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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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兩個MOSFET串聯(lián)在半橋時,電流的限制很關(guān)鍵
當(dāng)兩個MOSFET串聯(lián)在串聯(lián)(半橋)時,請注意電流的限制,而這些限制并不總是在每個MOSFET都提供.
2018-03-26 標(biāo)簽:MOSFET 1.6萬 0
耗盡型MOSFET的符號/工作原理/類型/特性/應(yīng)用場景
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...
2023-07-05 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.6萬 0
到底什么是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...
功率MOSFET在開關(guān)過程中,在米勒平臺線性區(qū),由于VGS保持不變,相當(dāng)于使用恒流源進(jìn)行驅(qū)動,其它的時間段,使用恒壓源進(jìn)行驅(qū)動。VGS電壓變化時,和時...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.6萬 0
如今在三極管的應(yīng)用電路中,越來越多的開關(guān)電路被MOSFET取代。 場效應(yīng)晶體管(FET)為壓控型器件,驅(qū)動簡單,速度快,驅(qū)動能耗低,因此更加廣泛的應(yīng)...
場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗
根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。
2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 1.6萬 0
用UC3842芯片做醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗通過光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
提到高性能的DC-DC變換器,LLC絕對是繞不開的話題。它能輕松實(shí)現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開通(ZVS),大幅降低開關(guān)損耗,使得電源的效率和功率密度再上一個臺階。
2026-02-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計零電壓開關(guān) 1.5萬 0
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
高速超大規(guī)模集成電路的尺寸的不斷減小,功耗的不斷降低,要求供電電壓也越來越低,而輸出電流則越來越大。
2025-03-25 標(biāo)簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 1.5萬 0
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,...
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.5萬 0
MOSFET是一種利用場效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,它有一個柵極。為簡單起見,您可以將這個門想象成一個水龍頭,您逆時針旋...
2022-08-03 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.5萬 0
最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計詳細(xì)解析
大多數(shù)電子元器件都需要一個來自AC電力線的輸入電源。對于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說,一個全橋或半橋二極管整流器器件對正弦AC電壓波形...
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