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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

SiC-MOSFET的可靠性

ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性。

2023-02-24 標簽：二極管 MOSFET SiC 2k 0

SiC-MOSFET的應用實例

本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處...

2023-02-24 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 1.4k 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實際產(chǎn)品

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2023-02-24 標簽：MOSFET SiC Rohm 1.2k 0

SiC-MOSFET的體二極管的特性

如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被...

2023-02-24 標簽：二極管 MOSFET SiC 4.9k 0

12V1A路由器開關電源芯片U6773S可提高WiFi速度

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2023-02-24 標簽：MOSFET 路由器開關電源芯片 2.1k 0

功率放大器的連接方式功率放大器的基本類型

　　功率放大器主要解決低功率信號放大的問題，它可以將來自低功率信號源的電信號放大為高功率信號，以便驅(qū)動需要更高功率的負載。功率放大器的種類繁多，包括晶體...

2023-02-24 標簽：放大器 MOSFET 功率放大器 3.5k 0

功率放大器屬于什么設備功率放大器的基本要求

　　功率放大器屬于電子設備的一種，主要用于放大電信號的幅度或功率。功率放大器通常用于音響系統(tǒng)、無線電通信、雷達系統(tǒng)、激光驅(qū)動器等領域。它是電子設備中的一...

2023-02-24 標簽：MOSFET 驅(qū)動器功率放大器 3.3k 0

負端5v2A同步整流芯片U7710增速增長分析

負端5v2A同步整流芯片U7710開通階段，變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同眇整流MOSFET處于關閉狀態(tài)，副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流

2023-02-24 標簽：MOSFET DCM VDD 1.7k 0

PWM驅(qū)動的電機恒流工作

電機的典型驅(qū)動方法包括電壓驅(qū)動、電流驅(qū)動以及PWM驅(qū)動。本文將介紹采用PWM驅(qū)動方式的恒流工作。首先介紹的是什么是PWM驅(qū)動的電機恒流工作，其次是PWM...

2023-02-24 標簽：MOSFET PWM 驅(qū)動電機 2.8k 0

兩相單極步進電機的驅(qū)動電路

繼上一篇“兩相雙極步進電機的驅(qū)動”之后，本文將從兩相單極步進電機的驅(qū)動電路，兩相單極步進電機的兩相勵磁PWM驅(qū)動波形兩個方面來介紹“兩相單極步進電機的驅(qū)...

2023-02-24 標簽：MOSFET 步進電機驅(qū)動電路 4.7k 0

納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515

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SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應用中不會構(gòu)成問題，但當用電設備的電...

2023-02-23 標簽：MOSFET IGBT SiC 1.7k 0

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。...

2023-02-23 標簽：MOSFET 驅(qū)動器 SiC 1.8k 0

功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低...

2023-02-23 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.4k 0

SiC-MOSFET的特征

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過，如低損耗、高速...

2023-02-23 標簽：MOSFET 元器件 SiC 775 0

探討高輸出電流應用時的注意事項其2

上一篇文章中，介紹了在探討輸出電流較大的應用時應該注意的兩個注意事項中的第一項。關鍵要點是要想提高輸出電流，需要使用導通電阻低的MOSFET，提高開關速...

2023-02-23 標簽：MOSFET 電感輸出電流 1.3k 0

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2023-02-23 標簽：MOSFET 輸出電流開關損耗 1.6k 0

探討高輸入電壓應用時的注意事項

上一篇文章探討了通過提高開關頻率來實現(xiàn)應用小型化時的注意事項。本文將通過輸入電壓升高的案例，來探討損耗增加部分、注意事項及相應的對策。

2023-02-23 標簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 輸入電壓 1.5k 0

DC/DC評估篇損耗探討-電源IC的功率損耗計算示例

此前計算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進行計算的例子。電源IC的功率損耗計算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC），...

2023-02-23 標簽：MOSFET 損耗電源IC 2.6k 0

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗

本文將探討功率開關MOSFET的柵極驅(qū)動相關的損耗，即下圖的高邊和低邊開關的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電...

2023-02-23 標簽：MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器電荷 1.3k 0

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