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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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新品 | 采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評估板
新品采用固態(tài)隔離器iSSI30R11H的固態(tài)開關(guān)評估板EVAL-iSSI30R11H用于評估應(yīng)用電路中的英飛凌iSSI固態(tài)隔離器iSSI30R11的產(chǎn)品...
在生成式 AI、大模型訓(xùn)練與智能算力爆發(fā)式增長的浪潮下,AI 服務(wù)器正朝著高密度、高功耗、高可靠性的方向極速演進(jìn),對供電系統(tǒng)的體積,效率、穩(wěn)定性提出了前...
ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計更簡單,并滿足近年來對AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1.4k 0
近日,英飛凌正式發(fā)布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V,并...
基本半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) MOSFET 外特性深度研究報告:飽和區(qū)、線性區(qū)及動態(tài)行為的物理與工程分析
基本半導(dǎo)體碳化硅 (SiC) MOSFET 外特性深度研究報告:飽和區(qū)、線性區(qū)及動態(tài)行為的物理與工程分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注...
MOSFET 全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種廣泛應(yīng)用于模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,可實(shí)現(xiàn)開關(guān)和...
具有高開關(guān)速度和過溫保護(hù)功能的MOSFET驅(qū)動器
具有高開關(guān)速度和過溫保護(hù)功能的MOSFET驅(qū)動器 日前,Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動器系列,...
Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPA...
仁懋電子參加2024大灣區(qū)與長三角AI產(chǎn)業(yè)協(xié)同論壇
11月4日,一場聚焦人工智能、芯片生態(tài)鏈、數(shù)字貨幣、智慧城市等前沿領(lǐng)域的行業(yè)盛會——“2024大灣區(qū)與長三角AI產(chǎn)業(yè)協(xié)同論壇”在香港圓滿落幕。仁懋電子榮...
納微半導(dǎo)體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎
12月13-14日,由行家說三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮于深圳國際會展中心皇冠假日酒店隆重舉辦,
英飛凌與快捷半導(dǎo)體共同簽訂車用創(chuàng)新MOSFET H-PSOF TO無導(dǎo)線封裝技術(shù)授權(quán)協(xié)議
英飛凌和快捷半導(dǎo)體宣布,針對英飛凌先進(jìn)的車用 MOSFET 封裝技術(shù) H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)簽訂授權(quán)協(xié)議,該技術(shù)是符合 JE...
東芝半導(dǎo)體將加快開發(fā)下一代功率器件及SiC和GaN第三代半導(dǎo)體
2023年,東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計約為1000億日元,其中35%用于汽車市場,20%用于工業(yè)市場。
2025年8月實(shí)施了充電寶新國標(biāo),其核心指標(biāo)包括額定輸出容量大于90%,這個變化提高了電源轉(zhuǎn)換效率要求,把原本的隱性需求轉(zhuǎn)變成了硬性要求。合科泰半導(dǎo)體基...
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域8月29日-31...
圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
飛兆半導(dǎo)體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403,該產(chǎn)品可幫助設(shè)計人員在汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提...
2012-12-04 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1.3k 0
瑞能半導(dǎo)體亮相閃耀SNEC,展現(xiàn)光伏領(lǐng)域創(chuàng)新成果
本屆SNEC展會規(guī)模空前,首次展館設(shè)置在國家會展中心,展覽面積從去年的27萬㎡拓展至如今的40萬㎡,吸引了來自全球95個國家和地區(qū)的3100多家展商以及...
2024-06-22 標(biāo)簽:MOSFET瑞能半導(dǎo)體光伏儲能 1.3k 0
圣邦微電子推出 SGMNQ32430,一款 30V,功率型,3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻,單通道 N 型,采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3....
傾佳電子研究報告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用
傾佳電子研究報告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用與替代分析 傾佳電子(Changer...
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