導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
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瑞薩電子宣布開發(fā)出了導(dǎo)通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標(biāo)稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結(jié)是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083396 Vishay Intertechnology, Inc推出采用0508、0612和1225外形尺寸的新款器件，擴(kuò)充其L-NS系列低阻值表面貼裝薄膜片式電阻。
2012-09-20 11:41:231483 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業(yè)應(yīng)用，包括電
2012-12-04 22:17:341675 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 宣布推出汽車級COOLiRFET ? MOSFET系列，為重載應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻
2013-05-20 15:13:302300 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關(guān)
2019-03-08 15:06:392742 `IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻
2010-05-06 08:55:20
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負(fù)載開關(guān)，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導(dǎo)通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護(hù)和電源良好信號提供系統(tǒng)保護(hù)和監(jiān)控
2020-04-17 10:09:17
又適應(yīng)編帶包裝； 具有電性能以及機(jī)械性能的互換性； 耐焊接熱應(yīng)符合相應(yīng)的規(guī)定。 表面貼裝元件的種類： 無源元件SMC泛指無源表面安裝元件總稱、單片陶瓷電容、鉭電容、厚膜電阻器、薄膜電阻器、軸式電阻
2021-05-28 08:01:42
表面貼裝印制板的設(shè)計技巧有哪些？
2021-04-25 06:13:10
光學(xué)傳感器實(shí)物圖值得一提的是，RPI-1035具有超低的體積，封裝體積均為3.9mm*3.9mm*2.4mm，可用于對體積有嚴(yán)格要求的緊湊型應(yīng)用場合。RPI-1035表面貼裝式4方向檢測光學(xué)傳感器
2019-04-09 06:20:22
`表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護(hù)高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設(shè)備、AIO打印機(jī)、基站以及安防系統(tǒng)，防止過電壓造成損壞。新型表面貼裝GDT產(chǎn)品不僅
2013-10-12 16:43:05
OK-xA3系列超低相位噪聲表面貼裝TCXO（溫度補(bǔ)償晶體振蕩器）是一款針對高精度時鐘需求設(shè)計的元器件，OK-xA3系列超低相位噪聲表面貼裝TCXO憑借其卓越的頻譜純度、溫度穩(wěn)定性和小型化設(shè)計，成為
2025-05-26 09:54:32
地提升小封裝尺寸內(nèi)的電流處理能力，同時有助于器件冷卻，并提高器件可靠性?！ ‘?dāng)今的功率MOSFET封裝 采用Power SO8封裝的MOSFET通常用在電信行業(yè)輸入電壓范圍從36V至75V的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1
2018-09-12 15:14:20
，ROHM還會面向要求更高耐壓的工業(yè)設(shè)備開發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴(kuò)大本系列產(chǎn)品的陣容，通過降低各種應(yīng)用的功耗和實(shí)現(xiàn)其小型化來助力解決環(huán)境保護(hù)等社會問題。新產(chǎn)品特點(diǎn)1、實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻在
2021-07-14 15:17:34
浪拓電子表面貼裝的GDT有范圍很寬的各種尺寸和浪涌電壓額定值的產(chǎn)品，用于保護(hù)高速xDSL調(diào)制解調(diào)器、分路器、DSLAM設(shè)備、AIO打印機(jī)、基站以及安防系統(tǒng)，防止過電壓造成損壞。 表面貼裝GDT產(chǎn)品
2014-04-17 09:05:38
Vishay推出新型VSMP0603超高精度Bulk Metal Z箔 (BMZF) 卷型表面貼裝電阻。該器件是率先采用 0603 芯片尺寸的產(chǎn)品，當(dāng)溫度范圍在 -55℃至
2008-09-26 13:42:57
第一類 只有表面貼裝的單面裝配 工序: 絲印錫膏=>貼裝元件=>回流焊接 TYPE IB 只有表面貼裝的雙面裝配 工序: 絲印錫膏=>貼裝元件=>回流焊
2018-11-26 17:04:00
描述此參考設(shè)計可從 36V 至 75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器功率級。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低導(dǎo)通電阻
2018-11-21 14:57:50
電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。然而，超過1000V的高耐壓Si-MOSFET的導(dǎo)通電阻大，必須處理導(dǎo)通損耗帶來的發(fā)熱問題。SCT2H12NZ就是為解決這類工業(yè)設(shè)備輔助電源的課題而
2018-12-05 10:01:25
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
銳駿半導(dǎo)體本周正式發(fā)布兩款全新超低導(dǎo) 通電阻MOSFET產(chǎn)品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產(chǎn)品均采用DFN5060封裝，憑借先進(jìn)
2024-10-14 09:40:16
使用COOLMOS技術(shù)的MOSFET?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導(dǎo)通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
表面貼裝穩(wěn)壓二極管BZX84C2V7-75V
2009-11-12 14:51:14
46 表面貼裝固定電感器
2009-11-17 10:47:4019 表面貼裝印制板設(shè)計要求
摘要：表面貼裝印制板設(shè)計直接影響焊接質(zhì)量，將專門針對表面貼裝印制板的焊盤設(shè)計、布線設(shè)計、定位設(shè)計、過孔處理等實(shí)用
2010-05-28 14:34:4037 表面貼裝技術(shù)SMT基本介紹
2010-11-12 00:05:1379 摘 要 表面貼裝技術(shù)自80年代以來以在電子工業(yè)中得到了廣泛應(yīng)
2006-04-16 22:05:531185 smt表面貼裝技術(shù)
表面安裝技術(shù)，英文稱之為“Surface Mount Technology”,簡稱SMT，它是將表面貼裝元器件貼、焊到印
2007-12-22 11:26:004574 IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開
2009-08-18 12:00:511624 IR推出75V低側(cè)智能功率開關(guān)，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側(cè)智能功率開關(guān)(IPS) ，適用于嚴(yán)苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54990 Vishay發(fā)布QFN方形表面貼裝薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款方形精密薄膜表面貼裝電阻網(wǎng)絡(luò)QFN系列器件。器件采用20腳的5mm×5mm方形扁平無
2009-11-10 08:37:091060 表面貼裝型PGA
陳列引腳封裝PGA(pin grid array)為插裝型封裝，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的
2009-11-19 09:20:29852 Vishay推出業(yè)界最薄的表面貼裝瞬間電壓抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業(yè)內(nèi)1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面貼裝TransZorb®
2009-11-19 09:57:35532 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 表面貼裝型PGA是什么意思
陳列引腳封裝PGA(pin grid array)為插裝型封裝，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面
2010-03-04 14:16:132821 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734 IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551514 IR推出智能電源開關(guān)AUIPS7111S
IR推出AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），適用于卡車引擎罩接線盒等嚴(yán)苛的 24V 汽車環(huán)
2010-03-22 12:16:321532 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411473 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用IR最新的SO-8封裝,P溝道MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開
2010-09-20 08:59:091458 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款具有0.035的超低阻抗和1.75A的高紋波電流的表面貼裝鋁電容器 --
2010-09-28 09:24:12866 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻 --- WSLP0603，該電阻是業(yè)界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有
2010-10-26 08:55:101073 第一類 TYPE IA 只有表面貼裝的單面裝配工序: 絲印錫膏=> 貼裝元件 =>回流焊接 TYPE IB 只有表面貼裝的雙面裝配工序: 絲印錫膏=> 貼裝元
2010-10-30 11:52:051152 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的采用3921和5931外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip電阻 --- WSLP3921和WSLP59
2010-11-23 09:17:511323 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列，與傳統(tǒng)的TO-262封裝相比，可減少 50%引線電阻，并提高30%電流
2011-05-24 08:54:351919 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:541219 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻——WSLP2726和WSLP4026
2011-08-30 08:43:171684 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:072548 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制
2011-09-15 09:27:391642 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。
2011-12-05 09:05:272608 表面貼裝技術(shù)所用元器件包括表面貼裝元件(Surface Mounted Component,簡稱SMC)與表面貼裝器件(Surface Mounted Device,簡稱SMD)。
2011-12-23 11:58:362555 Vishay Intertechnology， Inc.宣布推出新系列表面貼裝鋁電容器---160 CLA，兼具耐高溫、低阻抗、高紋波電流和長壽命等特性。
2013-02-21 13:48:271002 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 Vishay宣布采用0505、0603和2512外形尺寸，用于高功率表面貼裝射頻應(yīng)用的RCP系列厚膜電阻對外供貨。Vishay Dale器件具有非常高的導(dǎo)熱率，使用主動溫度控制的情況下功率等級可達(dá)22W。
2015-07-13 16:40:211906 
MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關(guān)鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機(jī)與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻
2018-10-13 11:03:01728 關(guān)鍵詞：Vishay , WSK0612 , 表面貼裝 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal
2019-01-07 12:17:01480 安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 Vishay 推出新系列 vPolyTan 表面貼裝聚合物鉭模塑片式電容器，在高溫高濕條件下具有可靠性能。
2021-12-07 15:40:283569 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 表面貼裝電阻器的形狀和尺寸是標(biāo)準(zhǔn)化的，大多數(shù)制造商使用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。貼片電阻的尺寸用數(shù)字代碼表示，比如0603。這個代碼包含了封裝的寬度和高度。因此，英制代碼0603表示長度為0.060"，寬度為0.030"。
2022-03-27 09:01:4827038 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Arduino Nanuno（表面貼裝版）.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-01 14:55:320 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:491397 
超低電阻表面貼裝電流檢測電阻器似乎是理想的封裝。物理設(shè)計，金屬表帶，似乎是理想的，提供盡可能低的電感。這些電阻通常需要某種電阻電容濾波器來限制開關(guān)噪聲尖峰。問題在于分流器的時間常數(shù)是封裝電感除以電路電阻。因此，分流電阻越低，衰減時間越長。
2023-03-10 09:25:511100 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
RF-Labs表面貼裝引腳電阻器和終端選用Smiths Interconnect專利管腳電阻技術(shù)工藝，提供比傳統(tǒng)活動圖板電阻更高效的功率處理效率，而且不影響寬帶性能。從而使得CXH系列特別適合普遍
2023-05-24 08:57:45919 可靠性上也幾乎不會發(fā)生問題，但目前時代主流的表面貼裝電阻器如果使用相同的設(shè)計，則會發(fā)生電阻器故障，電路板冒煙等事故。為了防止這些事故的發(fā)生，同時為了替換小型產(chǎn)品和減少使用數(shù)量，有必要根據(jù)表面貼裝電阻器的條件進(jìn)行降額。
2023-06-14 16:53:003918 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
需要進(jìn)行表面貼裝的電子產(chǎn)品一般由印制線路板和表面貼裝元器件組成。印制線路板PWB（Printed Wire Board）是含有線路和焊盤的單面或雙面多層材料。表面貼裝元器件包括表面貼裝元件和表面貼裝器件兩大類。
2023-11-01 15:02:472037 的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:561060 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有80V集成功率MOSFET的LM5007 75V 0.5A直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-11 10:16:310 貼片電阻和表面貼裝電阻在本質(zhì)上并沒有明顯的區(qū)別，因?yàn)椤百N片電阻”通常就是指采用表面貼裝技術(shù)(Surface Mount Technology，簡稱SMT)的電阻元件，也就是表面貼裝電阻。以下是關(guān)于
2024-08-05 14:14:341294 
近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
探索Littelfuse L4CL系列四端表面貼裝電阻：特性、應(yīng)用與設(shè)計考量 在電子設(shè)計領(lǐng)域，電流檢測電阻是一個關(guān)鍵組件，它對于精確測量電流、實(shí)現(xiàn)高效的電源管理至關(guān)重要。今天，我們將深入探討
2025-12-15 17:40:02390 設(shè)計的優(yōu)選。然而，在實(shí)際市場中，是否真的存在0.42mΩ的超低導(dǎo)通電阻MOSFET？本文MDD將探討這種超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場應(yīng)用、優(yōu)勢及其面臨的挑戰(zhàn)。一、0
2025-12-16 11:01:13198 
——Riedon? 表面貼裝線繞電阻器，了解其特點(diǎn)、規(guī)格和應(yīng)用注意事項(xiàng)。 文件下載： Bourns S和SL表面貼裝繞線電阻器.pdf 產(chǎn)品特性亮點(diǎn) 強(qiáng)大的浪涌處理能力 該系列電阻器具有出色的浪涌處理能力，這意味著在面對瞬間的高能量沖擊時，它能夠穩(wěn)定工作，保護(hù)電路免受損壞。對于那些容易受
2025-12-22 17:05:02354
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