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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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關(guān)于MOSFET參數(shù)的詳細(xì)圖解
本文用圖片向你詳細(xì)講解MOSFET參數(shù)的各種知識(shí),通俗易懂,且易于學(xué)習(xí),希望能幫助你的學(xué)習(xí)。
IPM在功率電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用
IPM(智能功率模塊)是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,兼有GTR(大功率晶體管)高電流、低飽和電壓和高耐壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、...
聞泰科技擬募資不超90億元,投資于智能制造產(chǎn)業(yè)園
11月1日晚間,聞泰科技發(fā)布公告稱,公司擬發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資不超90億元??鄢l(fā)行費(fèi)用后,本次募集資金將投資于聞泰無錫智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、聞泰昆明智能制造產(chǎn)...
盤點(diǎn)東芝功率MOSFET在汽車應(yīng)用的發(fā)展
“安全”是人們車途駕駛的第一保障,作為汽車及零部件的每一個(gè)制造廠商都會(huì)把“安全”作為研發(fā)生產(chǎn)的首要目標(biāo),而東芝,長(zhǎng)期以來秉持著以人為本的原則,在汽車領(lǐng)域...
捷捷微電在香港君悅酒店舉行麥格理證券2019年A股策略會(huì)
集微網(wǎng)消息 2月20日,捷捷微電昨日在香港君悅酒店舉行了麥格理證券2019年A股策略會(huì),捷捷微電董事、董事會(huì)秘書、財(cái)務(wù)總監(jiān)沈欣欣,副總經(jīng)理張家銓以及公司...
Microchip下一代SiC MOSFET和SiCSBD的特性優(yōu)勢(shì)及典型應(yīng)用
隨著功率電子市場(chǎng)的發(fā)展,傳統(tǒng)硅(Si)器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”,因此近年來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器...
反激變換器連續(xù)導(dǎo)通模式和斷續(xù)導(dǎo)通模式的工作原理
反激變換器連續(xù)導(dǎo)通模式和斷續(xù)導(dǎo)通模式的工作原理? 反激變換器是一種電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,它能夠?qū)⒁环N特定電壓和電流的直流電能轉(zhuǎn)化為另一種電壓和電流的直流電能。反...
今日消息,繼上周末G20峰會(huì)之后,中美貿(mào)易緊張情勢(shì)趨緩,晶圓與MOSFET在市場(chǎng)持續(xù)供不應(yīng)求,缺貨情況繼續(xù)發(fā)酵,再度成為資金追逐焦點(diǎn),激勵(lì)晶圓和MOSF...
派恩杰半導(dǎo)體上榜2023中國(guó)IC設(shè)計(jì)TOP 10功率器件公司
日前,AspenCore在上海發(fā)布了2023 中國(guó)IC設(shè)計(jì) Fabless100 排行榜。 該榜單由AspenCore分析師團(tuán)隊(duì)根據(jù)量化數(shù)學(xué)模型、企業(yè)公...
2023-04-03 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)功率器件 4.2k 0
國(guó)產(chǎn)MOSFET器件競(jìng)爭(zhēng)力如何
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))前兩期中,我們分別從歐美和日系兩大陣營(yíng)解析了MOSFET主流玩家的主要產(chǎn)品。無論是一直以來以強(qiáng)橫實(shí)力始終保持平穩(wěn)的歐美廠商...
2021-10-22 標(biāo)簽:電阻MOSFET半導(dǎo)體器件 4.2k 0
東芝推新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET 可大幅提高電源效率
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-M...
2022-04-01 標(biāo)簽:MOSFET東芝東芝半導(dǎo)體 4.2k 0
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越大,工藝偏差也越大。柵漏 電流噪聲 一方面影...
東芝TLP3910是一款由高輸出GaAlAs(鋁鎵砷化物)LED光電耦合器和高速光電探測(cè)器組成的光伏輸出光耦,適用于高壓功率MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)。
功率MOSFET平均售價(jià)持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點(diǎn)
自2018年開始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(jià)(ASP)持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成...
一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)介紹
本文介紹了一種在MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)特征尺寸縮小至深亞微米級(jí)別、短溝道效應(yīng)顯著時(shí)采用的一種離子注入技術(shù):暈環(huán)技術(shù)。 ? 離子...
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布雙通道Power-SO8 MOSFET LFPAK56D產(chǎn)品
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO...
2012-09-26 標(biāo)簽:MOSFET恩智浦半導(dǎo)體模擬芯片 4.1k 0
8A30V耐壓MOS管 n溝道 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)HC3600M介紹
型號(hào):HC3600M 參數(shù):30V 8A? 類型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 內(nèi)阻22mR 低結(jié)電容445pF? 封裝:貼片(SOT23-3) 低開啟電壓1.5V ...
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4.1k 0
NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器的特性與應(yīng)用分析
安森美半導(dǎo)體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻...
2019-10-03 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器安森美半導(dǎo)體 4.1k 0
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用?
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響?MOSFET柵極電路電阻的作用? MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)...
2023-10-22 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.1k 0
我們之前有介紹過什么是IGBT,不過主要是從結(jié)構(gòu)上對(duì)其進(jìn)行了剖析,并未深入介紹,今天金譽(yù)半導(dǎo)體再從其他角度來充分了解一下IGBT的具體信息。此文信息量有...
2022-12-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 4k 0
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