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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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一個(gè)MOSFET管的動(dòng)態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個(gè)器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時(shí)間。 本征電容的主要來(lái)源有三個(gè):基本的MO...
作為設(shè)計(jì)人員,如何選擇合適的 MOSFET 來(lái)開(kāi)關(guān)電源?當(dāng)然,它必須具有正確的電壓和電流額定值。效率也很重要,所以你檢查它的RDS(開(kāi)啟)也許還有一些動(dòng)...
在關(guān)于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)電氣化的第三篇博客中,我們首先嘗試了解為什么使用48伏特系統(tǒng),然后介紹48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)的不同安裝選項(xiàng)。
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子發(fā)電機(jī) 1.9k 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中,如果偏離預(yù)期的諧振條件,MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流,這可能會(huì)造成開(kāi)關(guān)損耗增加,最壞的情況下可能會(huì)...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 2.6k 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的基本工作
在上一篇的圖2的區(qū)域(2)中,MOSFET導(dǎo)通時(shí)是ZVS工作,因此LLC轉(zhuǎn)換器通常在這個(gè)區(qū)域使用。圖3為區(qū)域(2)中的工作波形。Q1和Q2的漏極電流波形...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 2.2k 0
LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)
在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí),LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過(guò)部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作,部分諧...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1.9k 0
內(nèi)置功率MOSFET的高性能BM2Pxxx系列AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC
ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,并滿足近年來(lái)對(duì)AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項(xiàng)的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 2.3k 0
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:效率的評(píng)估
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升,針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言,本文對(duì)Q1~Q4的MOSFET使...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET全橋電路功率轉(zhuǎn)換效率 2.3k 0
內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1.4k 0
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡(jiǎn)言之,trr越小越有效。市場(chǎng)上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 1.3k 0
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開(kāi)始一系列有關(guān)Si功率元器件通過(guò)PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...
通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー
在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)...
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1.5k 0
詳細(xì)說(shuō)明開(kāi)關(guān)電源中3種模式的不同
開(kāi)關(guān)電源中,Pulse skip mode跳脈沖模式、Burst mode突發(fā)模式和Hiccup mode打嗝模式,這3種模式分別針對(duì)不同的工作條件
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源Buck變換器 2.8萬(wàn) 2
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元...
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