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標(biāo)簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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NAND閃存相關(guān)產(chǎn)品Q2季度或?qū)⒊霈F(xiàn)階段性短缺
這幾年,DRAM內(nèi)存、SSD固態(tài)硬盤的價格一直不太穩(wěn)定,起起落落非常頻繁,而在近期,全球半導(dǎo)體行業(yè)各種供應(yīng)緊張,到處都在缺缺缺、漲漲漲。
韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造
據(jù)報道,韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(S...
DRAM大廠第三季對DDR5再度調(diào)漲,價格將上漲15%以上
8月20日最新供應(yīng)鏈動態(tài)揭示,DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)行業(yè)巨頭計劃在第三季度對DDR5產(chǎn)品實施新一輪的價格上調(diào),預(yù)計漲幅將超過15%。此次調(diào)價背后...
三星霸權(quán)存儲器市場,將超越英特爾,成為全球第一大半導(dǎo)體廠商
三星在存儲器上瘋狂投入,是進(jìn)一步擠壓現(xiàn)有競爭對手生存空間,也有震懾新生的中國存儲器廠商之意,如果2018年中國廠商存儲器產(chǎn)品順利量產(chǎn),價格戰(zhàn)難以避免。
今日看點丨蘋果著手開發(fā)M4芯片,采用臺積電2納米或3納米制程升級版;三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價談判
1. 三星擬與下游廠商就NAND 閃存漲價談判,目標(biāo)漲價15~20% ? 近日,有報道稱三星計劃在本月至下月期間,同主要移動端、PC 端、服務(wù)器端客戶就...
全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片,旨在把握人工智能(AI)浪潮帶來的存儲設(shè)備市場快速增長...
傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能 消息人士周三透露,東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mi...
據(jù)可靠消息,SK海力士已重新啟動向Meta(原Facebook)的數(shù)據(jù)中心供應(yīng)固態(tài)硬盤(SSD)的業(yè)務(wù)。此前,由于Meta延遲訂購,與Fadu合作贏得的...
3月7日消息,雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者,但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者,并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。
NAND Flash封裝模組短缺 大容量消費級SSD價格或許會大幅上漲
1月23日消息,據(jù)外媒Tom’s Hardware報導(dǎo),有市場人士表示,由4個或8個NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求,特別是大...
據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND)閃存芯片。
iPhone 15 Pro Max分析:比前代高37.7美元、OLED屏下降4%
市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 近日發(fā)布報告,表示蘋果 iPhone 15 Pro Max 的物料成本,相比較 增加了 37....
蘋果將在iPhone中運用QLC NAND閃存技術(shù)
據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒...
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。...
良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造...
這一價格調(diào)整的背后,實際上反映出市場需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實情況。
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