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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)芯片—U7715
同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān),可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
汽車區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢下的SmartFET應(yīng)用
汽車市場正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢方向,而汽車區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動駕駛支持。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
開關(guān)電流的浪涌電流是指電源開啟瞬間流入供電設(shè)備的峰值電流,如下所示,由于充電器的輸入濾波電容快速充電,峰值電流遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。
2024-03-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源晶閘管 4.5k 0
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)簡單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷。控制 IC(未圖示)使用閉合反饋環(huán)路來控制...
這種類型的放大器只有一部分信號周期內(nèi)的輸出晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),通常用于需要高效率但可以容忍較高失真的應(yīng)用,例如射頻傳輸。
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
與放電型RCD緩沖電路不同,非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量,因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍,使得能...
針對便攜儲能市場應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體的高壓SJMOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢: 針對QR反激拓?fù)?,?yōu)化開關(guān)速度,更容易通過EMI測試; 針對諧振拓?fù)?,?yōu)化體二極...
公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開關(guān)電源 2.9k 0
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