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標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個(gè)極,中間的電極為G極,兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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LM74701-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74701-Q1理想二極管控制器是符合AEC-Q100汽車類標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器。它采用外部N溝道MOSFET...
STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)...
探索 onsemi NVMJD010N10MCL 雙N溝道MOSFET的卓越性能
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解 onsemi 推出的一款雙 N 溝道...
Texas Instruments TPS22991低RON單通道負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments TPS22991低R~ON~ 單通道負(fù)載開關(guān)具有受控的轉(zhuǎn)換速度。該器件支持3A最大連續(xù)電流,并包含一個(gè)可在1.0V至...
2025-07-17 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)單通道 879 0
TPS22963/64負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22963/64負(fù)載開關(guān)是一款具有受控接通功能的小型超低R~ON~負(fù)載開關(guān)。該器件采用低R~DSON~ N溝道...
2025-09-10 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)N溝道 879 0
德州儀器CSD16321Q5功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFE...
STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非...
STMicroelectronics L99MH98汽車用八通道半橋前置驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
STMicroelectronics L99MH98汽車用八通道半橋前置驅(qū)動(dòng)器可控制多達(dá)16個(gè)N溝道MOSFET,用于直流電機(jī)控制應(yīng)用,例如汽車電動(dòng)座...
MAX14922帶限流功能的高端開關(guān)控制器技術(shù)手冊
概述 MAX14922是一款高側(cè)、n溝道FET控制器,用于實(shí)現(xiàn)工業(yè)高側(cè)開關(guān),以進(jìn)行接地負(fù)載開關(guān)操作。MAX14922器件控制一個(gè)外部nMOS功率晶體管,...
?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器深度解析與設(shè)計(jì)指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...
TPS2295x-Q1汽車級(jí)負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS2295x-Q1單通道負(fù)載開關(guān)具有受控導(dǎo)通功能。該器件包含一個(gè)N溝道MOSFET,可支持最大5A的連續(xù)電流,并...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)單通道 764 0
基于LM74501-Q1的汽車電子反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)
Texas Instruments LM74501-Q1汽車用反向極性保護(hù)控制器與外部N溝道MOSFET搭配使用,可實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)解決方案LM74...
Texas Instruments DRV816x半橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments DRV816x半橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器是集成式100V器件,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器集成了一個(gè)雙向低...
2025-07-10 標(biāo)簽:MOSFETN溝道柵極驅(qū)動(dòng)器 749 0
探索 NTMFS3D0N08X:高性能 N 溝道功率 MOSFET 的卓越之選
在電子工程領(lǐng)域,功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著各類電子設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的 NTMFS3...
中科微電車規(guī)MOS管ZK60G270G:特性解析與應(yīng)用場景
MOS管作為汽車電子系統(tǒng)中電能轉(zhuǎn)換與精準(zhǔn)控制的核心樞紐,在汽車電動(dòng)化、智能化轉(zhuǎn)型中扮演著不可替代的角色。其憑借電壓控制特性帶來的快速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻...
2025-09-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管N溝道 734 0
探索NVMJD010N10MCL:高性能雙N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NVMJD010N1...
安森美NVMJS3D0N06C單通道N溝道MOSFET深度解析
在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天我們要深入探討的是安森美(onsemi)推出的NVMJ...
Texas Instruments LM74680理想二極管橋控制器數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LM74680理想二極管橋控制器通過驅(qū)動(dòng)呈全橋配置的四個(gè)N溝道MOSFET來整流電壓 。該控制器可實(shí)現(xiàn)更低的壓降和...
?STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STDRIVEG210半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...
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