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標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個(gè)極,中間的電極為G極,兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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TPS22999負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)是一款單通道負(fù)載開關(guān),旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間和較低的浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)具有N溝道MO...
2025-08-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 1.3k 0
STL120N10F8功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強(qiáng)模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術(shù),...
LM2101 107V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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LM74722-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74722-Q1理想二極管控制器可驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背N溝道MOSFET,以模擬具有電源路徑開和關(guān)控制以及過壓保...
MOSFET選型注意事項(xiàng)及應(yīng)用實(shí)例
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小...
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LTC7065半橋雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款柵極驅(qū)動(dòng)器,在高達(dá)100V的輸入電壓下工作,具有獨(dú)立于電源的三...
德州儀器LM74912Q1EVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74912Q1EVM評估模塊設(shè)計(jì)用于快速輕松地演示LMLM74912-Q1理想二極管控制器(采用24引腳VQFN...
Texas Instruments LM74912-Q1理想二極管控制器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instrument LM74912-Q1理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背N溝道MOSFET。實(shí)現(xiàn)此功能是為了模擬具有電源路徑開/關(guān)控制...
Analog Devices Inc. LT8349兩相低IQ同步升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LT8349兩相低IQ同步升壓轉(zhuǎn)換器異相驅(qū)動(dòng)兩個(gè)內(nèi)部N溝道功率MOSFET級。多相操作允許使用更小的電感器,與單相等效產(chǎn)品...
2025-05-29 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器N溝道 1.1k 0
LM2105半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM2105半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET...
?NTK3134N MOSFET:專為緊湊型便攜設(shè)備設(shè)計(jì)的高效功率開關(guān)解決方案
安森美 (onsemi) NTK3134N單N溝道功率MOSFET具有ESD保護(hù)功能,是優(yōu)化用于高效開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的強(qiáng)大MOSFET。安森美 (onsem...
Analog Devices Inc. ADG6412開關(guān)IC數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. ADG6412開關(guān)IC由四個(gè)獨(dú)立的單刀單擲(SPST)開關(guān)和N溝道擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(NDMOS)開關(guān)組成。S...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達(dá)100V。高性能...
DRV8328三相BLDC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅(qū)動(dòng)器是一款集成柵極驅(qū)動(dòng)器,用于三相應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)...
DRV8231 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV8231 33V H橋驅(qū)動(dòng)器是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有N溝道H橋、電荷泵、電流檢測反饋、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電...
2025-09-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器N溝道H橋 993 0
?AFGBG70T65SQDC IGBT功率器件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N溝道場截止IV高速IGBT采用新型場截止第四代IGBT技術(shù)和第1.5代SiC肖特基二極管技術(shù)。...
onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場截止VII IGBT數(shù)據(jù)手冊
安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場截止VII IGBT采用新型第七代場截止IGBT技術(shù)和第七代二極管,封裝形式為...
TPS22995H-Q1汽車負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22995H-Q1汽車負(fù)載開關(guān)集成了19mΩ N溝道MOSFET,可在0.8V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)工作,最...
2025-09-02 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)N溝道 965 0
基于DRV8251的有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用
Texas Instruments DRV8251 4.1A有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一款集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,具有N溝道半橋、電荷泵、電流調(diào)節(jié)和保護(hù)電路。電荷泵通...
2025-09-22 標(biāo)簽:半橋N溝道電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 965 0
DRV8849雙路步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV8849雙路步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。該器件完全集成了四個(gè)N溝道功率MOSFET H橋驅(qū)動(dòng)器、一...
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