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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在...
所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱為電力電子器件,簡單來說,就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...
Microchip推出內(nèi)建MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高電壓模擬降壓PWM控制器
Microchip Technology宣佈推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調(diào)變(PWM)控制器和互補(bǔ)型...
凌力爾特雙組Hot Swap控制器LTC4226具備彈性限流
凌力爾特(Linear Technology )發(fā)表雙組 Hot Swap控制器LTC4226,可安全地使電路板插入操作中的4.5V至44V背板。LTC...
MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以...
2012-10-24 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)電路 3.1k 0
如何選擇正確的MOSFET:工程師所需要知道的細(xì)節(jié)
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
2012-10-23 標(biāo)簽:MOSFET 2.6k 0
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理...
2012-10-18 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電源芯片 1.3k 0
安森美半導(dǎo)體推出優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)擴(kuò)充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對(duì)優(yōu)化的超小超薄小信號(hào)MOS...
2012-10-18 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電源芯片 939 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司于日前發(fā)布了具有一系列新功能的Cadence OrCAD 16.6 PCB設(shè)計(jì)...
快捷半導(dǎo)體蟬聯(lián)伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈獲頒伊頓亞太區(qū)2012年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng),連續(xù)兩年蟬聯(lián)該獎(jiǎng)項(xiàng)。 伊頓(Eaton)公司總...
2012-10-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT快捷半導(dǎo)體 1.2k 0
德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
MOSFET的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
功率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用;但它承受短時(shí)過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求;計(jì)...
2012-10-10 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路 5.8k 0
創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計(jì)
目前,電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是,隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多,其尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決該難題的辦法之一就是充分利用在M...
2012-10-09 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 910 0
Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款采用熱增強(qiáng)型2mm x 2mm PowerPAK? ...
MAX5078A/MAX5078B高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器
MAX5078A/MAX5078B高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器可供出或吸收4A的峰值電流。這些器件在驅(qū)動(dòng)5000pF容性負(fù)載時(shí)具有20ns的快速傳輸特性和20...
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布雙通道Power-SO8 MOSFET LFPAK56D產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO...
2012-09-26 標(biāo)簽:MOSFET恩智浦半導(dǎo)體模擬芯片 4.1k 0
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布1200V碳化硅太陽能解決方案
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)佈碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果,協(xié)助系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。
2012-09-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET意法半導(dǎo)體 1.7k 0
ST發(fā)布業(yè)界先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品
意法半導(dǎo)體(ST)推出擁有高可靠性、高能效的新系列功率產(chǎn)品電晶體,可支援科技企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的要求,鎖定太陽能微逆變器、太陽能串列式逆變器...
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