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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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簡述霍爾電流傳感器在電信整流器和服務(wù)器電源中的應(yīng)用
霍爾電流傳感器在電信整流器和服務(wù)器電源中的應(yīng)用 電信整流器和服務(wù)器電源單元(PSU)中的功率因數(shù)校正(PFC)電路和逆變電路都需要將高壓側(cè)的電流信號檢...
立霸股份主營業(yè)務(wù)保持穩(wěn)定,半導(dǎo)體投資將為公司打開彈性空間
近期半導(dǎo)體可謂是全線吃緊,前有晶圓體產(chǎn)能供不應(yīng)求,后有封裝測試需求爆棚。在國產(chǎn)替代的大邏輯下,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景一片大好。作為一家老牌的制造業(yè)企業(yè)...
快速 60V 保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器提供 100% 占空比能力
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 13 日 – 亞德諾半導(dǎo)...
元器件持續(xù)短缺 出貨量不達(dá)預(yù)期 全球Q4筆電供需缺口如何緩解
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)隨著疫情的好轉(zhuǎn),今年國慶旅游出行人次已恢復(fù)到疫情前同期的70%,但筆記本ODM的出貨量并沒有在這個國慶假期迎來市場上的好消...
亞成微推出新型高壓超結(jié)MOSFET助力電源系統(tǒng)節(jié)能降耗
功率半導(dǎo)體器件一直被廣泛應(yīng)用于通信、汽車、消費電子和工業(yè)領(lǐng)域,特別是近年來節(jié)能減排、新能源的興起,使其市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。隨著人們對環(huán)保的日益重視,行業(yè)開...
硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料,目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過,由于轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限,當(dāng)電壓大于900V...
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0
Diodes推出互補(bǔ)性雙MOSFET組合DMC4040SSD
Diodes公司推出一對互補(bǔ)性雙MOSFET組合DMC4040SSD,可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機(jī)控制應(yīng)用
2011-06-24 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMC4040SSD 2.6k 0
如何選擇合適的MOSFET封裝:TO-252與TO-263全面對比
TO-252和TO-263封裝的選擇需平衡空間、性能和成本。TO-252在小型化、低功率場景中具有成本優(yōu)勢,TO-263則在中高功率和高可靠性需求下表現(xiàn)...
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET(增強(qiáng)型MOSFET) 2. Depletion MOSFET(耗盡型MOSFET)...
2023-06-02 標(biāo)簽:MOSFET 2.6k 0
MOSFET廠再次出現(xiàn)缺貨、漲價的態(tài)勢
MOSFET 缺貨與漲價并非第一次,簡單回顧 2018 年那一次缺貨漲價潮,當(dāng)時國際 IDM 大廠象是英飛凌、TI 等放眼未來電動車市場,當(dāng)中電子化的零...
添加更多的柵極(例如在 FinFET 中),將使其中的溝道被限制在三個柵極之間,從而能夠?qū)?Lg 縮放到溝道厚度的大約 2.5 倍。FinFET 已經(jīng)從...
buck電路和boost電路是靠什么維持直流輸出的穩(wěn)定的?
buck電路和boost電路是靠什么維持直流輸出的穩(wěn)定的?? Buck電路和Boost電路是兩種常見的直流電源電路,它們分別能夠把輸入電壓穩(wěn)定地轉(zhuǎn)換成較...
DIP7芯朋微PN8036非隔離AC-DC電源開關(guān)芯片12V500MA
PN8036寬輸出范圍非隔離交直流轉(zhuǎn)換芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。PN...
2023-11-16 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)AC-DC 2.6k 0
Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效的...
2024-05-10 標(biāo)簽:MOSFETVishaydcdc轉(zhuǎn)換器 2.6k 0
NP1216DR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP1216DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
據(jù)參考消息網(wǎng)報道,美國太空探索技術(shù)公司計劃未來數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)宣布與中國的新能源汽車充電市場領(lǐng)軍企業(yè)英飛源達(dá)成合作。
SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...
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