想之選 在電子工程師的日常工作中,為電路選...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換技術(shù)參數(shù) 212 0
CSD18503Q5A 40V N-Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
CSD18503Q5A 40V N-Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是至關(guān)重要的...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)CSD18503Q5A 177 0
CSD18533KCS 60V N-Channel NexFET? Power MOSFET:性能剖析與應(yīng)用指南
CSD18533KCS 60V N-Channel NexFET? Power MOSFET:性能剖析與應(yīng)用指南 一、引言 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,功...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換CSD18533KCS 136 0
CSD18534Q5A 60V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
CSD18534Q5A 60V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率 MOSF...
2026-03-06 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換CSD18534Q5A 136 0
LEADTECK領(lǐng)泰移動(dòng)電源中MOSFET產(chǎn)品推薦由代理分銷經(jīng)銷一級(jí)代理分銷經(jīng)銷立即下載
類別:電子資料 2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)電源 40 0
CS5N90A4R數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-12-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 266 0
類別:電子資料 2025-12-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 374 0
ZK30N100T N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-10-16 標(biāo)簽:MOSFET 195 0
FS8810 ESD保護(hù)的MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFETESD保護(hù) 305 0
FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:電阻MOSFET封裝 616 0
合科泰SOT-23封裝MOSFET HK系列的設(shè)計(jì)思路
在便攜式設(shè)備、電動(dòng)工具及空間受限的功率電子應(yīng)用中,設(shè)計(jì)者常面臨在SOT-23封裝內(nèi)集成高耐壓、大電流和超低導(dǎo)通電阻的MOSFET的典型需求。
業(yè)內(nèi)首款可商用10kV SiC MOSFET誕生!加速SST落地
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,近日,Wolfspeed宣布,推出業(yè)內(nèi)首款可商用的10kV SiC功率MOSFET。這一里程碑式突破不僅刷新了高壓SiC器件的商業(yè)...
模塊化多電平SiC-固變SST新型架構(gòu)研究:零碳園區(qū)三相不平衡補(bǔ)償與能量精準(zhǔn)調(diào)度樞紐
模塊化多電平SiC-固變SST新型架構(gòu)研究:零碳園區(qū)三相不平衡補(bǔ)償與能量精準(zhǔn)調(diào)度樞紐 引言:零碳園區(qū)微電網(wǎng)演進(jìn)與傳統(tǒng)配電系統(tǒng)的局限性 在全球能源結(jié)構(gòu)向深...
大疆OM7拆解帶你細(xì)看國(guó)產(chǎn)精品半導(dǎo)體應(yīng)用
本次拆解的是大疆DJI Osmo Mobile 7手機(jī)云臺(tái)標(biāo)準(zhǔn)版。產(chǎn)品采用折疊便攜設(shè)計(jì),機(jī)身內(nèi)置隱藏式三腳架,展開即自動(dòng)開機(jī),本體重281克。其核心功能...
碳化硅 (SiC) MOSFET 第三象限特性深度解析:三電平拓?fù)渲械乃绤^(qū)時(shí)間優(yōu)化與寄生 BJT 換流瞬態(tài)行為研究
碳化硅 (SiC) MOSFET 第三象限特性深度解析:三電平拓?fù)渲械乃绤^(qū)時(shí)間優(yōu)化與寄生 BJT 換流瞬態(tài)行為研究 在過去十余年中,電力電子轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域經(jīng)...
從控制中樞到執(zhí)行末梢:機(jī)器人樣板貼片的精度密碼
機(jī)器人樣板貼片是機(jī)器人硬件從概念走向?qū)嶓w的首道精密制造關(guān)口。作為機(jī)器人核心控制器、傳感器模組及驅(qū)動(dòng)模塊的載體,樣板貼片質(zhì)量直接決定原型機(jī)的運(yùn)動(dòng)精度、環(huán)境...
新潔能NCE01P30:高效能P溝道功率MOSFET的卓越之選
在便攜式設(shè)備和電池供電系統(tǒng)日益普及的今天,如何提高電源管理效率、延長(zhǎng)電池續(xù)航,成為了電子設(shè)計(jì)師們關(guān)注的核心。南山電子代理品牌新潔能(NCE)推出的NCE...
新品 | CoolSiC? MOSFET M1H共源配置62mm模塊
新品CoolSiCMOSFETM1H共源配置62mm模塊英飛凌推出1200V和2000VCoolSiCMOSFET62mm半橋模塊,結(jié)合M1H芯片技術(shù),...
SiC碳化硅MOSFET規(guī)格書參數(shù)解析與系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用指南
SiC碳化硅MOSFET規(guī)格書參數(shù)解析與系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用指南 核心物理邊界與安全工作區(qū)(SOA)的工程學(xué)定義 在現(xiàn)代電力電子變換器設(shè)計(jì)中,碳化硅(SiC)MO...
深入解析LM5050 - 2:高效高側(cè)OR-ing FET控制器
深入解析LM5050 - 2:高效高側(cè)OR-ing FET控制器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,電源管理是一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。對(duì)于需要高可用性的系統(tǒng),冗余電源的設(shè)計(jì)尤...
2026-02-28 標(biāo)簽:MOSFET電源管理LM5050 - 2 513 0
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