nand閃存

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

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存儲技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別，并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND閃存 1.5k 0

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存 PCIe 固態(tài)硬盤 1.5k 0

消息稱西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)出“漲價通知”

西部數(shù)據(jù)方面還說：“公司目前市場供求調(diào)節(jié)環(huán)境適應(yīng)生產(chǎn)能力，因此，對規(guī)劃的需要和肥肉訂購“比較難”的即時反應(yīng)，因此顧客重新檢查一遍自己的訂單情況，抓緊與公...

2023-12-07 標(biāo)簽：NAND閃存機械硬盤西部數(shù)據(jù) 1.4k 0

傳蘋果已暫停采用長江存儲NAND閃存芯片的計劃

10月17日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》報道，雖然蘋果此前已確認(rèn)正在測試在iPhone產(chǎn)品中導(dǎo)入中國長江存儲（YMTC）的NAND Flash閃存芯片，但是現(xiàn)在...

2022-10-25 標(biāo)簽：芯片 NAND閃存長江存儲 1.4k 0

江波龍子公司確認(rèn)參展2024臺北國際電腦展

元信電子將展示江波龍的多種企業(yè)級存儲解決方案，如96GB DDR5 RDIMM內(nèi)存條以及采用國產(chǎn)128層TLC NAND閃存顆粒的ORCA 4836/U...

2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤江波龍 1.4k 0

西部數(shù)據(jù)計劃剝離NAND與SSD業(yè)務(wù)，估值或達數(shù)百億美元

近日，西部數(shù)據(jù)宣布了一項重大戰(zhàn)略調(diào)整，計劃將其NAND閃存和固態(tài)硬盤（SSD）業(yè)務(wù)從現(xiàn)有架構(gòu)中剝離出來，形成兩個獨立的業(yè)務(wù)部門。此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注...

2024-08-22 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 1.4k 0

鎧俠2023財年營收10766億日元，同比下滑16%，連續(xù)兩年虧損

　由于產(chǎn)品平均售價大幅度下滑，鎧俠在2023財政年度錄得凈虧損高達2437億日元（約合人民幣113.32億元），較去年同期擴大了105.6%，凈虧損率高...

2024-05-16 標(biāo)簽：操作系統(tǒng)NAND閃存固態(tài)硬盤 1.4k 0

西部數(shù)據(jù)分拆存儲業(yè)務(wù)：閃存與傳統(tǒng)硬盤的分離

自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商...

2024-03-06 標(biāo)簽：驅(qū)動器 NAND閃存西部數(shù)據(jù) 1.4k 0

存儲芯片大跌的寒風(fēng)究竟要刮到何時？

2023行至過半，存儲芯片大跌的寒風(fēng)依舊凜冽，DRAM加速降價、NAND閃存價格多輪下探、SSD也同步滑落，至于這場大風(fēng)究竟要刮到何時未曾可知。

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DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。在DRAM方面，消費者需求在...

2025-02-07 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存 NAND閃存 1.4k 0

長江存儲在美起訴美光指控侵犯8項3D NAND專利

長江存儲在專利侵害訴訟場主張說：“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長江低利的專利革新?！遍L江存儲訴訟稱，美光使用長江存儲的專利技術(shù)，從與長江...

2023-11-12 標(biāo)簽：美光 NAND閃存長江存儲 1.4k 0

三星巨額投資3D NAND閃存,占據(jù)整個半導(dǎo)體行業(yè)的33%

三星的開支計劃到底有多么兇猛？IC Insights預(yù)計，三星2017年第四季度的半導(dǎo)體資本支出為86億美元，將占到整個半導(dǎo)體行業(yè)的33%（整個行業(yè)第四...

2017-11-15 標(biāo)簽：英特爾三星電子臺積電 1.3k 0

三星喊NAND季季漲價20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運營

　據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱，三星繼本季度將nand閃存價格上調(diào)10至20%后，決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand...

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東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品

新產(chǎn)品符合最新的e.MMCTM標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設(shè)備。

2018-09-04 標(biāo)簽：東芝嵌入式 nand閃存 1.3k 0

美光DRAM與NAND閃存產(chǎn)品線豐富，QLC顆粒已占總量2/3

　在產(chǎn)品方面，美光引領(lǐng)行業(yè)實現(xiàn)32Gb單層架構(gòu)的128GB服務(wù)器內(nèi)存，并預(yù)計在未來六個月內(nèi)帶來數(shù)億美元的營收。此外，在高速性能更高的MRDIMM領(lǐng)域，美...

2024-03-22 標(biāo)簽：服務(wù)器美光 NAND閃存 1.3k 0

中芯國際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國際方面表示：“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點，已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?！蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機等的閃存卡...

2023-10-17 標(biāo)簽：中芯國際存儲器 NAND閃存 1.3k 0

三星承諾持續(xù)深耕中國市場，致力于成為中國人民首選的企業(yè)

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2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存折疊屏手機三星 1.3k 0

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近日，據(jù)韓媒報道，三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第...

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TrendForce：原廠成功拉漲Wafer合約價，現(xiàn)貨市場出現(xiàn)短期漲勢

kioxia和美光公司從2022年第四季度開始減產(chǎn)，而三星公司直到今年第二季度才開始減產(chǎn)，因此減產(chǎn)效果可能要到今年下半年才能顯現(xiàn)出來。根據(jù)trendfo...

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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