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武漢新芯投資240億美元建NAND Flash 廠

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2015-10-22 08:19:57759

中國(guó)NAND Flash制造的現(xiàn)狀、發(fā)展與機(jī)會(huì)

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2016-04-18 11:05:393974

武漢能拯救國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)?沒(méi)那么簡(jiǎn)單!

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2016-04-18 14:33:325043

紫光/武漢布局NAND Flash 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)能閃耀

中國(guó)大陸廠商在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示,隨著紫光國(guó)(原同方國(guó)投資
2016-04-26 09:32:001672

武漢為何選擇3D NAND芯片作為突破口?

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紫光攜手武漢再跟美光談授權(quán)面臨的三大挑戰(zhàn)

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東芝與西數(shù)投巨資擴(kuò)產(chǎn)3D Nand Flash產(chǎn)能 雷軍意外現(xiàn)身開(kāi)幕式

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紫光趙偉國(guó):投資240美元武漢存儲(chǔ)器12月動(dòng)工

正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示,由紫光參與投資總額達(dá)240美元武漢存儲(chǔ)器芯片將于12月初動(dòng)工。這項(xiàng)投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無(wú)力生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的局面,完工后預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能達(dá)30萬(wàn)片,2030年躍升至100萬(wàn)片,成世界級(jí)存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:591292

紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體武漢動(dòng)工 總投資240美元

中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過(guò)240美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó):“我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經(jīng)正式動(dòng)工..."
2017-01-03 09:30:271310

三星未來(lái)兩年或追投西安3D NAND43美元

據(jù)海外媒體報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5美元),以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519

3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182

3D NAND良率是NAND Flash市場(chǎng)最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報(bào)道,去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求,主要關(guān)鍵在于上游原全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND,但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期,2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小,NAND Flash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題,價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371739

三星將投資70美元擴(kuò)大中國(guó)NAND閃存芯片產(chǎn)能

據(jù)Bloomberg消息,世界上最大的內(nèi)存芯片制造商三星電子公司將投資70美元用于中國(guó)半導(dǎo)體工廠,以滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)智能手機(jī)和其他設(shè)備使用的NAND閃存的需求。
2017-08-29 09:39:441501

IC設(shè)計(jì)門檻墊高 NAND Flash控制晶片進(jìn)入1X奈米時(shí)代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片群聯(lián)電子(8299)董事長(zhǎng)潘健成表示,由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、所需人力及銀彈越來(lái)越高,因此如果只賣IC,生意不好做,要賺錢變得更困難,NAND Flash控制晶片已正式進(jìn)入1X奈米時(shí)代。
2018-09-21 11:50:424615

芯片投資最新盤點(diǎn)!國(guó)家大基金二期投資深圳 三星170美元投資美國(guó)芯片

芯片投資一直在中國(guó)、美國(guó)、日本持續(xù)進(jìn)行,最新國(guó)家大基金二期通過(guò)旗下中控股出資 5.313 美元入股中深圳,三星為了和臺(tái)積電比拼,準(zhǔn)備在美國(guó)德州投資170美元,建立5nm晶圓代工廠,臺(tái)積電也在
2021-11-24 09:16:108877

NAND Flash和NOR Flash的差別

NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢?從字面意思上看, NAND = not AND(與非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:2311631

NAND FLASH與NOR FLASH的技術(shù)對(duì)比

目前,NOR FLASHNAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:002967

NAND Flash的基本原理和結(jié)構(gòu)

NAND Flash是什么?NAND Flash(閃存)是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),主要用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)的DRAM或SRAM不同,NAND Flash在斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它通過(guò)電荷的存儲(chǔ)與釋放來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
2025-09-08 09:51:206275

六大NAND FLASH廠商產(chǎn)業(yè)營(yíng)收詳情匯總

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,2020年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為141美元,季減2.9%。該季度全球前六大NAND FLASH品牌廠商分別為三星電子、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光與英特爾。
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193 nm ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)

45 nm、300 mm晶圓廠量產(chǎn)45 nm MPU:(1)美國(guó)俄勒岡州Fab PID,2007年下半年量產(chǎn);(2)美國(guó)亞利桑那州Fab 32,投資30美元,2007年末量產(chǎn);(3)以色列Fab
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NAND Flash的儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)與接口設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33

AMD正收購(gòu)Xilinx,規(guī)?;虺?00美元

網(wǎng)人士稱,這項(xiàng)交易最快可能在下周敲定。目前,賽靈思的市值約為260美元,今年以來(lái)該公司股價(jià)累計(jì)上漲約9%,略高于標(biāo)普500指數(shù)7%的漲幅。而AMD股價(jià)在今年累計(jì)上漲了 89%,目前的市值超過(guò)
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國(guó)內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

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清華紫光與武漢組最強(qiáng)CP 劍指美光

NAND-Flash的拓荒者的角色,今年三月還宣布投資240,用來(lái)研究生產(chǎn)NAND FLASH和DRAM。通過(guò)此次并購(gòu),武漢將獲得清華紫光強(qiáng)大的財(cái)力和完整的產(chǎn)業(yè)鏈,組成中國(guó)強(qiáng)大的“NAND Flash”CP,迎戰(zhàn)
2016-07-29 15:42:37

盤點(diǎn):日本被動(dòng)元件大廠投資設(shè)廠的最新進(jìn)展

(約合4.43美元)提升中國(guó)天津產(chǎn)能,新廠規(guī)劃2020年中之后放量生產(chǎn),助力其車電領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)劃。資料顯示,三星電機(jī)將在天津擴(kuò)建車規(guī)生產(chǎn)線,初期投資額為5000韓元,該部分金額只包含土地、大樓
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董明珠10投資芯片公司,格力造“”來(lái)真的

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比亞迪擬投資33美元陜西太陽(yáng)能電池基地

比亞迪擬投資33美元陜西太陽(yáng)能電池基地  據(jù)國(guó)外媒體昨日?qǐng)?bào)道,中國(guó)汽車和電池廠商比亞迪計(jì)劃未來(lái)5年投資33美元,在陜西建造中國(guó)最大的太陽(yáng)能電池基地。
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力晶投資1500萬(wàn)美元赴徐州設(shè)LED  新浪科技訊 3月4日早間消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,DRAM內(nèi)存大廠力晶昨(3)日公告,將前往大陸江蘇徐州投資1500萬(wàn)美元(約新臺(tái)幣4.8元)
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三星閃存布局中國(guó) 棋子將落何方?

三星計(jì)劃投資40美元在中國(guó)建NAND閃存。如此之大的項(xiàng)目對(duì)任何一個(gè)城市來(lái)說(shuō)都是一大誘惑。
2012-01-12 10:28:371346

全球IC版圖再生變數(shù):三星投資70美元在西安NAND

  有報(bào)道引用監(jiān)管機(jī)構(gòu)申請(qǐng)文件稱韓國(guó)電子巨頭三星電子宣布將在西安投資70美元一座NAND晶圓廠。
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NAND Flash供貨下降,三月上旬合約價(jià)上漲

受到NAND Flash對(duì)通路市場(chǎng)客戶持續(xù)緊縮供貨下,三月上旬NAND Flash合約價(jià)呈現(xiàn)上漲的走勢(shì),特別是在低容量MLC與TLC部分,漲幅高達(dá)10%以上水平。
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NAND Flash應(yīng)用分布概況

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NAND_Flash結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)分析

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2016-03-17 14:14:0137

打造先進(jìn)存儲(chǔ)芯片 紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢多數(shù)股權(quán)

紫光集團(tuán)已收購(gòu)武漢集成電路制造有限公司多數(shù)股權(quán)。之前,武漢曾打造規(guī)模為240美元的存儲(chǔ)芯片制造中心?,F(xiàn)在中國(guó)建造先進(jìn)存儲(chǔ)芯片工廠的兩大主要項(xiàng)目已進(jìn)行了合并。
2016-07-26 19:33:091538

英特爾牽手大連市政府生產(chǎn)Nand flash芯片

英特爾投資 55 美元轉(zhuǎn)型建造的大連 NAND Flash 廠房已完工,并于 25 日正式投產(chǎn)。報(bào)導(dǎo)指稱,位于遼寧省大連市金普新區(qū)的該廠區(qū),為全球首座以 12 寸(300mm)晶圓生產(chǎn) NAND Flash 的制造中心,目前有逾千名英特爾員工與數(shù)千名設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)正加緊工作,以期早日量產(chǎn)。
2016-08-17 17:34:521284

Allwinner Technology Nand Flash Support List

Allwinner Technology Nand Flash Support List—全志科技NAND Flash支持列表。
2016-09-26 16:31:142

大眾或投資100歐元電池,規(guī)模超特斯拉Gigafactory

大眾汽車集團(tuán)擬投資100歐元,在德國(guó)建立一座鋰離子電池生產(chǎn)。該項(xiàng)目有望超過(guò)特斯拉千兆工廠(Gigafactory),成為史上最大電池。
2016-11-02 17:19:44788

新思科技全球研發(fā)武漢產(chǎn)業(yè)園 預(yù)計(jì)2019年建成投用

昨日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司美國(guó)新思科技,在武漢未來(lái)科技城動(dòng)全球研發(fā)武漢產(chǎn)業(yè)園。另悉,總投資達(dá)1600元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)器項(xiàng)目,也將于本月在未來(lái)科技城動(dòng)工。這兩大集成電路項(xiàng)目,將引領(lǐng)湖北邁入“硅時(shí)代”。
2016-12-13 11:53:231055

SK海力士砸27美元擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限,供需失衡下,DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢(shì)翻轉(zhuǎn),而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下,同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:381279

中韓NAND Flash軍備競(jìng)賽再起 2018年或供過(guò)于求

儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)軍備競(jìng)賽再起,南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27美元),在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢,也預(yù)定本月底正式動(dòng)土,都為2018年供給過(guò)于求再現(xiàn),埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09774

紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體武漢動(dòng)工 總投資240美元

 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過(guò)240美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 15:37:521032

盤點(diǎn)+分析:Flash2016年財(cái)報(bào)

2016年市場(chǎng)NAND Flash持續(xù)缺貨,據(jù)分析,到2016年底NAND Flash每GB價(jià)格已回升到2014年底水平,至0.25美元/GB,價(jià)格的飛速且大幅上漲不僅對(duì)市場(chǎng)造成了巨大影響,想必也有助于Flash三星、東芝、SK海力士、美光等營(yíng)收和利潤(rùn)的增長(zhǎng),但實(shí)際上大多數(shù)都不如2015年。
2017-01-17 15:39:531156

Hynix NAND flash型號(hào)指南

Hynix NAND flash型號(hào)指南
2017-10-24 14:09:2925

紫光\興聯(lián)合投資1美元開(kāi)建SSD固態(tài)硬盤開(kāi)發(fā)、制造工廠

興、紫光集團(tuán)今天聯(lián)合宣布,將聯(lián)合投資1美元,在中國(guó)蘇州興建一座SSD固態(tài)硬盤開(kāi)發(fā)、制造工廠。根據(jù)合作協(xié)議,紫光將出資5500萬(wàn)美元,占股55%,指派三位董事會(huì)成員,興則出資4500萬(wàn)美元,占股45%,指派兩位董事會(huì)成員。
2018-01-07 23:35:218530

三星欲投60美元芯片 爭(zhēng)搶臺(tái)積電的份額

三星準(zhǔn)備死磕臺(tái)積電,近日?qǐng)?bào)道三星投60美元芯片,其主要目的是擴(kuò)大代工業(yè)務(wù),準(zhǔn)備爭(zhēng)搶臺(tái)積電的份額。據(jù)悉工廠的建設(shè)將在明年下半年完成。
2018-02-24 11:45:521086

武漢走向下坡路

武漢于2006年由武漢政府出資100人民幣新建的半導(dǎo)體代工廠,2008年開(kāi)始量產(chǎn)。武漢和中國(guó)際之間還有一段剪不斷理還亂的恩恩怨怨,建廠之初,由于缺乏人財(cái)和技術(shù),武漢和中國(guó)際就簽訂了托管協(xié)議,由中國(guó)際給予武漢以包括生產(chǎn)技術(shù)和人才在內(nèi)的援助。
2018-04-28 09:05:0125821

7納米面臨較長(zhǎng)更新?lián)Q代周期

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主要攻關(guān)3D NAND閃存芯片工藝量產(chǎn),計(jì)劃共建三座3D-NAND Flash廠房???b class="flag-6" style="color: red">投資240美元,其中,第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè),計(jì)劃2018年投產(chǎn),2020年形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的規(guī)模。
2018-05-23 18:11:357990

DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈

隨著上游NAND Flash的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出,且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線,今年以來(lái)高容量SSD價(jià)格持續(xù)下滑,6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價(jià)已降至40~43美元
2018-06-26 15:39:494535

上半年全球風(fēng)電投資達(dá)572美元,太陽(yáng)能投資716美元

根據(jù)彭博社新能源財(cái)經(jīng)最新發(fā)布的清潔能源投資報(bào)告,今年上半年,全球風(fēng)電投資累計(jì)達(dá)到572美元,同比增長(zhǎng)33%。但是,太陽(yáng)能投資同比下降19%至716美元
2018-07-11 15:39:001368

三星意圖拉大與對(duì)手間的差距,2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90美元

韓國(guó)業(yè)界最近指出,三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90美元,預(yù)計(jì)將以韓國(guó)平澤、中國(guó)西安為主,擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模,期望拉大與其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631

5G投資風(fēng)口 中國(guó)竟比美國(guó)多出240美元

據(jù)CNBC網(wǎng)站北京時(shí)間8月7日?qǐng)?bào)道,德勤咨詢公司今天發(fā)布研究報(bào)告稱,中國(guó)近幾年在5G技術(shù)上的投資比美國(guó)多出240美元,有望掀起一波令后者難以追趕的“海嘯”。
2018-08-08 10:54:173289

2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,6月NAND Flash價(jià)格呈下滑趨勢(shì)

NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后,2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,在原擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Flash基本已回到2016年的價(jià)格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:003365

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來(lái)新變量

2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌,由于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)平緩,業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢(shì),隨著國(guó)際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆疊,2019年QLC(Quad-Level
2018-08-29 17:46:267373

武漢啟動(dòng)二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目 總投資17.8美元 十一年終扭虧

8月28日,武漢二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)在東湖高新區(qū)召開(kāi),武漢市委副書記、代市長(zhǎng)周先旺出席會(huì)議并講話。他強(qiáng)調(diào),要加快突破重大核心技術(shù),加快打造“國(guó)之重器”,推動(dòng)“中國(guó)武漢造”早日成為現(xiàn)實(shí)。
2018-10-01 15:41:0010921

投資達(dá)10美元的杭州中晶圓大尺寸硅片項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)封頂正式完成

9月8日上午,總投資達(dá)10美元的杭州中晶圓大尺寸硅片項(xiàng)目正式完成主體結(jié)構(gòu)封頂工作。
2018-10-12 11:25:593464

再投240美元,紫光成都存儲(chǔ)器制造基地成又一個(gè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)!

再投240美元,紫光成都存儲(chǔ)器制造基地成又一個(gè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)! 繼2016年12月30日,紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè),項(xiàng)目總投資240美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家
2018-10-15 17:07:021241

存儲(chǔ)器原Q3業(yè)績(jī)搶眼,然NAND價(jià)格大跌超60%

NAND Flash價(jià)格跌幅持續(xù)擴(kuò)大的環(huán)境下,存儲(chǔ)器原Q3財(cái)報(bào)卻表現(xiàn)搶眼。其主要是因?yàn)槿恰⑻O果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級(jí),以及SSD向高容量轉(zhuǎn)移需求帶動(dòng)下,FlashNAND
2018-11-19 18:56:435301

紫光240美元!成都3D NAND Flash

紫光在四川布局宏大,總投資將超過(guò)2000
2019-07-01 11:32:083426

國(guó)際宣布將以1.13美元出售意大利8寸LFoundry于新買方

近日,中國(guó)際發(fā)布公告,將以1.13美元出售意大利8寸LFoundry于新買方,新買方為無(wú)錫錫產(chǎn)微半導(dǎo)體有限公司。
2019-07-01 16:43:223850

三星將在2010年前向IC投資240美元

據(jù)路透社周一報(bào)道,韓國(guó)三星電子有限公司表示,如果其集成電路和平板顯示器領(lǐng)域出現(xiàn)一些裂縫,它將在2010年前向其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)投資240美元( 12月6日)。韓國(guó)公司芯片業(yè)務(wù)總裁黃昌圭在報(bào)告中表示,其
2019-09-01 08:26:001993

華為怒砸56手機(jī)以提速?zèng)_刺

華為誓要成為全球第一智能手機(jī)廠商!怒砸56手機(jī):提速?zèng)_刺
2019-08-18 11:54:032965

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND新一輪軍備競(jìng)賽又將開(kāi)始

的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn)晶圓,慢新產(chǎn)線。下半年開(kāi)始NAND Flash價(jià)格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光等原又再次掀起了新一輪的軍備競(jìng)賽,一些新的工廠開(kāi)始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營(yíng),這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)什么變化?又是否是中國(guó)的機(jī)遇?
2019-10-12 10:01:221136

NOR Flash市場(chǎng)回暖,武漢有望打破NOR Flash市場(chǎng)格局

在國(guó)內(nèi)NOR Flash中,武漢集成電路制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“武漢”)近期宣布推出基于50nm Floating Gate工藝的SPI NOR Flash產(chǎn)品系列XM25QWxxC,為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì)方案。
2019-12-27 14:15:295270

浦項(xiàng)化學(xué)投資2000多韓元人造石墨負(fù)極生產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,浦項(xiàng)化學(xué)30日召開(kāi)董事會(huì)會(huì)議,決定投資2177韓元建立新的人造石墨負(fù)極生產(chǎn)。
2020-03-30 15:28:182795

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁(yè)構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁(yè)
2020-07-22 11:56:266212

NAND Flash鎧俠重新申請(qǐng)上市

日刊工業(yè)新聞報(bào)道,全球第二大NAND Flash鎧俠(Kioxia,原東芝存儲(chǔ)器)近期將重新申請(qǐng)上市,預(yù)計(jì)最早將于今年12月在東京證券交易所掛牌上市。此外,生產(chǎn)主力的日本四日市工廠擴(kuò)建計(jì)劃也將提前
2020-10-13 11:39:412620

擎科技總部正式落戶武漢,其首款7nm車規(guī)級(jí)芯片將明年發(fā)布

繼去年4月,投資90元的吉利控股的高端整車項(xiàng)目落戶湖北武漢經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)之后,去年12月,吉利集團(tuán)旗下的注冊(cè)資本高達(dá)1.5美元咖通(武漢)科技有限公司也落戶武漢,2020年10月20日,吉利控股旗下的汽車芯片設(shè)計(jì)企業(yè)——擎科技的總部也正式落戶湖北武漢經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)。
2020-10-22 09:31:383507

NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:085421

英特爾向越南封測(cè)工廠追加投資4.75美元

1月26日,英特爾官網(wǎng)宣布,已向越南封測(cè)工廠Intel Products Vietnam(IPV)追加投資4.75美元。這項(xiàng)新投資是繼英特爾于2006年宣布在西貢高科技園區(qū)(SHTP)投資10美元打造先進(jìn)芯片封測(cè)之后的又一項(xiàng)投資。這使英特爾在越南工廠的總投資達(dá)到15美元
2021-01-29 17:07:432886

2020年第四季度NAND Flash市場(chǎng)銷售收入達(dá)141美元

根據(jù)CFM研究顯示,NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模在三季度創(chuàng)下近兩年來(lái)的收入高峰后,由于服務(wù)器市場(chǎng)主要OEM客戶庫(kù)存繼續(xù)調(diào)整使得需求相對(duì)疲軟,再加上NAND Flash平均價(jià)格的下滑,2020年四季度全球NAND Flash市場(chǎng)銷售收入環(huán)比減少3.3%至141美元。
2021-02-24 08:59:583487

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開(kāi)發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL(NAND Flash Translation Layer)和FAT類文件系統(tǒng)來(lái)解決NAND Flash存儲(chǔ)的問(wèn)題。
2021-07-30 10:41:299

Intel斥資200美元芯片工廠

  Intel公司官方日前正式宣布將斥資200美元在美國(guó)亞利桑那州芯片工廠,目前已經(jīng)投資開(kāi)工,美國(guó)亞利桑那州將成為Intel最重要的芯片生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)將在2023年正式問(wèn)世。
2021-09-28 17:46:052726

SPI Nand Flash簡(jiǎn)介

1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1735

NOR falsh、NAND flash、SDEMMC、QSPI flash、SPI flash

1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開(kāi),可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能,可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來(lái)擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址線
2021-12-02 12:21:0630

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4617

NOR FlashNAND FLASH的區(qū)別是什么

使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同,Flash Memory主要可以分為NOR FlashNAND FLASH兩類。主要的差異如下所示: NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1262317

Nand Flash工作原理

FLASH芯片分為Nor FlashNand Flash,Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線,用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù),NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線,Nand Flash用來(lái)安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4534

NAND Flash 原理深度解析(下)

在上一篇文章中為大家介紹了NAND Flash的工作原理和自身的特性(點(diǎn)擊查看 ),本次文章將繼續(xù)為大家?guī)?lái)關(guān)于NAND Flash的內(nèi)容。 一、NAND Flash 的容量結(jié)構(gòu) 從訪問(wèn)NAND
2023-09-22 18:10:025190

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。
2023-11-30 13:53:203960

股份開(kāi)展SLC NAND Flash導(dǎo)入,已推出車規(guī)級(jí)產(chǎn)品

針對(duì)NAND Flash產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì),特別是SPI NAND Flash這一產(chǎn)品,東股份強(qiáng)調(diào)其具有電壓選擇靈活(包括3.3V和1.8V)及豐富封裝形式,如WSON、BGA等。另外,公司實(shí)施的單顆集成技術(shù),使得存儲(chǔ)陣列、ECC模塊以及接口模塊得以整合于同一芯片之中
2023-12-26 10:53:131666

高塔半導(dǎo)體擬在印度投資80美元芯片

近日,以色列領(lǐng)先的高塔半導(dǎo)體公司向印度政府遞交了一份引人矚目的提案。該公司計(jì)劃在印度投資高達(dá)80美元,建立一座先進(jìn)的芯片制造。這一戰(zhàn)略舉措旨在進(jìn)一步拓展其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的份額,并滿足印度及周邊地區(qū)對(duì)高質(zhì)量芯片的需求。
2024-02-21 14:03:261018

英特爾擬在美國(guó)投資1000美元,用于新建和擴(kuò)建芯片

英特爾公司近期公布了一項(xiàng)雄心勃勃的投資計(jì)劃,打算在美國(guó)俄亥俄州、新墨西哥州、俄勒岡州以及亞利桑那州共計(jì)投入高達(dá)1000美元,用于新建和擴(kuò)建芯片工廠。此次投資不僅得到了美國(guó)政府的鼎力支持,獲得了195美元的補(bǔ)貼和貸款,英特爾還期望能夠額外獲得250美元的稅收抵免。
2024-03-22 11:04:061128

谷歌計(jì)劃投資30美元數(shù)據(jù)中心

谷歌公司近日宣布了一項(xiàng)雄心勃勃的投資計(jì)劃,將斥資30美元用于建設(shè)和擴(kuò)展其數(shù)據(jù)中心園區(qū)。其中,弗吉尼亞州的數(shù)據(jù)中心將追加10美元投資,用于擴(kuò)建現(xiàn)有的三個(gè)園區(qū),使該州的總投資額超過(guò)40美元。
2024-05-06 11:30:56983

微軟斥資33美元AI數(shù)據(jù)中心

微軟近日宣布,將投資33美元在威斯康星州建設(shè)一座人工智能數(shù)據(jù)中心,選址恰為富士康曾經(jīng)的“爛尾”液晶顯示屏。此次投資不僅將推動(dòng)該州的人工智能技術(shù)發(fā)展,還將為當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)帶來(lái)深遠(yuǎn)影響。
2024-05-10 11:46:40999

首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期

近期,NAND Flash市場(chǎng)再次迎來(lái)重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n也將減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Flash的消息。這標(biāo)志著首次有韓國(guó)廠商加入減產(chǎn)行列
2025-01-07 14:04:06835

斥資5.75美元先進(jìn)封裝和光子學(xué)中心!

”的全流程制造能力。 ? ? 格馬耳他先進(jìn)封測(cè)中心的初期投資規(guī)模為 5.75?美元(IT之家備注:當(dāng)前約 41.98?元人民幣),未來(lái) 10?年還將為該中心的研發(fā)工作追加投資 1.86?美元(當(dāng)前約 13.58?元人民幣)。 ? 美國(guó)聯(lián)邦政府將為此對(duì)格追加提供 7500?萬(wàn)美元(當(dāng)
2025-01-22 14:54:55561

三星在存儲(chǔ)領(lǐng)域投資217美元,DDR5蓄勢(shì)待發(fā)

(約99美元)。報(bào)道稱此次投資將會(huì)主要集中在西安二期工廠和平澤P2工廠。據(jù)悉,存儲(chǔ)相關(guān)設(shè)備的投資已經(jīng)先行。br /nbsp;br /西安二期為NAND Flash工廠,目前已訂購(gòu)的設(shè)備將在今年6-7月交付產(chǎn)線用于生產(chǎn)128層V6 3D NAND。消息稱,西安二期工廠建成后合計(jì)月
2021-01-30 06:27:003363

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