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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測(cè)試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(STT-MRAM)的電路技術(shù),以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測(cè)試芯片。
臺(tái)積電開發(fā)出SOT-MRAM陣列芯片,功耗極低
臺(tái)積電近日宣布,與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代...
MRAM HS4MANSQ1A-DS1適用于導(dǎo)航定位系統(tǒng)
國芯思辰,國產(chǎn)芯片替代
2024-01-22 標(biāo)簽:定位系統(tǒng)MRAM國芯思辰 897 0
殺手锏!臺(tái)積電開發(fā)SOT-MRAM陣列芯片
臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量內(nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
臺(tái)積電和ITRI成功研發(fā)SOT-MRAM,功耗僅為STT-MRAM的百分之一
鑒于AI、5G新時(shí)代的到來以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫,如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM...
MRAMHS4MANSQ1A-DS1用于物聯(lián)網(wǎng)終端,容量可達(dá)4M
物聯(lián)網(wǎng)的三大特征是感知物體、信息傳輸和智能處理。物聯(lián)網(wǎng)的終端設(shè)備(例如可穿戴設(shè)備、智能家居等)需要在收集大量數(shù)據(jù)的同時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行智能處理,并實(shí)時(shí)與數(shù)據(jù)中...
2024-01-18 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)MRAM國芯思辰 1.2k 0
創(chuàng)紀(jì)錄的SOT-MRAM有望成為替代SRAM的候選者
最近,Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能,每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳,耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 標(biāo)簽:HPC嵌入式存儲(chǔ)器MRAM 2.5k 0
RAM和NAND再遇強(qiáng)敵, MRAM被大廠看好的未來之星
目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火,...
BV百度風(fēng)投三輪加注,MRAM企業(yè)亙存科技再獲融資
亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術(shù)為中心,致力于設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設(shè)在深圳,在上海、蘇州等地設(shè)有r&...
作為一種磁性技術(shù),MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎,而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大,在內(nèi)存領(lǐng)域,尺寸意味著成本。
Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗,因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
上海矽朋微電子怎么樣?MRAM榮獲“中國半導(dǎo)體市場(chǎng)年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)”
? — 芯紐帶?新未來?—7月20日,由江蘇省工業(yè)和信息化廳、南京江北新區(qū)管理委員會(huì)主辦,江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、南京江北新區(qū)產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)研園、南京浦口經(jīng)濟(jì)...
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工...
數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用STT-MRAM芯片S3R1016
MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過程??梢杂涗浵到y(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件;使用歷史;環(huán)境參數(shù) ;機(jī)器狀態(tài);用于分析目...
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