IGBT驅(qū)動(dòng)光耦TLP250功率驅(qū)動(dòng)模塊在IRF840 MOSFET中的應(yīng)用
2012-06-06 11:56:59
9500 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:332029 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451596 東芝公司旗下半導(dǎo)體與存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今日宣布推出配置Delta- Sigma AD轉(zhuǎn)換器的高精度光耦隔離放大器，該光耦隔離放大器可檢測(cè)微小的電流和電壓波動(dòng)，適用于工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。新產(chǎn)品將提供模擬輸出和數(shù)
2019-05-08 16:02:382387 數(shù)字控制器工作電壓。同光耦相比， PC2899X 具有更低的傳輸延遲、更低的通道間傳播延遲差異、更高的工作溫度和更高的CMTI，用來驅(qū)動(dòng) MOSFET/IGBT 更有優(yōu)勢(shì)。特性:功能選項(xiàng)? 分離輸出
2025-04-03 14:23:02
MIC4414YFT EV，MIC4414評(píng)估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N
2012-07-25 09:49:08
隔離措施，以提高系統(tǒng)抗干擾措施，可采用帶光電隔離的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片TLP250。光耦TLP250是一種可直接驅(qū)動(dòng)小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本東芝公司生產(chǎn)，其最大驅(qū)動(dòng)能力達(dá)1.5A
2012-06-14 20:30:08
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過
2018-08-27 20:50:45
性能。正確的柵極驅(qū)動(dòng)順序可使IGBT柵極信號(hào)在第二個(gè)集電極電流過零點(diǎn)以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅(qū)動(dòng)速度、柵極驅(qū)動(dòng)關(guān)斷源
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起?！ 〕诉x擇正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅(qū)動(dòng)源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
中國(guó)上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機(jī)柵極驅(qū)動(dòng)IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)（EPS
2023-02-28 14:11:51
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
`描述PMP10531.1 參考設(shè)計(jì)是一個(gè) 8 輸出隔離式 Fly-Buck 電源，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)或高電壓逆變器應(yīng)用中的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器。接受 24V 額定輸入，提供 4 組隔離式（+15V
2015-04-28 15:53:29
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
的電壓軌。特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個(gè)臂為半橋配置）的 6 個(gè) IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
描述 PMP9455 參考設(shè)計(jì)為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該設(shè)計(jì)具有獨(dú)特的高峰值電流驅(qū)動(dòng)能力，同時(shí)集成了具有外部可編程增益和濾波
2018-11-30 15:52:43
：帶有 3A 峰值電流驅(qū)動(dòng)功能的全橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器集成的超快 100V 自舉二極管支持額定值最高 5KVA 的逆變器兩個(gè)高側(cè)電流感應(yīng)放大器帶有外部可編程增益和緩沖輸出，可用于測(cè)量電池充電和放電
2022-09-22 06:37:42
與MOSFET有9大異同點(diǎn)，我們一起來看看。 01 IGBT與MOSFET的分類與異同點(diǎn) IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式半導(dǎo)體
2022-06-28 10:26:31
MOS柵極驅(qū)動(dòng)能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅(qū)動(dòng)電流。它有三個(gè)互相獨(dú)立的高邊和低邊輸出通路以及全保護(hù)功能。此外還有一個(gè)用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動(dòng)的低邊驅(qū)動(dòng)
2021-05-18 07:25:34
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級(jí)聯(lián)連接?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT將MOSFET的簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，專為驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定（UVLO）功能，在共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅(qū)動(dòng)離散功率級(jí)，以驅(qū)動(dòng)IGBT柵極。推薦產(chǎn)品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
Eoff。ZCS拓?fù)淇梢蕴嵘畲蟮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT Eoff性能。正確的柵極驅(qū)動(dòng)順序可使IGBT柵極信號(hào)在第二個(gè)集電極電流過零點(diǎn)以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff
2017-04-15 15:48:51
如圖2所示。IGBT通過兩個(gè)脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗
2019-03-06 06:30:00
的電壓軌。 特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個(gè)臂為半橋配置）的 6 個(gè) IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 參考設(shè)計(jì)包括一個(gè) 22kW 功率級(jí)以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計(jì)可對(duì)三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器的評(píng)估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器的評(píng)估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-28 10:36:39
`描述TIDA-00174 參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2015-03-23 12:07:05
`描述TIDA-00174 參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2015-04-27 16:13:02
功率：每個(gè) IGBT 為 2W，并可擴(kuò)展為支持更高功率 IGBT輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能設(shè)計(jì)符合 IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)`
2015-04-27 18:16:34
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
這是我設(shè)計(jì)的一個(gè)單片機(jī)驅(qū)動(dòng)光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計(jì)對(duì)嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動(dòng)位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
使用驅(qū)動(dòng)器 BM60059FV-C 驅(qū)動(dòng) 1200V IGBT 時(shí)的設(shè)置。在每種情況下，都可以清楚地觀察到恒定的柵極輸出電流?！ ”容^電流源驅(qū)動(dòng)器和電壓源驅(qū)動(dòng)器時(shí)感興趣的區(qū)域是周期T2-T3，其中dv
2023-02-21 16:36:47
SOIC 封裝。IX6611特點(diǎn)IX6611具有以下特點(diǎn)：信號(hào)輸入/輸出與脈沖變壓器兼容，可與電氣隔離MCU通信10 A 峰值拉電流和灌電流柵極驅(qū)動(dòng)，具有獨(dú)立的拉電流和灌電流輸出負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)能力，用于驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 09:52:17
描述 TIDA-00448 參考設(shè)計(jì)是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅(qū)動(dòng)程序，旨在用于驅(qū)動(dòng)所需高峰值閘極電流高達(dá) 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內(nèi)
2018-09-04 09:20:51
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個(gè) IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流旨在滿足 IEC61800-1-5
2018-09-20 08:49:06
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動(dòng)能力，適用于驅(qū)動(dòng) SiC
2018-10-16 17:15:55
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一身，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點(diǎn)
2016-10-15 22:47:06
”設(shè)計(jì)，徹底消除了傳統(tǒng)光耦LED老化導(dǎo)致的性能衰減問題，帶來更高的長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。-提供30V的輸入反向耐壓能力，增強(qiáng)接口保護(hù)。3.強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)：-峰值輸出電流達(dá)1.0A，可有效驅(qū)動(dòng)主流IGBT/MOSFET
2025-07-21 08:56:31
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器。FOD8316基本特性在傳統(tǒng)的IGBT驅(qū)動(dòng)器上增加了保護(hù)電路?？删幊坦收蟼鞲腥ワ柡蜋z測(cè)IGBT軟斷開欠壓鎖定輸出電壓軌到軌擺動(dòng):低功耗
2013-06-07 16:34:06
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的效率。要做到這一點(diǎn)，電機(jī)控制電路必須很快地開關(guān)流向電機(jī)線圈的電流，在開關(guān)上面需要達(dá)到最小的切換時(shí)間或?qū)щ娖陂g的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導(dǎo)體器件都可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)
2016-01-27 17:22:21
3kVRMS 基礎(chǔ)型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可以驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)(...)主要特色適合單相和三相逆變器、中高電壓電源轉(zhuǎn)換器（100VAC 至 230VAC）0.5A/2A/6A/10A 拉電流和灌電流適合驅(qū)動(dòng)
2018-09-30 09:23:41
描述TIDA-00174參考設(shè)計(jì)是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個(gè) IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個(gè) IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動(dòng)電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產(chǎn)和
封裝技術(shù)的革命性發(fā)展，拓寬了這種主力電源開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用范圍。
IGBT的基本概念是雙極性（高
電流密度）的開關(guān)器件，以及如
MOSFET器件上的高阻抗
柵極。盡管人們?cè)缭?/div>
2018-12-03 13:47:00
薄型封裝版本MicroFET MOSFET
日前，飛兆半導(dǎo)體公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET現(xiàn)推出行業(yè)領(lǐng)先的薄型封裝版本，幫助設(shè)計(jì)人員提升其設(shè)計(jì)性能。飛兆半導(dǎo)體與設(shè)計(jì)工
2009-11-23 09:12:22631 東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
2012-03-13 11:08:413825 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011353 
東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59769 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對(duì)軌輸出柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，用于直接驅(qū)動(dòng)中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061787 的柵極驅(qū)動(dòng)要求等。與在這種設(shè)計(jì)中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動(dòng)電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計(jì)者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動(dòng)器以滿足其
2017-07-04 10:51:05
22 對(duì)于具有較高輸出功率等級(jí)的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián)絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 很有必要，因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無法提供所需的負(fù)載電流。該參考設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極
2017-10-27 11:09:258 東芝推出采用DIP4封裝的大電流光繼電器，具有低導(dǎo)通電阻和大額定導(dǎo)通電流，更易使用。
2018-09-29 15:35:355155 新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001652 本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005318 
MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款
2021-12-10 18:19:355967 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:512148 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動(dòng)設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:302567 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:552258 設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序 緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:092324 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0352 CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于驅(qū)動(dòng)MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級(jí)達(dá)到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:451704 新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:022205 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11846 SLM27517 單通道，高速，低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以有效地驅(qū)動(dòng)MOSFET和IGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計(jì)其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負(fù)載軌對(duì)軌驅(qū)動(dòng)能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 IGBT驅(qū)動(dòng)需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實(shí)際器件的驅(qū)動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流
2022-04-16 11:42:572993 
驅(qū)動(dòng)光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動(dòng)恢復(fù)的功能。該器件主要用來實(shí)現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:022163 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:141900 用光耦搭建的隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)電路
2023-11-02 15:20:0516 電子和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它是一種用于高電壓和高電流應(yīng)用的開關(guān)和放大器。 IGBT的基本結(jié)構(gòu)由四個(gè)摻雜的半導(dǎo)體層組成：N型溝道、P型基區(qū)、N型漏結(jié)和P型柵結(jié)?？刂破鋵?dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)的是其柵極。當(dāng)IGBT柵極電壓低于閾值時(shí)，它處于關(guān)閉狀態(tài)，沒有電流通過。當(dāng)柵極電壓高于閾值時(shí)，形成電場(chǎng)，電流可以流過
2024-01-22 11:14:572095 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器ISO5852S數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 09:11:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的 5.7 kVRMS 增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)器ISO5452數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-29 09:10:220 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開關(guān)的操作。它通過將控制器輸出
2024-07-19 17:15:2724573 柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管（BJT）優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)是其正常工作的關(guān)鍵，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:102969 最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 器件峰值輸出電流高達(dá)?4 A 工作溫度高達(dá)?+125 °C，傳播延遲低至?200 ns Vishay 推出兩款采用緊湊、高隔離延展型 SO-6 封裝
2024-11-03 13:42:001015 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于汽車IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的多輸出初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)反激式參考設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-12-03 15:13:491 選擇峰值電流匹配的柵極驅(qū)動(dòng)器
2025-01-10 18:33:05590 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-06 19:24:014004 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型
2025-03-11 15:11:55512 
寬體封裝，適用于IGBT、MOSFET和SiCMOSFET驅(qū)動(dòng)。多種UVLO電壓版本，獨(dú)立輸出版本，UVLO參考地為GND2，UVLO可調(diào)。產(chǎn)品型號(hào)：■1ED31
2025-03-27 17:03:50880 
UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5350L-Q1
2025-05-15 11:00:09865 
UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27511 和 UCC27512 能夠拉出和吸收高峰值電流 脈沖進(jìn)入電容性負(fù)載，提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播 延遲，通常為 13 ns。
2025-05-20 14:19:11615 
Texas Instruments UCC23113隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器是一款兼容光耦的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。該器件具有5A峰值輸出拉電流、5A峰值
2025-08-03 17:04:13704 
Texas Instruments UCC21737-Q1單通道柵極驅(qū)動(dòng)器是一款電流隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于工作電壓高達(dá)2121V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先進(jìn)的保護(hù)特性、同類最佳的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該器件具有高達(dá) ±10A的峰值拉電流和灌電流。
2025-09-09 15:37:02774 
該UCC23313是一款光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET，具有4.5A源極和5.3A灌電流峰值輸出電流以及3.75kV~有效值~基本隔離等級(jí)。33
2025-10-15 15:22:57495 
.pdf 產(chǎn)品概述 ACPL - 355JC是一款10A智能柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器，具有高峰值輸出電流和寬工作電壓范圍，非常適合在電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用中直接驅(qū)動(dòng)IGBT或SiC MOSFET。它不
2025-12-30 15:40:03302 已全部加載完成
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