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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現(xiàn)。
MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以...
2018-07-11 標簽:MOSFET 23.4萬 0
boost升壓電路是一種常見的開關(guān)直流升壓電路,它通過開關(guān)管導通和關(guān)斷來控制電感儲存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。
2019-09-04 標簽:mosfet開關(guān)電源電感 10.0萬 0
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個 P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
本文將對一些參數(shù)進行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導通損耗、傳導損耗和關(guān)...
類別:IC中文資料 2011-07-19 標簽:MOSFET半橋驅(qū)動芯片IR2111 1.3萬 5
Power Master 半導體推出第二代 1200V eSiC MOSFET
PowerMasterSemiconductor推出了第二代1200VeSiCMOSFET,以滿足直流電動汽車充電站、太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)(ESS)、...
為了使MOSFET整個開關(guān)周期都工作于ZVS,必須利用外部的條件和電路特性,實現(xiàn)其在開通過程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管,由于其寄生的二極管或...
2012-04-12 標簽:MOSFET開關(guān)損耗 6.4萬 1
Nexperia推出行業(yè)領先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
MOSFET開關(guān)中電壓尖峰的形成原因、后果及解決方案
功率場效應晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱功率MOSFE...
近年來,SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預測,到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預計將達14億...
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