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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

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我們開設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,我們將通過雙脈沖測(cè)試來評(píng)估MOSFET體二極管的反...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT體二極管 4.4k 0

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IGBT和MOSFET在對(duì)飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們?cè)谠S多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...

2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.4k 1

羅姆汽車級(jí)超緊湊MOSFET,采用“可濕性面板成型技術(shù)”

肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)常用于高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)相機(jī)模塊的反向連接保護(hù)電路中。

2019-08-15 標(biāo)簽:MOSFET羅姆 4.3k 0

半導(dǎo)體概念科普——MOSFET

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01認(rèn)識(shí)功率器件1.1功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌:1.2功率半導(dǎo)體器件又...

2022-12-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體 4.3k 0

AOS推出適用于USB Type-C型EPR 3.1的強(qiáng)大新型保護(hù)開關(guān)

集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS, 納斯...

2023-03-20 標(biāo)簽:開關(guān)MOSFETusb 4.3k 0

Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET

Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝,導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ,優(yōu)異的 FOM 僅為 2...

2021-05-28 標(biāo)簽:MOSFETVishay 4.3k 0

功率器件Power Cycling測(cè)試與數(shù)據(jù)后處理分析

日前,貝思科爾舉辦了《功率器件Power Cycling測(cè)試與數(shù)據(jù)后處理分析》線上直播活動(dòng)。 本次直播主要針對(duì)各種先進(jìn)封裝工藝的功率器件和模塊的快速發(fā)展...

2022-10-21 標(biāo)簽:測(cè)試MOSFETIGBT 4.3k 0

P溝道和N溝道MOSFET在開關(guān)電源中的應(yīng)用

由于具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和較小尺寸,N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中,基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻...

2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源p溝道 4.3k 0

國內(nèi)大功率MOSFET產(chǎn)品境況

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  功率MOSFET市場(chǎng)為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控,諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場(chǎng),而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用...

2010-09-10 標(biāo)簽:MOSFET 4.3k 0

限制MOSFET的開關(guān)速度因素

我們知道MOSFET的開關(guān)速度相對(duì)于三極管已經(jīng)有相當(dāng)大的改善,可以達(dá)到數(shù)百K,甚至上M;但我們想想,當(dāng)我們需要MOSFET有

2010-12-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)速 4.3k 0

DRAM大跌價(jià)、硅晶圓庫存堆積、MOSFET產(chǎn)能過剩 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)爆冷

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由于政策減稅、政府補(bǔ)貼,迎來一波又一波小陽春。各大半導(dǎo)體上市企業(yè),你追我趕的瘋漲潮。今天,卻集體被割了一波韭菜。

2019-03-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體DRAM 4.3k 0

碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)特性及應(yīng)用分析

對(duì)于硅,隨著耐壓的升高,每單位面積的電阻也會(huì)增加(大約是耐壓的2.5次方的平方)。因此,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)主要用于600V以上的電壓。IGBT...

2022-11-28 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 4.3k 0

為什么選用體二極管恢復(fù)快的MOSFET?

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LLC拓?fù)涞幕景霕螂娐肥怯蓛蓚€(gè)開關(guān)管組成,高邊開關(guān)管(Q1)和低邊開關(guān)管(Q2)通過電感Lr和電容Cr與變壓器相連(見圖1)。開關(guān)管與寄生體二極管(D...

2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFETLLC諧振轉(zhuǎn)換器 4.3k 0

怎么樣才可以徹底搞懂MOSFET?

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我們現(xiàn)在知道了,只要讓MOSFET有一個(gè)導(dǎo)通的閾值電壓,那么這個(gè)MOSFET就導(dǎo)通了。那么在我們當(dāng)前的這個(gè)電路中,假設(shè)GS電容上有一個(gè)閾值電壓,足可以讓...

2021-05-03 標(biāo)簽:二極管MOSFET 4.3k 0

IGBT在電磁爐中的應(yīng)用及解決方案

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分立式 IGBT 是現(xiàn)代基于逆變器的電磁烹飪產(chǎn)品的首選電源開關(guān)。隨著能源成本持續(xù)上升以及消費(fèi)者對(duì)更小型烹飪解決方案的需求增加,IGBT 技術(shù)必須不斷發(fā)展...

2023-09-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電磁爐 4.3k 0

什么是SiC MOSFET?

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碳化硅,或SiC,作為一種半導(dǎo)體材料,正在逐漸嶄露頭角,廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù),碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semi...

2023-09-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體材料 4.2k 0

功率半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案

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功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...

2023-11-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT分立器件 4.2k 0

入門開關(guān)電源必備:功率開關(guān)管指南

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開關(guān)電源是一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,是電源供應(yīng)器的一種。其功能是將一個(gè)位準(zhǔn)的電壓,透過不同形式的架構(gòu)轉(zhuǎn)換為用戶端所需求的電壓或電流。開關(guān)電源的核心部件是功...

2024-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源功率開關(guān) 4.2k 0

Power Integrations為門極驅(qū)動(dòng)器IC技術(shù)帶來了革命性變化

深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)今日宣布,其適合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率單通道門極驅(qū)動(dòng)器S...

2020-03-18 標(biāo)簽:MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器 4.2k 0

一文帶你從功率MOS入門到精通!

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一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1)等效電路 (2)說明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變...

2021-04-09 標(biāo)簽:MOSFET功率SiC 4.2k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    +關(guān)注
    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    +關(guān)注
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    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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