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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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2021年半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)走向展望

由于疫情的蔓延、全球經(jīng)濟(jì)景氣周期、疊加大國(guó)之間的關(guān)系降到冰點(diǎn)等因素，過(guò)去的魔幻2020年不管是對(duì)于個(gè)人或是企業(yè)來(lái)說(shuō)都是動(dòng)蕩不安的，放眼電子信息技術(shù)的角度...

2021-01-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件 NAND 8.6k 0

車用芯片短缺導(dǎo)致豐田等主流汽車制造商減產(chǎn) 美光看好汽車業(yè)務(wù)的需求增長(zhǎng)

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球范圍內(nèi)車用芯片短缺，正在迫使大型汽車制造商復(fù)蘇步伐受阻，只能停止或減緩汽車生產(chǎn)。繼本田(Honda)傳出減產(chǎn)消息，豐田汽車(Toyo...

2021-01-11 標(biāo)簽：芯片 NAND 豐田 5.9k 0

全球六大廠商壟斷競(jìng)爭(zhēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一，目前被全球六大廠商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)NAND Flash廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已在2020年第一季...

2021-01-11 標(biāo)簽：閃存控制器 nand 4.7k 0

MCU成為兆易創(chuàng)新的新增長(zhǎng)點(diǎn)

近期大眾造車缺“芯”的新聞沸沸揚(yáng)揚(yáng)，雖然大眾公司為了穩(wěn)定情緒不斷辟謠，但整個(gè)芯片行業(yè)及各類電子元器件偏于緊俏已經(jīng)成為了不爭(zhēng)的事實(shí)。需求高企外加國(guó)產(chǎn)替代化...

2021-02-15 標(biāo)簽：芯片 mcu NAND 4.5k 0

整體NAND Flash市場(chǎng)仍處于供過(guò)于求的狀態(tài)

群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成9日表示，客戶需求樂(lè)觀，已與季節(jié)性變化脫鉤，但代工廠產(chǎn)能持續(xù)吃緊，情況可能延續(xù)至5月，因應(yīng)成本墊高、供給吃緊，已對(duì)客戶調(diào)漲NAND Fl...

2021-01-10 標(biāo)簽：芯片 pcb NAND 2.2k 0

19nm SLC閃存還沒(méi)迎來(lái)落幕

由于成本上的優(yōu)勢(shì)，目前市場(chǎng)上的NAND閃存主流已經(jīng)變成了TLC、QLC，MLC都很罕見(jiàn)了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上幾乎消失了。

2021-01-08 標(biāo)簽：閃存 NAND SLC 2.7k 0

NandFlash基礎(chǔ)知識(shí)和幾類NAND壞塊管理方法

概述 Flash名稱的由來(lái)，F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的，與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備，是以bit位為最小讀取/寫入的單位，F(xiàn)lash...

2021-01-07 標(biāo)簽：NAND FlaSh Uboot 9k 0

全球LED整體需求將觸底反彈，2021年產(chǎn)值或達(dá)157億美元

12月22日，據(jù)TrendForce旗下半導(dǎo)體研究處的最新報(bào)告，受限于上游臺(tái)積電與聯(lián)電等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測(cè)產(chǎn)能緊缺，包含Phison與Sil...

2021-01-04 標(biāo)簽：led 控制器 nand 2.4k 0

明年SSD主控芯片的價(jià)格最高將上漲15~20%

盡管研究機(jī)構(gòu)此前曾預(yù)測(cè)由于三星、SK 海力士、英特爾和長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高產(chǎn)量，明年 NAND 閃存的平均價(jià)格將下降 10~15%，但根據(jù)集邦咨詢（Tren...

2020-12-28 標(biāo)簽：芯片 NAND 三星電子 3.2k 0

DRAM、NAND和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技...

2020-12-24 標(biāo)簽：嵌入式 DRAM NAND 1.8k 0

ROM分為幾類有什么區(qū)別

存儲(chǔ)器分為兩大類：RAM和ROM，RAM就不講了，主要討論ROM。 ROM最初是不能編程的，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來(lái)出現(xiàn)了PROM，可...

2020-12-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh EEPROM 7.9k 0

NAND Flash控制器價(jià)格或面臨調(diào)漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示，受限于上游臺(tái)積電（TSMC）與聯(lián)電（UMC）等晶圓代工廠產(chǎn)能滿載，及下游封測(cè)產(chǎn)能緊缺，包含Ph...

2020-12-22 標(biāo)簽：控制器 NAND 晶圓 2.6k 0

Intel發(fā)布二代傲騰SSD P5800X

今天，Intel就發(fā)布了基于新一代傲騰存儲(chǔ)介質(zhì)的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤SSD P5800X，號(hào)稱同類產(chǎn)品世界最快，而且在壽命、延遲等方面依舊輕松秒殺NAND閃存。

2020-12-20 標(biāo)簽：NAND intel 數(shù)據(jù)中心 5.3k 0

英特爾推出三款六款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品，助力企業(yè)應(yīng)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型

本次大會(huì)上，英特爾還宣布推出三款采用144層存儲(chǔ)單元的全新NAND固態(tài)盤，包括適用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤——英特爾...

2020-12-17 標(biāo)簽：英特爾 nand 內(nèi)存 1.7k 0

【芯聞精選】SK海力士推出176層4D NAND閃存芯片；東芝和富士電機(jī)計(jì)劃在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域投資19億美元…

2月15日，SEMI今日在SEMICON Japan上發(fā)布了年終半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)。SEMI預(yù)計(jì)全球OEM的半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額將比2019年的596億美元...

2020-12-16 標(biāo)簽：NAND SK海力士 3.9k 0

NAND閃存的售價(jià)將在2021年全年將持續(xù)下滑

12月15日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從8月份開始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。

2020-12-16 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.2k 0

NAND 閃存平均售價(jià)在 2021 年全年都將持續(xù)下滑

12 月 15 日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，從 8 月份開始，外媒在報(bào)道中就多次提到全球范圍內(nèi) NAND 閃存供應(yīng)過(guò)剩，價(jià)格將下滑，下滑的趨勢(shì)將持續(xù)到明年。...

2020-12-15 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.5k 0

176層NAND閃存芯片的特點(diǎn)性能及原理

從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動(dòng)4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來(lái)說(shuō)，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。

2020-12-15 標(biāo)簽：NAND NAND閃存 3.9k 0

2021年NAND Flash價(jià)格仍將逐季下跌季跌約10~15%

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）旗下半導(dǎo)體研究處的最新報(bào)告稱，由于NAND Flash的供應(yīng)商數(shù)量遠(yuǎn)高于DRAM，加上供給位元成長(zhǎng)的幅度居高不下...

2020-12-15 標(biāo)簽：DRAM NAND 4k 0

明年首季NAND Flash供過(guò)于求態(tài)勢(shì)將更加明顯

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處指出，2021年NAND Flash各類產(chǎn)品總需求位元數(shù)包含Client SSD（31%）、Enterp...

2020-12-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 1.9k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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