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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分,一個典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個平面內(nèi),半導(dǎo)體的另一個平面可以稱為體...
深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要,本文主要討論動態(tài)特性。...
新型固體圖像傳感器LBCAST JFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及功能分析
尼康公司的D2H單反數(shù)字相機(jī)中使用了一種新型的固體圖像傳感器LBCAST JFET。該器件在讀數(shù)方式、內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面有了較大改進(jìn),與CCD、CMOS圖像...
東芝推出新一代超結(jié)功率MOSFET,進(jìn)一步提高電源效率
東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET,新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代,還有什么是高效率不能解決的呢?
碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護(hù)方案
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖...
準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器的峰值功率能力及如何處理峰值功率要求
然而,某些應(yīng)用并非從電源汲取恒定功率。例如,當(dāng)打印機(jī)的打印頭處于工作狀態(tài)或處理打印紙時,打印機(jī)以脈沖方式消耗功率。在此特殊案例中,轉(zhuǎn)換器的散熱設(shè)計(jì)并非針...
2021-03-12 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器mosfet 6k 0
低Vth加濕器MOS管解決方案與設(shè)計(jì)電路圖 100V耐壓MOS管 N溝道
惠海半導(dǎo)體中低壓場效率管(MOSFET) MOS管型號:HC160N10LS 絲?。篐C510 參數(shù):100V5A(5N10) 內(nèi)阻:145mR(VGS...
2021-01-19 標(biāo)簽:電路圖MOSFET場效應(yīng)管 6k 3
單鍵實(shí)現(xiàn)單片機(jī)開關(guān)機(jī)設(shè)計(jì)案例
單片機(jī)工作后,將最先進(jìn)行IO口初始化,IO1設(shè)為輸入狀態(tài),啟用內(nèi)部上拉;IO2設(shè)為輸出狀態(tài),輸出高電平。這時Q2、Q3導(dǎo)通,LED1發(fā)光,7805能夠正...
MOSFET關(guān)斷條件是什么 mosfet管關(guān)斷過程的分析
MOSFET,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計(jì)以提高性能和能效
作者:Bill Schweber 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力...
2023-10-03 標(biāo)簽:電源MOSFET電源設(shè)計(jì) 6k 0
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-...
開關(guān)電源作為電子設(shè)備中的重要組成部分,其輸出電壓的穩(wěn)定性和調(diào)節(jié)性直接關(guān)系到整個設(shè)備的運(yùn)行效率和安全性。在實(shí)際應(yīng)用中,有時需要降低開關(guān)電源的輸出電壓以滿足...
2024-07-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電子設(shè)備 6k 0
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
2023-03-03 標(biāo)簽:芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 6k 0
基于SiC MOSFET的三相全橋數(shù)字化智能驅(qū)動器
隨著無人機(jī)和多電飛機(jī)的發(fā)展,更高的功率和效率成了機(jī)載電機(jī)驅(qū)動器的主要研究方向之一。現(xiàn)有的Si MOSFET開關(guān)速度雖快,但耐壓和耐流能力有限,無法實(shí)現(xiàn)大...
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動器霍爾電流傳感器 6k 0
當(dāng)我們對于用實(shí)際組件來實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換器有更加深入的了解時,這個波形變得復(fù)雜了很多。不斷困擾開關(guān)轉(zhuǎn)換器的一個特別明顯的非理想狀態(tài)就是同步降壓或升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用...
2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 6k 0
SiC MOSFET分立器件和功率模塊在車載充電器應(yīng)用中的性能分析
本文圍繞基于SiC分立器件和功率模塊的功率因數(shù)校正器(PFC)級,分析并比較了二者在車載充電器(OBC)應(yīng)用中的性能。
2025-10-18 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體SiC 6k 0
如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測量
設(shè)計(jì)人員經(jīng)常想測量直流開關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析(FMEA)的角度來看,了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項(xiàng)重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中,重要的是在...
MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)符號和電學(xué)特性
現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET,學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。
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