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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。

2021-11-30 標(biāo)簽:MOSFET東芝IGBT 2k 0

ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻的新一代雙極MOSFET

ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開(kāi)發(fā)出在Nch中融入新微細(xì)工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。

2021-11-30 標(biāo)簽:MOSFET低導(dǎo)通電阻Rohm 1.2k 0

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在1...

2021-11-29 標(biāo)簽:模塊MOSFET碳化硅 9.8k 0

東芝減少測(cè)試周期發(fā)布高精度SPICE模型

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硬件開(kāi)發(fā)者的好消息來(lái)了! 東芝已在網(wǎng)上發(fā)布用于PSpice和LTspice的MOSFET器件SPICE模型,以及具有高瞬態(tài)特性重現(xiàn)性的高精度SPICE模...

2021-11-26 標(biāo)簽:MOSFET東芝PSPICE 3k 0

東芝低尖峰型MOSFET降低EMI的好幫手TPHR7404PU

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TPHR7404PU 做電源設(shè)計(jì)的工程師朋友都知道,MOSFET由于其快速開(kāi)關(guān),導(dǎo)通電壓低等特性,在電源設(shè)計(jì)中應(yīng)用的非常廣泛。但是使用MOSFET時(shí)易出...

2021-11-26 標(biāo)簽:電源電阻MOSFET 3.4k 0

MOSFET跨導(dǎo)及夾斷區(qū)是什么

相比于晶體管,MOSFET這個(gè)管子相對(duì)來(lái)說(shuō)比較復(fù)雜,它的工作過(guò)程理解起來(lái)還是有一定難度的。那么這其中最難以理解的部分,可能還是MOS管開(kāi)關(guān)損耗的理解。相...

2021-11-16 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 7.8k 0

國(guó)外碳化硅大廠:產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料,憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳...

2021-11-13 標(biāo)簽:MOSFET晶圓氮化鎵 3.3k 0

SiC需求爆發(fā) 賽道正式開(kāi)啟國(guó)內(nèi)企業(yè)迅速就位

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))功率器件從硅基向碳化硅的轉(zhuǎn)型,成為了半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域快速發(fā)展的一個(gè)縮影,對(duì)整個(gè)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重大的影響。 碳化硅功...

2021-11-13 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 2.2k 0

特斯拉、比亞迪、蔚來(lái)等都用了 碳化硅產(chǎn)業(yè)站上風(fēng)口

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)近年來(lái),電動(dòng)汽車的銷量持續(xù)快速提升,從中國(guó)市場(chǎng)來(lái)看,中汽協(xié)公布數(shù)據(jù)顯示,今年前三季度,我國(guó)新能源汽車產(chǎn)銷量分別達(dá)216.6...

2021-11-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 3.2k 0

從離散到集成,電機(jī)驅(qū)控的三大選擇

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))目前電機(jī)控制一般分成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,柵極驅(qū)動(dòng)器IC加上MOS/IGBT這些功率器件。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC以小型化,高性能,高功率...

2021-11-11 標(biāo)簽:mcuMOSFETemi 6.3k 0

SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

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思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)化的解決方案,也在持續(xù)挖掘ALD技術(shù)之于傳統(tǒng)硅基,SiC,GaN器件的創(chuàng)新應(yīng)用潛力。

2021-11-10 標(biāo)簽:MOSFET充電器半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 1.6k 0

如何為應(yīng)用的實(shí)用性測(cè)試GaN的可靠性

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作者:Sandeep Bahl 最近,一位客戶問(wèn)我關(guān)于氮化鎵(GaN)可靠性的問(wèn)題:“JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì))似乎沒(méi)把應(yīng)用條件納入到開(kāi)關(guān)電源...

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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第3部分—連續(xù)電流額定值

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嗨,我的FET狂熱愛(ài)好者同行們,歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第3部分!今天我們來(lái)談一談MOSFET電流額定值,以及它們是如何變得不真實(shí)的...

2021-11-24 標(biāo)簽:芯片電流MOSFET 2.3k 0

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第5部分—開(kāi)關(guān)參數(shù)

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最后,我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中,我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出...

2021-11-24 標(biāo)簽:電阻MOSFET電源管理 3k 0

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第2部分—安全工作區(qū)(SOA)圖

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嗨,我的FET狂熱愛(ài)好者同行們,歡迎回到“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的第2部分!作為一名功率MOSFET的產(chǎn)品營(yíng)銷工程師,在FET數(shù)據(jù)表的所有內(nèi)容...

2021-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源管理SOA 5k 0

看懂MOSFET數(shù)據(jù)表第1部分—UIS/雪崩額定值

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在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí),你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷),其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不...

2021-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源管理UIS 5.9k 0

設(shè)計(jì)成功的反向降壓之升壓轉(zhuǎn)換器布局

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LM5017系列產(chǎn)品等降壓轉(zhuǎn)換器或穩(wěn)壓器集成電路(IC)可以從正VIN產(chǎn)生負(fù)VOUT在DC/DC轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域是常識(shí)。乍一看,使用降壓穩(wěn)壓器IC的反向降壓-...

2021-12-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電源管理 2.4k 0

使用氮化鎵重新考慮功率密度

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作者:Masoud Beheshti ? 電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了...

2021-12-09 標(biāo)簽:MOSFET電源管理功率 2.4k 0

模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器基礎(chǔ)參數(shù)簡(jiǎn)介

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Other Parts Discussed in Post: MUX36S08, TMUX6104作者:現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師 蘇智超 Rock Su ? ...

2022-01-19 標(biāo)簽:MOSFET模擬多路復(fù)用器 7k 0

更持久耐用的電動(dòng)摩托車16S-17S鋰離子電池組

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Other Parts Discussed in Post: BQ76940隨著快遞服務(wù)需求的快速增長(zhǎng),電動(dòng)摩托車因其電池容量大于電動(dòng)自行車和電動(dòng)踏板車...

2022-01-19 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFET工業(yè) 2.2k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家,這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    COMSOL
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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