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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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3D NAND閃存技術(shù)未來發(fā)展趨勢(shì)分析

日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。

2020-11-19 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 NAND 3D 3.9k 0

3大危機(jī)發(fā)酵？蘋果公司再度雪上加霜，網(wǎng)友：坑完用戶坑開發(fā)者！

2018年時(shí)光飛逝，氣溫逐漸下降，而對(duì)于蘋果公司來說就猶如天氣般，多項(xiàng)危機(jī)接踵而至，讓蘋果公司也進(jìn)入了嚴(yán)寒冬季。蘋果公司曾是所有人的寵兒，如今，蘋果好...

2018-11-27 標(biāo)簽：NAND 3.9k 0

NAND價(jià)格崩盤，出現(xiàn)價(jià)格下調(diào)

如果價(jià)格崩盤，那么固態(tài)硬盤(SSD)的價(jià)格有望跌至 8 美分 / GB 。Handy 在上周舉行的閃存峰會(huì)上表示，即使沒有“全線潰敗”，經(jīng)濟(jì)衰退也將導(dǎo)致...

2018-08-20 標(biāo)簽：NAND SSD 3.9k 0

突破國外專利封鎖,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將于今年8年推出Xtacking 2.0

湯強(qiáng)在峰會(huì)上表示將于今年8年推出Xtacking 2.0。

2019-05-17 標(biāo)簽：NAND 專利 3.9k 0

簡(jiǎn)述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級(jí)應(yīng)用中的一個(gè)限制么？

2021-04-01 標(biāo)簽：閃存 NAND emc 3.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工 128層技術(shù)將按計(jì)劃在2020年推出

4月8日零時(shí)，武漢市正式解除離漢離鄂通道管控措施，而位于武漢的國家存儲(chǔ)器基地長(zhǎng)江存儲(chǔ)的研發(fā)進(jìn)展以及受疫情影響情況受到業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注。

2020-04-08 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.9k 0

慧榮科技第三季度SSD同比增長(zhǎng)45% 單季營收創(chuàng)下新高

據(jù)消息，近日慧榮科技（NasdaqGS： SIMO）公布2019年第三季財(cái)報(bào)，第三季營收1億1，317萬美元，較上一季大幅成長(zhǎng)20%，毛利率49.8%...

2019-11-15 標(biāo)簽：NAND SSD 3.8k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程光谷是希望之地

按照計(jì)劃，今年四季度，設(shè)備有望點(diǎn)亮投產(chǎn)。紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁、長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全透露，今年將量產(chǎn)的產(chǎn)品，是去年成功研發(fā)的中國首顆32層三維NAN...

2018-04-23 標(biāo)簽：nand 紫光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.8k 0

原廠96層3D NAND技術(shù)發(fā)展，后續(xù)SSD價(jià)格將持續(xù)下滑趨勢(shì)

近期，受匯率波動(dòng)，以及部分渠道貨源受限等因素影響，SSD市場(chǎng)供貨有所減少，但是由于市場(chǎng)需求表現(xiàn)一般，本周（7月24日）SSD價(jià)格維持不變的行情走勢(shì)。

2018-09-04 標(biāo)簽：NAND SSD 3.8k 0

賽普拉斯攜手海力士建NAND閃存合資公司

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，與海力士半導(dǎo)體公司成立合資公司。

2018-11-07 標(biāo)簽：閃存 NAND 賽普拉斯 3.8k 0

體內(nèi)芯片代替員工卡，是便捷還是侵犯隱私？

據(jù)報(bào)道，近日臺(tái)灣聯(lián)華電子在其公司網(wǎng)站上發(fā)布有關(guān)近期和美光及美國法律案件的后續(xù)聲明，表示聯(lián)華電子的DRAM技術(shù)基礎(chǔ)里的元件設(shè)計(jì)，是完全不同于美光公司的設(shè)計(jì)...

2018-11-16 標(biāo)簽：芯片 NAND 臺(tái)積電 3.8k 0

武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

根據(jù)科技新報(bào)取得的消息，武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠，而非市場(chǎng)謠傳的 DRAM 廠。

2016-03-22 標(biāo)簽：NAND 半導(dǎo)體芯片武漢新芯 3.8k 0

三星西安閃存工廠全面投產(chǎn) 三星穩(wěn)居市場(chǎng)第一

全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出，將達(dá)到299億美元，較去年的277億美元增加22億美元，同比增長(zhǎng)8%。

2022-04-02 標(biāo)簽：NAND 三星電子 3.8k 0

存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年上半年？

如果存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑，DRAM與NAND閃存的銷售額，還能否達(dá)到預(yù)期就存在變數(shù)。研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)今年全球DRAM的銷售額，將達(dá)到645.55億美元，同比增長(zhǎng)...

2020-08-17 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 3.8k 0

存儲(chǔ)市場(chǎng)動(dòng)蕩行業(yè)龍頭企業(yè)又如何順勢(shì)和逆勢(shì)

三星是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的霸主，其一舉一動(dòng)將影響到整個(gè)行業(yè)。DRAM內(nèi)存是三星目前的“搖錢樹”，就算市場(chǎng)趨勢(shì)是降價(jià)，但是三星必將逆勢(shì)而為，通過降產(chǎn)控量的方式確保自...

2019-01-18 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 3.8k 0

2019年第一季度世界存儲(chǔ)器產(chǎn)品營收為271.24億美元下降26.8%

2019年第一季度，世界存儲(chǔ)器（DRAM和NAND）產(chǎn)品營收額為271.24億美元，與2018年第四季度相較下降26.8%。

2019-06-05 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 3.8k 0

美光公司發(fā)布了2018財(cái)年Q3季度財(cái)報(bào),創(chuàng)造了美光季度營收新高

根據(jù)美光的財(cái)報(bào)信息，受益于eMMC、eMCP市場(chǎng)，美光高價(jià)值移動(dòng)NAND閃存營收環(huán)比幾乎翻倍，其中85%都是TLC閃存類型，去年同期比例不足1%。此外，...

2018-06-27 標(biāo)簽：閃存 NAND 3.8k 0

國產(chǎn)大容量SSD喜訊！紫光宣布重磅突破

紫光集團(tuán)存儲(chǔ)芯片戰(zhàn)略規(guī)劃，紫光宏茂自2018年4月起，開始建設(shè)全新3D NAND封裝測(cè)試產(chǎn)線，組建團(tuán)隊(duì)，研發(fā)先進(jìn)封測(cè)技術(shù)。

2019-01-12 標(biāo)簽：芯片 NAND 紫光 3.8k 0

2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性，6月NAND Flash價(jià)格呈下滑趨勢(shì)

NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后，2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性，在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下，NAND Fla...

2018-08-11 標(biāo)簽：NAND SSD 3.8k 0

2018年全球SSD出貨量突破2億臺(tái)大關(guān) 普及率有望再上一個(gè)臺(tái)階

2018年NAND Flash價(jià)格大幅下跌，隨著每GB價(jià)格跌到0．1美元，480GB－512GB的固態(tài)硬盤（SSD）與1TB的機(jī)械硬盤（HDD）價(jià)格相差...

2019-03-02 標(biāo)簽：NAND SSD 3.8k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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嵌入式閃存

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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