91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點推薦

德州儀器 CLC007 串行數(shù)字電纜驅(qū)動器:高速數(shù)字應(yīng)用的理想之選

德州儀器 CLC007 串行數(shù)字電纜驅(qū)動器:高速數(shù)字應(yīng)用的理想之選 身為電子工程師,我們在高速數(shù)字信號處理和傳輸領(lǐng)域不斷探索,力求找到性能卓越、可靠性高且易于集成的器件。德州儀器的 CLC007
2026-01-04 16:20:0248

德州儀器SN65LBC172A和SN75LBC172A:高性能RS - 485差分線驅(qū)動器解析

德州儀器SN65LBC172A和SN75LBC172A:高性能RS - 485差分線驅(qū)動器解析 在工業(yè)自動化和電機驅(qū)動領(lǐng)域,可靠且高效的數(shù)據(jù)傳輸至關(guān)重要。德州儀器TI)的SN65LBC172A
2025-12-31 11:20:25137

德州儀器TB5D1M與TB5D2H:高性能四通道差分PECL驅(qū)動器解析

德州儀器TB5D1M與TB5D2H:高性能四通道差分PECL驅(qū)動器解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,高性能的差分驅(qū)動器對于數(shù)字數(shù)據(jù)和時鐘信號的傳輸至關(guān)重要。德州儀器TI)的TB5D1M和TB5D2H四通道差分
2025-12-30 10:05:0699

德州儀器高速差分線驅(qū)動器與接收:SN65LVDS系列深度剖析

德州儀器高速差分線驅(qū)動器與接收:SN65LVDS系列深度剖析 在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)碾娮釉O(shè)計領(lǐng)域,差分信號技術(shù)憑借其出色的抗干擾能力和高速傳輸特性,成為了眾多工程師的首選。德州儀器TI
2025-12-27 09:30:09461

探索GD3162:先進IGBT/SiC柵極驅(qū)動器的卓越性能

先進的、具有電流隔離功能的單通道柵極驅(qū)動器,主要用于xEV牽引逆變器中的SiC和IGBT模塊驅(qū)動。它通過先進的柵極驅(qū)動功能,在節(jié)省空
2025-12-24 14:25:02222

EiceDRIVER? 2EDR8259H等雙路隔離柵極驅(qū)動器IC深度解析

?雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC.pdf 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙路隔離柵極驅(qū)動器IC,專為驅(qū)動Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)
2025-12-21 09:30:03543

EiceDRIVER? 2EDR8259H等雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC:設(shè)計與應(yīng)用詳解

IC.pdf 1. 產(chǎn)品概述 EiceDRIVER? 2EDR8259H、2EDRx259X、2EDRx258X是一系列雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC,專為驅(qū)動Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率開關(guān)而設(shè)計。所有產(chǎn)品都采用
2025-12-20 20:35:051020

EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車MOSFET柵極驅(qū)動器解析

EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM:高性能汽車MOSFET柵極驅(qū)動器解析 在汽車電子領(lǐng)域,對于可靠且高效的MOSFET柵極驅(qū)動器的需求日益增長。英飛凌的EiceDRIVER
2025-12-20 16:25:061081

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F & 1ED314xMC12H:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動器的全面解析

EiceDRIVER? 1ED314xMU12F 1ED314xMC12H:高性能單通道隔離柵極驅(qū)動器的全面解析 在電力電子設(shè)計領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器驅(qū)動IGBTMOSFET和SiC MOSFET等功
2025-12-20 11:35:18657

探索EVAL-2EP130R-PR評估板:IGBTMOSFET隔離柵極驅(qū)動電源的理想之選

探索EVAL-2EP130R-PR評估板:IGBTMOSFET隔離柵極驅(qū)動電源的理想之選 在電子工程領(lǐng)域,對于IGBTMOSFET隔離柵極驅(qū)動電源設(shè)計,合適的評估板至關(guān)重要。今天,我們就來深入
2025-12-19 16:20:06781

深入解析 onsemi NCP51561:高性能隔離雙通道柵極驅(qū)動器

在電子設(shè)計領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCP51561 隔離雙通道柵極驅(qū)動器憑借其出色的性能和豐富的功能,在眾多
2025-12-09 10:17:20360

探索NCP51563隔離雙通道柵極驅(qū)動器評估板的奧秘

在電子設(shè)計領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NCP51563隔離雙通道柵極驅(qū)動器評估板(NCP51563 EVB),了解其特性、操作方法以及性能表現(xiàn)。
2025-12-08 14:20:24347

深入解析 onsemi NCV51563 隔離雙通道柵極驅(qū)動器

在電力電子設(shè)計領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細探討的是 onsemi 公司的 NCV51563 隔離雙通道柵極驅(qū)動器,它具備諸多出色特性,適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-05 15:41:49354

深入解析 onsemi NCV51561 隔離雙通道柵極驅(qū)動器

在電子工程師的日常設(shè)計中,柵極驅(qū)動器驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。今天,我們就來深入探討 onsemi 推出的 NCV51561 隔離雙通道柵極驅(qū)動器,看看它有哪些特性和優(yōu)勢,以及在實際應(yīng)用中需要注意的要點。
2025-12-05 15:33:08336

安森美隔離雙通道IGBT柵極驅(qū)動器:NCx575y0系列的深度解析

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的應(yīng)用極為廣泛,而其柵極驅(qū)動器的性能對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來深入探討安森美(onsemi)的NCx575y0系列隔離雙通道IGBT柵極驅(qū)動器,包括NCD57530、NCV57530、NCD57540和NCV57540這幾款產(chǎn)品。
2025-12-05 11:18:251488

深入剖析NCP51105:單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器的卓越性能與應(yīng)用指南

在電子設(shè)備的設(shè)計中,柵極驅(qū)動器起著至關(guān)重要的作用,它能夠有效地驅(qū)動功率MOSFETIGBT,確保設(shè)備的高效穩(wěn)定運行。今天我們要探討的是安森美(onsemi)推出的NCP51105單通道低側(cè)柵極驅(qū)動器,它具備諸多出色的特性和功能,適用于多種應(yīng)用場景。
2025-12-04 09:58:48648

深入解析 NCP51563:高性能隔離雙通道柵極驅(qū)動器

在電子設(shè)計領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器扮演著至關(guān)重要的角色,尤其是在驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)時。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NCP51563 隔離雙通道柵極驅(qū)動器,這款產(chǎn)品憑借其卓越的性能和豐富的特性,在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出強大的競爭力。
2025-12-03 11:21:50312

onsemi NCx57080y/NCx57081y:高性能IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器的卓越之選

在電力電子設(shè)計領(lǐng)域,IGBTMOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其驅(qū)動電路的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天,我們就來深入探討一下安森美(onsemi)推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器。
2025-12-01 14:29:16466

深入解析 NCP51752:隔離單通道柵極驅(qū)動器的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的柵極驅(qū)動器至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NCP51752 隔離單通道柵極驅(qū)動器,它在驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 功率開關(guān)方面表現(xiàn)出色,具備眾多令人矚目的特性。
2025-11-27 16:23:30340

解析 onsemi NCV51752 單通道隔離柵極驅(qū)動器

在電子設(shè)計領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器驅(qū)動功率 MOSFET 和 SiC MOSFET 等功率開關(guān)的關(guān)鍵組件。onsemi 的 NCV51752 單通道隔離柵極驅(qū)動器以其出色的性能和豐富的特性,成為眾多
2025-11-27 15:55:50279

川土微電子全新推出CA-IS3214系列單通道柵極驅(qū)動器

在追求更高效率、更高功率密度的電力電子系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動器的性能至關(guān)重要。川土微電子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先進電容隔離技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動器。它集10A峰值驅(qū)動能力、超強隔離
2025-11-21 17:42:061133

SiLM5350SABCA-DG 30V, 10A單通道隔離柵極驅(qū)動器

有沒有在電機驅(qū)動和電源設(shè)計中被隔離驅(qū)動問題而困擾許久的,直到看到了SiLM5350SABCA-DG這款單通道隔離柵極驅(qū)動器能同時駕馭MOSFET、IGBT和SiC/GaN器件。 一、特性: 驅(qū)動
2025-11-15 10:00:15

STGAP2SiCD隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGAP2SiCD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動器設(shè)計在每個柵極驅(qū)動通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。STGAP2SiCD柵極驅(qū)動器具有4A電流能力和軌到軌輸出,因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用,例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機驅(qū)動器逆變器。
2025-10-31 14:12:03419

?STGAP2HD隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGAP2HD電流隔離4A雙通道柵極驅(qū)動器在每個柵極驅(qū)動通道、低電壓控制和接口電路之間提供電流隔離。該柵極驅(qū)動器具有4A電流能力和軌到軌輸出,因此適合用于中等功率和大功率應(yīng)用,例如電源轉(zhuǎn)換和工業(yè)電機驅(qū)動器逆變器。
2025-10-31 14:03:56333

STGAP2GSN隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

STMicroelectronics STGAP2GSN隔離3A單柵極驅(qū)動器隔離柵極驅(qū)動通道、低壓控制和接口電路。該柵極驅(qū)動器具有2A源電流、3A灌電流能力以及軌到軌輸出,因此適合用于中等
2025-10-25 09:48:34890

?UCC23313 光耦兼容型單通道隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動器,適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET,具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級。33
2025-10-15 15:22:57494

UCC23511-Q1 隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC23511-Q1 是一款光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動器,適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET,具有 1.5A 源電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kV~有效值
2025-10-14 14:44:27493

?DRV8770 100V刷直流柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

DRV8770器件提供兩個半橋柵極驅(qū)動器,每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓,而 GVDD 驅(qū)動低側(cè) MOSFET柵極。柵極驅(qū)動架構(gòu)支持高達 750mA 的柵極驅(qū)動電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20525

?MCT8329A 高轉(zhuǎn)速無傳感梯形控制三相BLDC柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

MCT8329A是德州儀器TI推出的集成無傳感梯形控制算法的三相BLDC電機驅(qū)動器
2025-10-13 11:29:23736

?UCC21330 隔離雙通道柵極驅(qū)動器總結(jié)

該UCC21330是一個隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值源電流和 6A 峰值吸收電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-10-11 16:20:142356

Microchip XIFx-Intelligent HV100柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Microchip XIFM柵極驅(qū)動器是一款智能、隔離即插即用mSiC? 柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動3.3kV SiC模塊,采用高壓 (HV) 封裝,如HV LinPak/HV100。Microchip XIFM柵極驅(qū)動器包括柵極驅(qū)動控制、電源、光纖接口和高壓隔離 (10.2kV)。
2025-10-10 09:48:26471

浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動器的應(yīng)用

的電源。 緊湊的高性能功率級依賴快速、可靠的柵極驅(qū)動解決方案。這類解決方案既有簡單的低壓側(cè)驅(qū)動器,也有適合高壓環(huán)境的全隔離版本。對于許多設(shè)計來說,浮地非隔離柵極驅(qū)動器提供了一條有效的成功途徑。 柵極驅(qū)動器用作中間器件,將通常來自微控制或脈
2025-10-02 17:22:001715

高壓、高頻功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中,為何要使用隔離柵極驅(qū)動器?

隔離柵極驅(qū)動器用于隔離高低壓電路,提升功率晶體管的開關(guān)效率,保障系統(tǒng)安全與抗干擾能力。
2025-09-28 14:52:23331

?UCC21351-Q1 汽車級隔離雙通道柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

UCC21351-Q1 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-09-25 14:14:21587

SLM341CK-DG詳解40V光耦兼容型隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)與優(yōu)勢

SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離柵極驅(qū)動器,專為驅(qū)動IGBTMOSFET設(shè)計。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定(UVLO)功能,在共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI
2025-09-19 09:24:19

德州儀器DRV3256-Q1汽車級三相柵極驅(qū)動單元(GDU)技術(shù)解析

峰值灌電流的柵極驅(qū)動電流,以及90V MOSFET瞬態(tài)過壓支持來支持大功率電機驅(qū)動應(yīng)用。高效自舉架構(gòu)可最大限度地降低功率損耗和柵極驅(qū)動器的自發(fā)熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持100% PWM占空比控制。
2025-09-11 13:56:55752

UCC21737-Q1 汽車級SiC/IGBT隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動器是一款電流隔離柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于工作電壓高達2121V DC的SiC MOSFETIGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達 ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774

?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動器深度解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動器提供三個器件,每個器件均能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8329驅(qū)動器使用內(nèi)部電荷泵生成
2025-09-08 10:38:542666

德州儀器UCC5871-Q1汽車級IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22740

UCC21755-Q1汽車級SiC/IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments UCC21755-Q1汽車柵極驅(qū)動器設(shè)計用于高達2121V~pk~ 的SiC MOSFETIGBT。UCC21755-Q1具有高級保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。
2025-08-27 15:17:201656

UCC21756-Q1汽車級隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21756-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計用于工作電壓高達2121 V DC的SiC MOSFETIGBT,具有先進的保護特性、同類最佳的動態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-26 10:01:15687

德州儀器UCC14241-Q1汽車級隔離DC/DC模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC14241-Q1汽車隔離DC/DC模塊專為向IGBT或SiC柵極驅(qū)動器供電而設(shè)計。UCC14241-Q1將變壓和DC/DC控制與專有架構(gòu)相結(jié)合,實現(xiàn)了
2025-08-18 10:38:441752

德州儀器UCC21717-Q1隔離柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21717-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高達1700V SiC MOSFETIGBT。它具有高級集成保護、出色的動態(tài)性能和穩(wěn)健性
2025-08-18 10:32:021585

專業(yè)解析SiLM8263BAHB-DG 高性能雙通道隔離柵極驅(qū)動器

深度解析一款在電源和電機驅(qū)動領(lǐng)域極具競爭力的高性能隔離驅(qū)動芯片:SiLM8263BAHB-DG 雙通道隔離柵極驅(qū)動器專為應(yīng)對高功率密度、高可靠性應(yīng)用的嚴苛要求而設(shè)計。核心亮點與關(guān)鍵特性: 強勁驅(qū)動
2025-08-16 09:18:54

IGBT柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

開關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動器作為控制和驅(qū)動IGBT的核心器件,其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端:信號接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動
2025-08-12 14:42:491876

德州儀器UCC21550-Q1雙通道柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

和6A峰值灌電流,可驅(qū)動功率MOSFET、SiC、GaN和IGBT晶體管。UCC21550/UCC21550-Q1驅(qū)動器是光隔離柵極驅(qū)動器,配置為兩個低側(cè)驅(qū)動器、兩個高側(cè)驅(qū)動器或一個半橋驅(qū)動器。通過
2025-08-11 14:36:401136

德州儀器LM2104半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動器在GVDD上具有8V典型欠壓鎖定,在BST上具有
2025-08-11 10:15:14965

UCC21551/UCC21551-Q1隔離雙通道柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments UCC21551/UCC21551-Q1雙通道隔離柵極驅(qū)動器采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計,用于驅(qū)動功率MOSFET、SiC和IGBT晶體管。該隔離
2025-08-06 15:09:10941

德州儀器UCC21738-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動器技術(shù)解析

Texas Instrument UCC21738-Q1隔離單通道柵極驅(qū)動器專門設(shè)計用于直流工作電壓高達2121V的IGBT和SiC MOSFET。這些器件具有先進的保護功能、出色的動態(tài)性能和穩(wěn)健
2025-08-06 10:45:08777

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離20A柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC5880-Q1汽車類隔離20A柵極驅(qū)動器是一款高度可配置的隔離柵極驅(qū)動器,具有可調(diào)壓擺率,用于在電動汽車和混合動力汽車(EV/HEV)應(yīng)用中驅(qū)動高功率
2025-08-04 14:10:121812

Texas Instruments UCC23113隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC23113隔離柵極驅(qū)動器是一款兼容光耦的單通道隔離柵極驅(qū)動器,用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC21330/UCC21330-Q1隔離雙通道柵極驅(qū)動器隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它具有4A峰值拉電流和6A峰值灌電流
2025-08-03 16:29:23941

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC21331/UCC21331-Q1隔離柵極驅(qū)動器是雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。該器件采用4A峰值拉電流和6A峰值灌電流設(shè)計,以
2025-07-29 15:17:31539

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments UCC5881-Q1柵極驅(qū)動器是一款隔離、可配置、可調(diào)節(jié)的大驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動 EV/HEV應(yīng)用中的大功率SiC MOSFETIGBT。該
2025-07-10 14:42:37799

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器 skyworksinc

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動器,專門針對驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號與輸出柵極驅(qū)動器之間實現(xiàn)隔離
2025-06-04 09:52:241083

ADUM3123隔離精密柵極驅(qū)動器,4A輸出技術(shù)手冊

ADuM3123是一款4.0 A隔離單通道驅(qū)動器,采用ADI的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)提供精密解決方案。 ADuM3123提供3000 V rms隔離,采用窄體8引腳SOIC封裝
2025-06-04 09:43:35941

ADuM4138具有隔離反激控制的高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸入信號和輸出柵極驅(qū)動器之間實現(xiàn)隔離
2025-05-30 14:14:441382

ADuM4137具有故障檢測功能的高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

ADuM4137^1^ADuM4138 是一款已專門針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler*^?^* 技術(shù)在輸入信號和輸出柵極
2025-05-30 10:32:44837

UCC21530 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21530 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計用于驅(qū)動高達 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)
2025-05-24 15:47:00684

UCC21530-Q1 汽車級、4A、6A、5.7kVRMS、隔離雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21530-Q1 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計用于驅(qū)動高達 5MHz 的 IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET
2025-05-24 15:41:00581

UCC23513 5.7kVrms,4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV~RMS~隔離等級。33V 的高
2025-05-24 14:43:00793

UCC21540 5.7kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2154x 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有高達 4A/6A 的峰值拉/灌電流,可驅(qū)動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。采用 DWK 封裝的 UCC2154x 還提供 3.3mm 的最小通道間距,從而實現(xiàn)更高的總線電壓。
2025-05-24 10:10:00653

UCC21520 5.7kVRMS 4A/6A 雙通道隔離柵極驅(qū)動器,具有雙輸入和禁用引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21520 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計用于驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。 輸入側(cè)通過
2025-05-19 15:34:431495

UCC21521 5.7kVrms,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21521 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播延遲和脈
2025-05-19 14:27:00788

UCC20520 5.7-kVrms, 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC20520 是一款隔離單輸入、雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET,具有一流的傳播
2025-05-19 14:21:04568

UCC21520-Q1 具有雙輸入、禁用、死區(qū)時間的汽車類 4A、6A、5.7kVRMS 隔離雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21520-Q1 是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它設(shè)計用于驅(qū)動高達 5MHz 的功率 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。 輸入
2025-05-19 10:25:291329

UCC21222 3.0kVrms 4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21222 是隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管。
2025-05-19 09:53:24703

UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離柵極驅(qū)動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流,設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的 UVLO2 以 GND2 為基準,這有利于雙極電源并優(yōu)化 SiC 和 IGBT 開關(guān)行為和穩(wěn)健性。
2025-05-17 11:36:49897

UCC5350-Q1 汽車類 ±5A 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5350-Q1 是一款單通道隔離柵極驅(qū)動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFETIGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350-Q1 可選擇
2025-05-17 10:12:061168

UCC21540-Q1 汽車5.7kVRMS,4A/6A雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21540-Q1 器件是一款隔離雙通道柵極驅(qū)動器,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。該器件在極端溫度條件下表現(xiàn)出一致的性能和穩(wěn)健性。它采用 4 A 峰值拉電流和 6 A 峰值灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFETIGBT 和 GaN 晶體管。
2025-05-17 10:04:39778

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離柵極驅(qū)動器,具有 2 級關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊

UCC21732 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21732具有
2025-05-16 18:00:09807

UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5870-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 17:32:51728

UCC21710 5.7kVrms ±10A,單通道隔離柵極驅(qū)動器,帶 OC 檢測,用于 IGBT/SiC 的內(nèi)部箝位數(shù)據(jù)手冊

UCC21710 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動高達 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21710具有高達 ±10A
2025-05-16 17:26:07842

UCC23513-Q1 汽車級 5.7kVrms,4A/5A 單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23513-Q1 驅(qū)動器是適用于 IGBTMOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kV
2025-05-16 14:53:21718

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級 10A 隔離單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21737-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達
2025-05-16 14:34:01780

UCC5871-Q1 具有高級保護功能的汽車類 30A 隔離 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5871-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。功率晶體管保護,例如基于分流電阻的過流
2025-05-16 14:02:45593

UCC21756-Q1 具有主動保護和 iso 的汽車級 ±10A 隔離單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21756-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21756-Q1 具有高達 ±10A 的峰值拉電流和灌電流。
2025-05-16 13:56:59707

UCC21551-Q1 汽車級 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x-Q1 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,用于驅(qū)動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 11:38:18691

UCC21717-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 10A 拉/灌單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21717-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動高達 1700V 的 SiC MOSFETIGBT。它具有先進的集成保護、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。UCC21717-Q1
2025-05-16 11:07:10697

UCC23113 具有功能隔離 (1.2kVRMS) 的 4A/5A 單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23113 適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 1.5kV 直流功能隔離。30 V
2025-05-16 10:49:24628

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護的汽車類 10A 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21738-Q1 是一款電流隔離單通道柵極驅(qū)動器,專為工作電壓高達 2121V 直流的 SiC MOSFETIGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能、一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達
2025-05-16 10:12:06615

UCC21551 4A/6A 5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21551x 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,用于驅(qū)動功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:51:30554

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動器,具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊

UCC21550-Q1 是隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列,具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:30:59664

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時間和寬溫度范圍的隔離雙通道柵極驅(qū)動器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計,可驅(qū)動功率 MOSFET、SiC、GaN 和 IGBT 晶體管
2025-05-16 09:17:06914

UCC5880-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5880-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 16:48:57870

UCC23525 具有12V UVLO的 5A/5A、5.7kVRMS、增強型單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC23525驅(qū)動器是適用于 IGBTMOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離柵極驅(qū)動器,具有 5A 拉電流和 5A 灌電流峰值輸出電流以及 5kVRMS 增強型隔離
2025-05-15 16:43:47892

UCC5881-Q1 具有高級保護功能的汽車級 20A 實時可變 IGBT/SiC MOSFET 隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5881-Q1 器件是一款隔離、高度可配置的可調(diào)驅(qū)動強度柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應(yīng)用中的高功率 SiC MOSFETIGBT。該器件包括功率晶體管保護,例如基于分流電阻
2025-05-15 11:32:02821

UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離柵極驅(qū)動器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865

德州儀器推出全新功能隔離調(diào)制

德州儀器的新模擬產(chǎn)品能以超高的分辨率精準測量電流和電壓,從而讓機器人可以執(zhí)行精細復(fù)雜的任務(wù)。
2025-04-28 13:50:58919

IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件

開關(guān)電源應(yīng)用中的首選。而IGBT柵極驅(qū)動器作為控制和驅(qū)動IGBT的核心器件,其重要性愈發(fā)顯著。IGBT柵極驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)剖析1.輸入端:信號接收的關(guān)鍵IGBT柵極驅(qū)動
2025-04-27 15:45:02693

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢?

Leadway電源模塊和TI德州儀器)、Murata(村田)相比有哪些優(yōu)勢?Leadway電源模塊提供高性能、高可靠性的國產(chǎn)電源解決方案,以其高效率、寬輸入電壓范圍和緊湊封裝為特點。擅長替代TI
2025-04-14 10:17:47

德州儀器推出新款電源管理芯片,可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護級別、功率密度和效率水平

的晶體管外形無引線 (TOLL) 封裝,將 德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動器與先進的保護功能相結(jié)合。 中國上海(2025 年4 月 9 日)— 德州儀器 (TI)(納斯達克股票代碼:TXN)于今日推出新款電源管理芯片,以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計算和人工
2025-04-09 14:38:46516

33V單通道數(shù)字隔離柵極驅(qū)動器 拉/灌6A電流驅(qū)動SIC MOSFETIGBT

概述:PC2899X 單通道隔離柵極驅(qū)動器系列產(chǎn)品,提供符合UL1577 標準的隔離電3.75kVrms 和5.0kVrms 兩種類型。 PC2899 A 可單獨控制輸出信號的上升和下降時間,方便
2025-04-03 14:23:02

2EP1XXR系列全橋變壓驅(qū)動器工作原理(一)——如何通過占空比調(diào)節(jié)峰值整流應(yīng)用下的輸出電壓

英飛凌推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVERPower2EP1xxR全橋變壓驅(qū)動器系列,為設(shè)計人員提供了隔離柵極驅(qū)動器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實現(xiàn)
2025-03-28 17:04:071578

TI 旋轉(zhuǎn)電機-電機驅(qū)動與控制解決方案指南

保 護與電平移位;控制-可根據(jù)主機的反饋與運動軌跡信息 生成正確的開關(guān)模式,以控制電機的運動;柵極驅(qū)動器-可生成用于準確和高效地驅(qū) 動 MOSFETIGBT 所需的電壓和電流;功率級-IGBT
2025-03-18 12:27:45

柵極驅(qū)動器的定義和結(jié)構(gòu)

柵極驅(qū)動器(Gate Driver)是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件,主要用于增強場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號,以便控制能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)
2025-02-02 13:47:001718

川土微電子發(fā)布CA-IS3212單通道隔離柵極驅(qū)動器

川土微電子CMOS輸入、帶有源米勒鉗位(可選)單通道隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布,該系列產(chǎn)品為驅(qū)動SiC、IGBT和GaN功率管而優(yōu)化設(shè)計。
2025-01-10 18:08:421602

意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動器概述

意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 14:48:331278

采用 LLC 拓撲結(jié)構(gòu)設(shè)計隔離柵極驅(qū)動器電源,低成本 LLC 轉(zhuǎn)換的設(shè)計指南

的相關(guān)內(nèi)容,包括 LLC 拓撲結(jié)構(gòu)在隔離柵極驅(qū)動器電源設(shè)計中的應(yīng)用、具體設(shè)計方案、變壓設(shè)計、整流二極管選擇等方面,旨在為 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 器件的隔離柵極驅(qū)動器提供低成本
2025-01-08 14:17:212485

已全部加載完成