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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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富昌電子SiC設(shè)計分享(五):SiC MOSFET 相關(guān)應(yīng)用中的EMI改善方案
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,進而縮短產(chǎn)品的設(shè)計周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第...
瑞能新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)更快的充電速度
2022年9月6日-7日,瑞能半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Markus Mosen先生將出席第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會(以下簡稱:CISES)。此番,Markus...
2022-08-23 標簽:MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 1.4k 0
事實上IGBT的結(jié)構(gòu)與MOSFET十分接近,只是在其背面增加了N+和P+層,“+”意味著更高的自由電子或者空穴密度。從而IGBT在保留MOSFET優(yōu)點的...
Omron Electronic Components提供超過148種不同的MOSFET繼電器型號
OMRON 的 MOSFET 繼電器在固態(tài)繼電器技術(shù)方面處于行業(yè)領(lǐng)先地位,利用輸入 LED、用作光電耦合器的光電二極管圓頂陣列 (PDA) 和負載開關(guān)電...
什么是GAA FET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)?
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu),溝...
2022-08-20 標簽:MOSFET導(dǎo)通電阻場效應(yīng)晶體管 5.9k 0
OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標,有多種耐壓、RDS(on)、封裝,適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體...
2022-08-19 標簽:英飛凌轉(zhuǎn)換器MOSFET 6.3k 0
半導(dǎo)體逆全球化發(fā)展趨勢明顯,成熟制程芯片國產(chǎn)替代迎來難得的窗口期。又逢能源改革和國產(chǎn)電動汽車產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的歷史機遇,以MOSFET為代表的功率器件將率先...
高耗電應(yīng)用與高頻使用這兩大特性,幾乎注定手游、短視頻等移動娛樂天生自帶電量焦慮。面對這種普遍性“電量焦慮”情況,除了購買電量大、續(xù)航長的手機外,選擇一款...
2022-08-19 標簽:芯片MOSFET開關(guān)電源 1.5k 0
KIA超高壓MOSFET-KNX41100A產(chǎn)品資料
放眼半導(dǎo)體市場,現(xiàn)階段1000-1500V超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷,且存在價格高,交付周期長等弊端。對此可易亞半導(dǎo)體(KIA)針對1000V...
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌。
SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...
2022-08-14 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC 2.2k 0
設(shè)計團隊現(xiàn)在正在將超級電容器用于能量收集、辦公自動化、備份系統(tǒng)等領(lǐng)域的一系列新產(chǎn)品。這些超級電容器電池提供高效的存儲,可以根據(jù)需要快速釋放能量。為確保最...
分立半導(dǎo)體跟上汽車、物聯(lián)網(wǎng)和移動領(lǐng)域的嚴格要求
這里有八個分立元件,可滿足當今許多快速發(fā)展的應(yīng)用程序中常見的更苛刻的需求
2022-08-16 標簽:MOSFET物聯(lián)網(wǎng)分立半導(dǎo)體 631 0
SiC MOSFET在汽車應(yīng)用動力系統(tǒng)逆變器中的優(yōu)勢
化硅器件可以在更高的溫度下運行,并且可以采用降低的熱設(shè)計進行設(shè)計。因此,它們?yōu)槠囶I(lǐng)域提供了理想的解決方案。使用 SiC 帶來的其他好處如下: 功率損耗...
先進的LFPAK MOSFET技術(shù)可實現(xiàn)更高的功率密度
在大功率工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,需要高效率和承受甚至非常大電流的能力。MOSFET功率晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Ef...
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