臺積電近日宣布，與工研院共同研發(fā)出一種名為自旋軌道轉矩磁性內(nèi)存（SOT-MRAM）的陣列芯片。這一技術成果為臺積電在AI和高性能運算（HPC）市場搶占先機提供了新的競爭優(yōu)勢。

臺積電在MRAM技術方面已經(jīng)取得了顯著進展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。此次推出的SOT-MRAM將進一步鞏固其在市場中的領先地位。

這款SOT-MRAM芯片由臺積電和工研院共同設計，實現(xiàn)了極快的工作速度，達到10納秒，遠高于傳統(tǒng)的內(nèi)存芯片。這一創(chuàng)新突破了MRAM僅用作內(nèi)存的局限，極大地提高了存儲與內(nèi)部運算的性能。

臺積電表示，新款SOT-MRAM內(nèi)存采用了獨特的運算架構，使得其功耗僅相當于STT-MRAM的1%。這一卓越成果在國際上處于領先地位，并在國際電子元件會議（IEDM）上發(fā)表了相關論文，引起了廣泛關注。

臺積電通過推出SOT-MRAM技術，進一步增強了在AI和HPC市場的競爭力。這款芯片提供了更高性能和更低功耗的解決方案，將為臺積電在全球微電子元件領域的發(fā)展帶來巨大優(yōu)勢。

審核編輯：黃飛