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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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電路上電或熱插拔時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。傳統(tǒng)采用分立元件的保護(hù)電路具有可靠性低、維護(hù)成本高...
聞泰科技擬加大投資安世中國引入高功率MOSFET生產(chǎn)線
4月26日晚間,發(fā)布公告,擬募集配套資金最高不超過58億元,用于安世中國先進(jìn)封測平臺(tái)及工藝升級(jí)項(xiàng)目、云硅智谷4G/5G半導(dǎo)體通信模組封測和終端研發(fā)及產(chǎn)業(yè)...
場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?
場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎?場效應(yīng)管mos管的區(qū)別?場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方?? MOSFET和場效應(yīng)管(FET)都屬于半導(dǎo)體器件中的...
集成著門級(jí)驅(qū)動(dòng)電路和6個(gè)功率 MOSFET優(yōu)勢介紹
傳統(tǒng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案是門級(jí)驅(qū)動(dòng)芯片+功率 MOSFET 的架構(gòu)。對(duì)于三相無刷直流電機(jī)來說,需要6個(gè)外置的 MOSFET 組成三個(gè)橋臂來分別驅(qū)動(dòng)每相繞組...
2021-12-16 標(biāo)簽:檢測電路MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 6.7k 0
融合SiC和Si的優(yōu)點(diǎn):混合功率模塊和混合分立器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在大功率、大電流的應(yīng)用,比如電動(dòng)汽車目前動(dòng)輒300kW以上的電機(jī)功率中,由于對(duì)損耗和散熱方面的要求較高,所以一般會(huì)在逆變器...
MT3608穩(wěn)壓IC高效1.2MHz 2A升壓轉(zhuǎn)換器簡述
MT3608是一個(gè)恒定頻率、6針腳SOT23電流模式升壓轉(zhuǎn)換器,旨在用于小、低功率的應(yīng)用。MT3608開關(guān)為1.2MHz,并允許使用2mm或更低高度的微...
2023-08-03 標(biāo)簽:MOSFET比較器升壓轉(zhuǎn)換器 6.7k 0
基于MP4653的CC/CV模式LLC 電視LED驅(qū)動(dòng)器
MP4653還提供充分的智能保護(hù)功能,以提高系統(tǒng)可靠性。它同時(shí)為DC總線級(jí)和LED驅(qū)動(dòng)級(jí)提供故障保護(hù)。
2021-03-01 標(biāo)簽:ledMOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 6.6k 0
Power Integrations發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC
Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關(guān)技術(shù)。InnoS...
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
igbt測量好壞方法萬用表 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種應(yīng)用廣泛的半導(dǎo)體器件,可用于各種電氣設(shè)備...
高效降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器電路應(yīng)用以及參考原理圖4.5v-65v輸出5A應(yīng)用
WD5065B 是電流模式單片降壓開關(guān)穩(wěn)壓器。WD5065B 在 4.7V~65V 的輸入范圍內(nèi)工作,通過集成的高端 N 溝道 MOSFET 提供 5A...
2023-05-30 標(biāo)簽:原理圖轉(zhuǎn)換器MOSFET 6.5k 0
隨著微處理器對(duì)電力電子控制能力的增強(qiáng),管理負(fù)載電流益發(fā)行之有效,而不再是不堪的惡夢。在本文中,我們從基本的輸出電流控制和感測開始,然后介紹一種智能負(fù)載管理產(chǎn)品。
開關(guān)電源常用的開關(guān)管有哪些類型 開關(guān)電源的開關(guān)管是構(gòu)成開關(guān)電源的核心部分,其主要功能是對(duì)高電壓、大電流進(jìn)行開關(guān)控制,實(shí)現(xiàn)輸入電源與輸出負(fù)載之間的轉(zhuǎn)換。常...
2023-08-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源場效應(yīng)管 6.4k 0
SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告
SiC碳化硅MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)電源系統(tǒng)中負(fù)壓生成的物理機(jī)制與工程實(shí)現(xiàn)研究報(bào)告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本...
緩沖器/驅(qū)動(dòng)器對(duì)于可行電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)
盡管緩沖器和驅(qū)動(dòng)器提供很少或不提供附加功能或信號(hào)處理方面,但主要在其輸出處復(fù)制其輸入但具有不同的屬性,但它們是在成功、可行的設(shè)計(jì)中具有關(guān)鍵作用的基本組件。
2022-07-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器緩沖器 6.4k 0
峰岹科技:獲2021年度廣東省工程技術(shù)研發(fā)中心認(rèn)定
廣東省科學(xué)技術(shù)廳發(fā)布廣東省科學(xué)技術(shù)廳關(guān)于認(rèn)定2021年度廣東省工程技術(shù)研究中心的通知,峰岹科技被認(rèn)定為“廣東省高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制芯片工程技術(shù)研究中心”
2021-09-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制 6.4k 0
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET產(chǎn)品
今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是...
2018-10-23 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管Littelfuse 6.4k 0
反灌功能電源開關(guān)芯片TMI6263AH/TMI6263CH概述
TMI6263 是經(jīng)濟(jì)高效的單 P-MOSFET,具有超低 RDS(ON) 的負(fù)載開關(guān),針對(duì)自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-07-20 標(biāo)簽:MOSFETusb電源開關(guān) 6.4k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))目前電機(jī)控制一般分成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,柵極驅(qū)動(dòng)器IC加上MOS/IGBT這些功率器件。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC以小型化,高性能,高功率...
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨(dú)特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo),有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費(fèi)類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體...
2022-08-19 標(biāo)簽:英飛凌轉(zhuǎn)換器MOSFET 6.3k 0
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