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IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻

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2025-09-01 20:02:00922

揚杰科技推出用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品

揚杰科技近日推出了一系列用于汽車電子的P60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品具有較低的通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低通和開關損耗,可以支持更高頻率與動態(tài)響應,同時優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力
2025-08-13 17:57:012747

合科泰N溝道增強型MOSFET HKTS80N06介紹

合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強型MOSFET,采用SGT屏蔽柵技術,其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱,產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標準,以通電阻和高電流承載,可適配封閉環(huán)境應用,如儲能電池包BMS和車載OBC應用。
2025-08-12 16:54:001608

派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品

近日,派恩杰半導體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的通電阻RDS(on)最低可達7mΩ,達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有通電阻、反向阻斷特性好、熱導率高、開關速度快等優(yōu)勢,在高功率、高頻率應用領域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的一個關鍵挑戰(zhàn)是降低特征通電阻(RON,SP)與提升短路耐受時間(tSC)之間的權衡。
2025-08-04 16:31:123053

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。
2025-08-01 10:25:141293

MDDG10R08G的多元應用,快充 光伏 電機驅動全覆蓋!

采用PDFN5*6-8L封裝,符合RoHS標準,以其卓越的開關性能與通電阻,成為同步整流、電機驅動等應用的理想選擇。 一、 核心性能 通電阻,高效節(jié)能 在VGS=10V、ID=35A條件下,最大
2025-07-28 16:45:43631

MDDG03R01G通MOS 跨越新領域,提升同步整流、DC-DC轉換效率

= 50A 的條件下,其最大通電阻 RDS (on) 僅為 1.0mΩ。如此通電阻,能夠有效降低器件在工作過程中的功率損耗,提高系統(tǒng)的整體
2025-07-28 15:20:11466

永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強模式MOSFET

描述: APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術 通電阻柵極電荷性能 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果 一般特性
2025-07-15 16:22:02

中低壓MOS管MDD8205數(shù)據(jù)手冊

這款20V N溝道MOSFET采用雙芯片設計,基于MDD獨特的器件結構,可實現(xiàn)通電阻和快速開關特性。
2025-07-10 14:30:360

中低壓MOS管MDD4438數(shù)據(jù)手冊

這款N溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計,實現(xiàn)了通電阻(RDS(ON))和快速開關性能。其閾值電壓系列專為同步整流電源系統(tǒng)設計,適用于驅動電壓應用場景。
2025-07-10 14:29:300

中低壓MOS管MDD3400數(shù)據(jù)手冊

這款30V N溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計,實現(xiàn)了通電阻、快速開關特性以及優(yōu)異的雪崩耐量。
2025-07-10 14:15:370

中低壓MOS管MDD210N40P數(shù)據(jù)手冊

這款N溝道MOSFET采用先進的溝槽技術和設計,提供優(yōu)異的通電阻(RDS(ON))與柵極電荷特性。其適用于多種應用場景。
2025-07-09 16:55:000

中低壓MOS管MDD80N03D數(shù)據(jù)手冊

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 通電阻的高密度單元結構?● 無鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:20:220

中低壓MOS管MDD50N03D數(shù)據(jù)手冊

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 高密度單元結構實現(xiàn)通電阻?● 無鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:04:330

中低壓MOS管MDD02P60A數(shù)據(jù)手冊

這款60V P溝道MOSFET采用MDD獨特的器件設計,實現(xiàn)了通電阻、快速開關性能以及優(yōu)異的雪崩特性。? 高密度電池設計實現(xiàn)極低通電阻(RDS(ON)) ?? 卓越的通電阻與最大直流電流承載能力
2025-07-09 15:05:550

中低壓MOS管BSS84數(shù)據(jù)手冊

● 溝槽功率低壓MOSFET技術● 通電阻?● 柵極電荷
2025-07-09 15:02:230

永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強模式MOSFET

描述: APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術,通電阻柵極電荷性能。 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率 一般
2025-07-09 13:35:13

還在為高頻大電流電源設計頭疼?SiLM27213CB-DG專用MOSFET門極驅動器如何解鎖效率新高度?

各位電源設計同行們,大家是否遇到過這樣的困擾: 在高頻大電流應用(比如服務器電源、工業(yè)電源、高端快充)里,選用的驅動和MOSFET組合,通電阻、大電流承載、快速開關總是難以兼得? 系統(tǒng)效率卡在
2025-07-05 08:55:40

英飛凌推出具有超低通電阻的CoolSiCTM MOSFET 750 V G2

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2025-07-04 11:25:31

數(shù)明半導體推出SiLM27213系列專用MOSFET門極驅動器

的電源管理組件暴露出明顯的性能短板,難以在通電阻、大負載電流承載能力以及快速開關速度等關鍵指標上實現(xiàn)協(xié)同優(yōu)化,這導致電源系統(tǒng)無法達成預期效能,進而影響搭載此類電源系統(tǒng)的電子設備在市場中的競爭力。
2025-07-02 15:58:301875

英飛凌推出具有超低通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應用

? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉換應用的系統(tǒng)效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合,在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604

揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術,具有較低的通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低通和開關損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
2025-06-27 09:43:531352

CoolSiC? MOSFET G2通特性解析

問題。今天的文章將會主要聚集在G2的通特性上。在MOSFET設計選型過程中,工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710

辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領域,MOSFET通損耗與動態(tài)響應直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結合屏蔽柵技術,突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低通電阻與300A持續(xù)電流能力,在高功率應用領域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754

MOSFET通電阻參數(shù)解讀

通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343803

MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET

在服務器電源、工業(yè)驅動及新能源領域,MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術,為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

TPS22995 具有可調上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 通電阻負載開關數(shù)據(jù)手冊

TPS22995是一款單通道負載開關,集成了N-channel MOSFET,具有通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38663

新潔能Gen.4超結MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹

超結MOS采用垂直結構設計,在漂移區(qū)內交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級結”單元,通過電荷補償技術突破傳統(tǒng)功率半導體“硅極限”的高壓器件,其核心設計通過優(yōu)化電場分布實現(xiàn)通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499

【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低通電阻,助力通信基站高效節(jié)能

隨著通信基站和工業(yè)設備電源系統(tǒng)向48V升級,高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進工藝與封裝技術,全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低通電阻和緊湊尺寸,為風扇電機驅動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877

2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET規(guī)格書

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護功能,兼具通電阻(RDS(ON))與高耐壓(60V)特性。其超小封裝和閾值電壓(VTH=1.6V)使其成為便攜式設備、信號開關和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340

2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護的N溝道MOSFET,助力精密電路設計

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護功能,兼具通電阻(RDS(ON))與高耐壓(60V)特性。其超小封裝和閾值電壓(VTH=1.6V)使其
2025-04-27 16:59:26

揚杰科技N60V SGT MOSFET產(chǎn)品介紹

揚杰科技于2024年推出了一系列用于汽車電子的N60V SGT MOSFET,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術,具有較低的通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低通和開關損耗,可以支持更高頻率與動態(tài)響應。
2025-04-01 10:39:531036

MOSFET開關損耗計算

Power MOSFET 設計電源時,大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大通電流能力及通電阻等三項參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實際上,在不同的應用電路中,Power MOSFET 的選用
2025-03-24 15:03:44

ROHM推出超低通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源,開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

。碳化硅MOSFET不僅具有通電阻、高開關速度和高耐壓等顯著優(yōu)勢,還在高溫和高頻應用中展現(xiàn)出優(yōu)越的穩(wěn)定性。本文將詳細探討碳化硅MOSFET的基本特性、應用領域、市場前景及未來發(fā)展趨勢。
2025-02-26 11:03:291399

通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術平臺解析

,Wolfspeed第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰(zhàn)而設計,并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品)制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 通電阻大幅下降,開關損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術主要的提升在于三個部分,首
2025-02-13 00:21:001523

通電阻僅為3?!納祥科技NX899單刀雙擲開關助力高效能設備

NX899是一款先進的CMOS模擬開關,它采用硅柵CMOS技術制造,在保持CMOS低功耗的同時,實現(xiàn)了非常的傳播延遲和通電阻,模擬電壓和數(shù)字電壓可能在整個供電范圍內(從VCC到GND)有所不同。 在性能上,NX899能國產(chǎn)替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121123

SGT MOSFET的優(yōu)勢解析

SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態(tài),將傳統(tǒng)的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場,可以進一步減小EPI層的厚度,降低通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890

廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和通電阻等優(yōu)勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢,但碳化硅MOSFET有望成為下一代主流功率器件。
2025-01-15 17:40:551101

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET通電阻(Rdson)高達30%,從而顯著減少了功率損耗,為
2025-01-13 11:41:38957

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