完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:6799個(gè) 瀏覽:234041次 帖子:1154個(gè)
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET技術(shù)解析
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前,1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...
高速M(fèi)OSFET中誤啟動(dòng)的發(fā)生機(jī)制詳解
過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性 某些情況下,即使使用高速M(fèi)OSFET也無法降低導(dǎo)通損耗”。本文就其中一個(gè)原因即誤啟動(dòng)現(xiàn)象進(jìn)行說明。 什么是誤...
根據(jù)負(fù)載的電流大小,可以分為大/小電流用電器,30A是汽車單顆智能MOSFET行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)閾值。根據(jù)用電器的控制方式,可以劃分為開關(guān)控制和功率調(diào)節(jié)控制兩類。
MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)...
2024-10-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 2.9k 0
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
集成堵轉(zhuǎn)檢測(cè)雙H橋步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器AWD8833C系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介
隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用的不斷的深入,各行業(yè)產(chǎn)品都在不斷的迭代和加速升級(jí),電機(jī)驅(qū)動(dòng)智能化已經(jīng)成為一個(gè)不可逆轉(zhuǎn)的發(fā)展趨勢(shì)。艾為電子致力于高性能數(shù)模芯片的開...
2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器步進(jìn)電機(jī) 2.9k 0
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...
新一代SiC MOSFET設(shè)計(jì)功率變換器在雪崩狀態(tài)的魯棒性評(píng)估
本文探討了在SiC MOSFET應(yīng)用中需要考慮的可能致使功率器件處于雪崩狀態(tài)的工作條件。
這里介紹的方案是一個(gè)只需要單電源的MOSFET 10W音頻放大器電路。 B 類功率放大器很少使用單軌電源。無論如何,對(duì)于低功耗應(yīng)用來說已經(jīng)足夠了。事實(shí)上...
當(dāng)我們?cè)贕B之間加一個(gè)正電壓以后,便會(huì)在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體,從而使得SD導(dǎo)通;當(dāng)GB沒有電壓PO之間的N區(qū)就會(huì)消失,使得SD斷開。
基于區(qū)域網(wǎng)的供電系統(tǒng)或有源乙太網(wǎng)系統(tǒng)方案
NCP1095/NCP1096還支援自動(dòng)分類(Autoclass),這可使系統(tǒng)的效能提高,并且借由自動(dòng)配對(duì)供電,可簡(jiǎn)化線路設(shè)計(jì)流程與設(shè)定,優(yōu)化PD端的功率輸出。
2021-01-25 標(biāo)簽:MOSFET供電系統(tǒng)智慧家庭 2.9k 0
淺析DC/DC轉(zhuǎn)換器上的Buck應(yīng)用
Buck方式的特征是電路構(gòu)造簡(jiǎn)單。此外,組成小功率的電源電路時(shí),成本也比反激式更有競(jìng)爭(zhēng)力。因此,常使用在家電產(chǎn)品的微控制器用電源上。
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 2.9k 0
100V N通道功率MOSFET SMT10T01AHTL概述
SMT10T01AHTL是一款100V的N-通道功率MOSFET,主要應(yīng)用在電信和工業(yè)中的DC/DC轉(zhuǎn)換器上,以及汽車電子領(lǐng)域的電池管理系統(tǒng)上。
2024-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池管理系統(tǒng) 2.9k 0
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動(dòng)電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2.9k 0
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲(chǔ)能PCS的效率、...
ROHM開發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2.9k 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |