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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

碳化硅的主要特性是什么?為什么碳化硅在高頻下的性能優(yōu)于IGBT?

碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。

2023-08-12 標(biāo)簽:MOSFET電源模塊SiC 2.2k 0

在MOSFET器件的功率問題中如何采用反激轉(zhuǎn)換器消除米勒效應(yīng)

設(shè)計(jì)電源時(shí),工程師常常會(huì)關(guān)注與MOSFET導(dǎo)通損耗有關(guān)的效率下降問題。在出現(xiàn)較大RMS電流的情況下, 比如轉(zhuǎn)換器在非連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)下工作時(shí),若選...

2020-01-13 標(biāo)簽:電流轉(zhuǎn)換器mosfet 2.2k 0

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威兆VitoMOS系列產(chǎn)品支持設(shè)計(jì)者多樣高效的設(shè)計(jì)方案,可以滿足MPPT單路或多路光伏優(yōu)化器方案的設(shè)計(jì)要求。

2022-07-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管光伏 2.2k 0

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 2.2k 0

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向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新,在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器...

2025-05-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET控制器 2.2k 0

公認(rèn)好用的小家電電源ic U321

經(jīng)濟(jì)水平的提高,大眾的休閑娛樂方式也隨之發(fā)生較大的改變。很多企業(yè)為了讓新手玩家更好地體驗(yàn)養(yǎng)魚的樂趣,開始推出智能魚缸產(chǎn)品,能實(shí)現(xiàn)自動(dòng)投食、恒溫控制以及水...

2023-03-25 標(biāo)簽:MOSFETPWM控制器線性電源 2.2k 0

電氣設(shè)備的熱管理助于防止過熱和電路故障

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如果無法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2.2k 0

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2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET適配器PD 2.2k 0

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650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關(guān)損耗。此外,與 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET整流器GaN 2.2k 0

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本文主要對電源的軟開關(guān)功能進(jìn)行測試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點(diǎn)。檢測通過此處的電流...

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2024-01-08 標(biāo)簽:MOSFET控制器適配器 2.2k 0

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MD18011X,光耦兼容的單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器系列,是茂睿芯功率驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...

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當(dāng)驅(qū)動(dòng)中高功率MOSFET和IGBT時(shí),當(dāng)功率器件兩端出現(xiàn)高電壓變化率時(shí),存在米勒效應(yīng)引起的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)。電流通過柵極至漏極或柵極至集電極電容注入功率器件的...

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解決這個(gè)問題的一種方法是使用兩級升壓轉(zhuǎn)換器。第一級產(chǎn)生中間電壓軌,然后由第二級將其提升到所需的高壓電平。LTC3788 非常適合在單個(gè)控制器上實(shí)現(xiàn)此拓?fù)?..

2023-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2.2k 0

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2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率MOSFET/IGBT,浮地通道最高工作電壓可達(dá)600...

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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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