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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應(yīng)
設(shè)計(jì)電源時(shí),工程師常常會(huì)關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)下工作時(shí),若選...
2020-01-13 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.2k 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 2.2k 0
向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新,在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器...
2025-05-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET控制器 2.2k 0
經(jīng)濟(jì)水平的提高,大眾的休閑娛樂方式也隨之發(fā)生較大的改變。很多企業(yè)為了讓新手玩家更好地體驗(yàn)養(yǎng)魚的樂趣,開始推出智能魚缸產(chǎn)品,能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)投食、恒溫控制以及水...
如果無法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
實(shí)現(xiàn)電池化成分容技術(shù)要點(diǎn):電池測試單元的功率變換部分
電池測試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動(dòng),MOSFET,輸入輸出保護(hù)器。電能變換拓?fù)渥畛S玫木褪前霕蛘鞯腂uck/Boost變換電路,主要是...
基于PN8360電源IC的5V/2.4A電源應(yīng)用方案
PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述 1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻,C5起到環(huán)路補(bǔ)償?shù)淖饔谩? 2、C1、D...
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開關(guān)功能測試
本文主要對電源的軟開關(guān)功能進(jìn)行測試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點(diǎn)。檢測通過此處的電流...
PN8611:優(yōu)化12V1A適配器性能的關(guān)鍵組件
PN8611是一款全電壓實(shí)現(xiàn)12V1A輸出的電源適配器芯片,PCBA尺寸:50.0mm*38.0mm*16.0mm,12W功率輸出,待機(jī)功耗<75...
茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器簡介
MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...
2023-10-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.2k 0
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...
2023-02-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.2k 0
LTC3788利用一個(gè)兩級升壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生高電壓
解決這個(gè)問題的一種方法是使用兩級升壓轉(zhuǎn)換器。第一級產(chǎn)生中間電壓軌,然后由第二級將其提升到所需的高壓電平。LTC3788 非常適合在單個(gè)控制器上實(shí)現(xiàn)此拓?fù)?..
2023-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2.2k 0
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 2.2k 0
2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達(dá)600...
2025-07-28 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)芯片 2.2k 0
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢,包括10倍的擊穿電場強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
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