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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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3D NAND Flash技術(shù)發(fā)展到極限,5年內(nèi)利潤(rùn)空間恐壓縮至零
日前SK海力士(SK Hynix)預(yù)料,3D NAND Flash發(fā)展到200層左右將達(dá)可生產(chǎn)性極限,5年內(nèi)利潤(rùn)空間恐壓縮至零,需業(yè)界合作開發(fā)新材料因應(yīng)。
供應(yīng)過(guò)剩 三星縮減DRAM庫(kù)存量
為了因應(yīng)截至去(2018)年第3季為止的半導(dǎo)體絕佳需求,三星將半導(dǎo)體庫(kù)存量維持在1.5-3個(gè)月左右水準(zhǔn)。
預(yù)計(jì)Q4季度NAND閃存市場(chǎng)漲幅10%,三星計(jì)劃增大投資
在連跌7個(gè)季度之后,NAND閃存市場(chǎng)將在今年底迎來(lái)轉(zhuǎn)機(jī),Q3季度閃存價(jià)格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄,預(yù)計(jì)Q4季度會(huì)由跌轉(zhuǎn)漲,漲幅約為10%。
NAND初創(chuàng)公司Fadu進(jìn)行蘋果供應(yīng)商資格審查
據(jù)韓媒報(bào)道,有業(yè)內(nèi)人士透露,韓國(guó)本土半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)Fadu正在進(jìn)行蘋果公司的供應(yīng)商資格認(rèn)證。
從下游需求結(jié)構(gòu)看國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)局勢(shì)
下游需求結(jié)構(gòu)來(lái)看,手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)以DRAM及NANDFlash為主,立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小...
3D NAND未來(lái)五年需求大好 但紫光在技術(shù)上仍存在瓶頸
全球 3D NAND 價(jià)格近來(lái)快速崩跌,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)打破國(guó)內(nèi)“零”存儲(chǔ)自制率之重任,以”光速”的氣勢(shì)加入這場(chǎng)存儲(chǔ)世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 ...
176層3D NAND預(yù)計(jì)明年4月量產(chǎn)
從全球范圍來(lái)看,NAND Flash廠商主要有三星、鎧俠、美光、英特爾、西部數(shù)據(jù)、SK海力士,以及中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的旺宏,以及國(guó)內(nèi)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、東芯...
2020-10-22 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體行業(yè) 3k 0
SD NAND與eMMC優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比
最近我們接觸到一些客戶,本來(lái)客戶計(jì)劃使用eMMC,但總覺(jué)得哪里不滿意。后來(lái)跟客戶做了深入溝通。你們真實(shí)的想要什么樣的eMMC呢?他們給出的答案有:尺寸最...
據(jù)報(bào)道,SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹,新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAN...
紫光國(guó)芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲(chǔ)控制器和物理接口IP
根據(jù)紫光國(guó)芯介紹,這個(gè)GDDR6 MC/PHY IP包括一個(gè)可配置的內(nèi)存控制器(MC),其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn),并允許設(shè)計(jì)工...
SK海力士收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)的意義
近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
諾獎(jiǎng) "選擇性失憶”? 存儲(chǔ)技術(shù)研究總成遺珠
1960 年時(shí)代,當(dāng)時(shí)主流的存儲(chǔ)技術(shù)為磁圈記憶體,但磁圈記憶體的體積大又耗電,拖累計(jì)算機(jī)的效能表現(xiàn),那時(shí)施敏在貝爾實(shí)驗(yàn)室的同事美籍韓裔科學(xué)家姜大元先研發(fā)...
2019-03-19 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)技術(shù)核心技術(shù) 3k 0
閃存和其他相關(guān)技術(shù)的未來(lái)將充滿希望
Coughlin Associates公司總裁Tom Coughlin對(duì)此表示同意,隨著設(shè)備使用更薄的層和層字符串技術(shù),層數(shù)將繼續(xù)增加。但是,這些層的薄...
NAND Flash實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新,即將跨入128層時(shí)代
日前,美光發(fā)布第二季度財(cái)報(bào),其在電話會(huì)議中美光透露,即將開始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG(replacement gate)架構(gòu)的第四代3D NAND存儲(chǔ)設(shè)備。
鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)
新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3...
SK海力士完成業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存集成PUC技術(shù)研發(fā)
與浮柵將電荷存儲(chǔ)在導(dǎo)體中不同,CTF將電荷存儲(chǔ)在絕緣體中,消除了電池之間的干擾,提高了讀寫性能,同時(shí)與浮柵技術(shù)相比,減少了單位電池面積。
今年NOR閃存營(yíng)業(yè)收入預(yù)計(jì)從2012年的34.8億美元降到34.1億美元。NAND閃存已經(jīng)成為手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品所青睞的存儲(chǔ)解決方案。甚至在NOR...
衡宇科技完成新一輪融資 潛心發(fā)展嵌入式NAND Flash控制芯片等
據(jù)悉,衡宇科技于2012年2月創(chuàng)立,可為用戶提供應(yīng)用于通訊、消費(fèi)電子及數(shù)據(jù)處理行業(yè)的閃存主控芯片產(chǎn)品,主要業(yè)務(wù)為嵌入式NAND Flash控制芯片等,衡...
2019年Q4季度NAND閃存芯片出貨量增長(zhǎng),2020年價(jià)格可能上漲
2月25日消息報(bào)道,NAND閃存芯片去年第四季度的出貨量環(huán)比有明顯增長(zhǎng),整體行業(yè)的營(yíng)收也有提升。
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