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mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

Vishay公布2017年新“Super 12”明星產(chǎn)品

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 5 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VS...

2017-05-08 標(biāo)簽:電容器mosfetvishay 1.3k 1

CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述

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英飛凌新發(fā)布了CoolSiCMOSFETGen2系列產(chǎn)品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相...

2025-06-09 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETSiC 1.3k 0

羅姆試制出漏電流減少95%的SiC制MOSFET

姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過(guò)柵極絕緣膜...

2012-12-17 標(biāo)簽:MOSFETSiC羅姆 1.3k 0

新品 | 采用CoolSiC? 400V SiC MOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板

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新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三電平虛擬評(píng)估板該虛擬設(shè)計(jì)(提供設(shè)計(jì)文件,不提供實(shí)物產(chǎn)品)為3L-ANPC拓?fù)?,是帶隔離的三相...

2025-06-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC評(píng)估板 1.3k 0

CoolSiC? MOSFET  G2助力英飛凌革新碳化硅市場(chǎng)

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英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競(jìng)爭(zhēng)激烈的碳化硅市場(chǎng),屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在...

2024-07-12 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET功率半導(dǎo)體 1.3k 0

意法半導(dǎo)體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議助力800V平臺(tái)

12 月 22 日消息,據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息,該公司與理想汽車(chē)簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。

2023-12-24 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)車(chē)意法半導(dǎo)體 1.3k 0

意法半導(dǎo)體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力...

2025-01-16 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體晶體管 1.3k 0

電源設(shè)計(jì)小貼士42:可替代集成MOSFET的分立器件

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在電源設(shè)計(jì)中,工程師通常會(huì)面臨控制 IC 驅(qū)動(dòng)電流不足的問(wèn)題,或者面臨由于柵極驅(qū)動(dòng)損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過(guò)大的問(wèn)題。

2012-04-16 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)分立器件 1.3k 0

IR推出采用TSOP-6封裝的HEXFET MOSFET系列產(chǎn)品

  國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSF...

2012-04-25 標(biāo)簽:MOSFETIR電源芯片 1.3k 0

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專(zhuān)為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)...

2025-09-03 標(biāo)簽:MOSFET功率器件派恩杰 1.3k 0

?英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術(shù)助力電力電子行業(yè)變革

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該技術(shù)將對(duì)數(shù)據(jù)中心、可再生能源和消費(fèi)電子等行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。在日新月異的電力電子行業(yè),對(duì)更高效、更強(qiáng)大、更緊湊元器件的需求持續(xù)存在。對(duì)于新一代硅基MOS...

2024-07-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET元器件 1.3k 0

應(yīng)能微電子推出Load Switch APL0501系列

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在快速發(fā)展的智能穿戴、智能手寫(xiě)筆等市場(chǎng),受限于產(chǎn)品的體積,及鋰電池的容量通常都比較?。?0mAh到500mAh)。為了更好的延長(zhǎng)使用時(shí)間,需要利用電源分...

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Diodes 30V MOSFET使大容量電容器快速及安全放電

 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN3027LFG 30V N通道MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用,確保在現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)...

2015-10-27 標(biāo)簽:MOSFETDiodes 1.3k 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V再獲殊榮,榮獲極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)

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英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮,榮獲2024年度極光獎(jiǎng)“年度影響力產(chǎn)品”獎(jiǎng)項(xiàng)。與此同時(shí),憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)...

2024-12-17 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET半導(dǎo)體 1.3k 0

電源基礎(chǔ)知識(shí) MOSFET結(jié)構(gòu)

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BOSHIDA電源模塊 電源基礎(chǔ)知識(shí) MOSFET結(jié)構(gòu) 制造MOSFET器件的挑戰(zhàn)在于,需要通過(guò)施加在絕緣柵極上電壓的影響,將半導(dǎo)體材料的極性反轉(zhuǎn),從而...

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IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商–國(guó)際整流器公司近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFETMOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)...

2014-11-13 標(biāo)簽:MOSFET整流器IR 1.3k 0

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在追求更高效率、更高功率密度的電力電子系統(tǒng)中,柵極驅(qū)動(dòng)器的性能至關(guān)重要。川土微電子全新推出 CA-IS3214 系列——一款基于先進(jìn)電容隔離技術(shù)的單通道...

2025-11-21 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器川土微電子 1.3k 0

NP2312AMR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)

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NP2312A使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門(mén)和收費(fèi) 操作門(mén)電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。

2022-07-13 標(biāo)簽:MOSFETMOS 1.3k 0

兩款國(guó)產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計(jì)中廣受歡迎

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2025-07-23 標(biāo)簽:MOSFET封裝逆變器 1.3k 0

揚(yáng)杰科技攜重點(diǎn)產(chǎn)品及解決方案精彩亮相CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)

CESC2024中國(guó)國(guó)際儲(chǔ)能大會(huì)暨智慧儲(chǔ)能技術(shù)及應(yīng)用展覽會(huì)于2024年4月23日在南京新國(guó)際博覽中心拉開(kāi)帷幕,揚(yáng)杰科技帶著最新一代的產(chǎn)品和技術(shù)亮相,圍繞...

2024-04-24 標(biāo)簽:新能源MOSFET汽車(chē)電子 1.3k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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