隨著市場需求的不斷增長，SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用日益廣泛，已經(jīng)成為推動電動汽車電氣化和高效能的重要技術(shù)之一。上一篇我們介紹了三菱電機SiC MOSFET模塊的芯片、封裝和短路保護技術(shù)，本章節(jié)主要介紹三菱電機車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，包括模塊及芯片。
2025-08-08 16:14:21
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SiC器件具有低開關(guān)損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關(guān)頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應(yīng)用的SiC MOSFET模塊，本章節(jié)帶你詳細了解。
2025-12-02 11:28:173355 
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設(shè)計在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因為在短路
2023-06-01 10:12:073173 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:193288 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:222529 
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中，由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基（Si）制成的Si IGBT。
2025-03-12 10:35:582471 
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開關(guān)損耗運用要點柵極驅(qū)動 其1柵極驅(qū)動 其2應(yīng)用要點緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標準化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
擊穿耐受能力SiC-MOSFET的優(yōu)點是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小，但另一方面，靜電擊穿（ESD）耐受能力卻較低。因此，處理時需要采取充分的防靜電措施。靜電對策舉例?利用離子發(fā)生器除去人體
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會嚴重影響全局開關(guān)損耗。針對此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當電源開關(guān)關(guān)閉時，驅(qū)動器將會工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
了主要的電路寄生參數(shù)以及 RC 電路。圖中，Vds 為 SiC-MOSFET 模塊關(guān)斷電壓；Vdc 為雙脈沖實驗電源電壓；Lds 為 SiC-MOSFET 模塊內(nèi)部寄生電感；L 表示負載電感器；Lbus
2025-04-23 11:25:54
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標準化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
為了使水下航行器裝入密封艙后所有模塊正常運行，設(shè)計了一個模擬平臺，涵蓋了模擬電路、數(shù)字電路、信號處理、無線射頻、電源、傳感器等方面，特別是小車軌跡使用上層的PID參數(shù)的智能化控制，具有遠距離數(shù)據(jù)傳輸
2019-08-09 07:00:33
求教水下航行器應(yīng)該如何接地？負極接機殼？浮地？還是其他？請各位大神賜教
2014-12-11 15:55:59
航行器半實物仿真的主要優(yōu)點有哪些？水下航行器控制系統(tǒng)半實物仿真的特點是什么？水下航行器控制半實物仿真系統(tǒng)的組成部分
2021-04-14 06:01:25
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
是48*0.35 = 16.8V，負載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負載示數(shù)，輸出電流達到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
項目名稱：基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗，熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了羅姆的sic-mosfet評估板，感謝羅姆，感謝電子發(fā)燒友。先上幾張開箱圖，sic-mos有兩種封裝形式的，SCT3040KR，主要參數(shù)如下：SCT3040KL，主要參數(shù)如下：后續(xù)準備搭建一個DC-DC BUCK電路，然后給散熱器增加散熱片。`
2020-05-20 09:04:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過，市場估算，循續(xù)漸進采用SiC后，平均2輛Te.
2021-09-15 07:42:00
逆變器系統(tǒng)中的隔離式柵極驅(qū)動器圖1所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路是牽引逆變器電力輸送解決方案不可或缺的一部分。柵極驅(qū)動器提供從低壓到高壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動基于SiC或IGBT的三相電機半橋的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計指南
2022-11-02 12:07:56
業(yè)內(nèi)先進的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯式硬開關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開關(guān)損耗使得開關(guān)頻率在硅實現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
在通用PWM發(fā)電機中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
，單極性反向?qū)娏魇菞l形花紋排列SBD實現(xiàn)電流的兩倍。2.7m??cm2條件下，RonA降低約20%。SiC MOSFET用于電機驅(qū)動應(yīng)用逆變器時，這種經(jīng)過驗證的改進效果是至關(guān)重要的。目前正在繼續(xù)進行
2023-04-11 15:29:18
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設(shè)計角度首先對在設(shè)計中使用的電源IC進行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設(shè)計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
在真實海洋環(huán)境下進行，實驗時的海況成為了影響和制約實驗可行性和結(jié)果正確性的關(guān)鍵因素，再加上海洋項目的成本比較高，就需要一個智能平臺來實驗水下航行器的功能，更加接近的模擬實驗的環(huán)境，通過各種傳感器的綜合運用，這樣才能在真實的環(huán)境中得到更加有效的數(shù)據(jù)，從而更加合理的開發(fā)和利用海洋資源，造福人民，保衛(wèi)祖國的海疆。
2019-08-16 06:54:00
ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相電機半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05
請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
提出了一種基于CAN總線的分布式水下航行器控制器的設(shè)計方法，主要描述了其硬件總體設(shè)計方案和實現(xiàn)辦法?？刂?b class="flag-6" style="color: red">器作為分布式控制系統(tǒng)的一個節(jié)點，與其他節(jié)點之間以CAN總線連接并形
2013-06-08 17:54:55
31 水下航行器非接觸式電能傳輸技術(shù)研究_王司令
2017-01-07 15:17:120 針對潛艇發(fā)射水下航行器攻擊水面目標這一想定進行視景仿真。利用Multigen Creator進行三維實體建模和地形生成，基于Vega Prime實時視景仿真平臺開發(fā)水下航行器攻擊可視化仿真應(yīng)用，展現(xiàn)
2017-11-16 10:53:1210 Seabed并不像那些典型的自動水下航行器。很多水下航行器形狀像魚雷，可以像水柱一樣有效地穿透海水。
2018-08-05 11:18:063794 據(jù)獲悉，南方電網(wǎng)首個水下機器人項目于近日完成最終驗收，這也是國內(nèi)首個能在水下隧洞遠距離航行檢測的機器人。
2018-08-14 10:23:001760 、特種作戰(zhàn)等軍事領(lǐng)域的水下推進裝置。 水下推進器最核心的部件就是其動力系統(tǒng)水下特種推進電機，該電機是技術(shù)含量很高的一種電力推進裝置，其技術(shù)含量包括了流體設(shè)計，電機設(shè)計和材料選擇。水下推進器電機的結(jié)構(gòu)新穎獨特，
2020-06-06 11:25:274502 盡管自主水下航行器(AUV)確實能使海洋數(shù)據(jù)的收集過程變得更加容易，但是發(fā)射東西仍然很麻煩。這就是科學(xué)家開發(fā)一種新系統(tǒng)的原因，該系統(tǒng)使用無人水面艇來部署自主水下航行器。通常，自動水下航行器是從一艘大型船只發(fā)射的。
2020-01-11 11:01:053325 美國國防部高級計劃研究局（DARPA）剛剛向三家公司授予了開發(fā)合同，以支持新一代長距離、遠程水下航行器（UUV）的開發(fā)。
2020-03-14 14:50:242754 阻和緊湊的芯片，可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統(tǒng)的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括DC-DC轉(zhuǎn)換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:404976 都投入了巨大的人力物力建設(shè)各種航行器半實物仿真實驗室，早在六十年代，美國、日本就開展了水下航行器半實物仿真的研究工作。如何提高半實物仿真系統(tǒng)的精度，一直是國內(nèi)外仿真工作者著力解決的課題之一。為此，本文
2020-07-31 09:01:447313 
路徑規(guī)劃算法是自主水下航行器（AUV）完成水下自主巡航的核心算法之一。分別綜述了基于環(huán)境建模和路徑搜索兩類AUⅣ路徑規(guī)劃算法。闡述了柵格法、可視圖法和維諾圖法等環(huán)境建模方法的囯內(nèi)外硏究現(xiàn)狀，并指出
2021-04-09 16:01:078 針對水下傳感器網(wǎng)絡(luò)（UwSN）存在能耗高、傳輸率低和帶寬窄等問題，提岀自主水下航行器（AUV輔助的水下地理杌會路由協(xié)議（ GOHRP）。初始階段， GOHRP基于普通節(jié)點的深度設(shè)計間距不等的分層網(wǎng)絡(luò)
2021-04-09 16:19:075 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 水下航行器通用的數(shù)據(jù)處理軟件設(shè)計方案
2021-06-30 15:29:055 基于CAN總線的水下航行器分布式控制系統(tǒng)
2021-07-01 16:53:379 AUV水下工作定位難 自主式水下航行器（AUV）是一種重要的用于水下勘測的機器人，同時也是用于檢測的精密儀器。 AUV在進行水下任務(wù)時會遇到兩個難題： 一是在沒有具體的環(huán)境信息的條件下，水下
2021-07-16 16:02:231448 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:512174 
應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-11-06 21:14:511980 SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 提高任何水下平臺能力的關(guān)鍵是推進其供電技術(shù)研發(fā)。美國國防部高級研究計劃局（DARPA）是領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)無人水下航行器（UUV）新電源硬件的機構(gòu)之一。
2023-01-09 15:00:122733 （碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。 柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動車輛電池的更高電壓，RAJ29300
2023-02-02 11:10:022205 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11848 本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 15:29:034588 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動汽車充電，減輕消費者對續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度，因此它是用于快速充電解決方案的理想半導(dǎo)體材料，尤其適用于涉及大電流和快速切換
2023-09-25 17:56:321105 
常見的搭載平臺經(jīng)歷了從水面艦船到載人潛器（HOV）到水下無人航行器（UUV）的歷程。HOV和UUV的研究分別起步于1890年和1960年左右。它們具有活動范圍大、機動性強和作業(yè)效率高等優(yōu)點。近年來，隨著深遠海海洋調(diào)查的需求，HOV和UUV扮演著越來越重要的角色。
2023-12-20 10:47:203448 
怎么提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)是一個復(fù)雜的問題，涉及到多個方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:521411 SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:561088 使用電機試驗臺的測試結(jié)果，按照油耗測試方法WTLC進行了模擬行駛仿真，確認了第4代SiC MOSFET對電耗的改善效果。
2024-04-17 14:06:131517 
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。盡管它們都屬于
2024-09-10 15:19:074705 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于800V牽引逆變器的SiC MOSFET高密度輔助電源.pdf》資料免費下載
2024-09-12 09:44:146 電動汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。
2024-09-29 14:28:011257 
近日，三菱電機集團宣布，將于11月14日開始提供用于電動汽車（EV）、插電式混合動力汽車（PHEV）和其他電動汽車（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）裸
2024-11-14 14:43:072048 為了提高自主水下航行器（Autonomous Underwater Vehicle, AUV）末端光學(xué)導(dǎo)引回收的精度，本文提出了一種可靠的導(dǎo)引回收方法，旨在為AUV在能源補充、數(shù)據(jù)傳輸和指令下達等方面提供更快的解算速度、較低的算力功耗需求以及較少的能量消耗。
2025-01-22 11:43:08993 
suboff潛艇作為一種常見的水下航行器模型，曾在國際上被各大海洋強國進行充分的實驗與數(shù)值模擬研究，本文以suboff模型對水下航行器阻力計算展開介紹。
2025-04-11 11:36:38740 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:172984 
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:061031 
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