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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展，容量超過1 TB的閃存解決方案得到了越來越廣泛的應(yīng)用，對于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來越復(fù)雜。

2020-12-11 標(biāo)簽：控制器 NAND TDK 1.3k 0

解讀致鈦SSD、3D NAND的故事

這是因為，Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離，從這一程度上講，利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝...

2020-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 3D閃存 2.9k 0

SK海力士完成176層NAND閃存開發(fā)；聯(lián)發(fā)科CEO：明年Q1發(fā)布全新5G旗艦芯片…

12月8日消息，華為在北京發(fā)布了其首款商用臺式機——HUAWEIMateStationB515，該產(chǎn)品搭載8核7nmAMD銳龍?zhí)幚砥?，集成RadeonG...

2020-12-10 標(biāo)簽：聯(lián)發(fā)科 NAND 2.9k 0

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D ...

2020-12-09 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 4.7k 0

長江存儲CEO楊士寧：打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點兒

? ? 長江存儲CEO楊士寧：透露3個觀點！打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點兒、為賺錢轉(zhuǎn)型生意人！先看視頻：1、長江存儲CEO楊士寧：長江存儲6...

2020-12-09 標(biāo)簽：NAND 華為長江存儲 9k 0

SK海力士宣布推出最新一代的3D NAND

據(jù)報道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAN...

2020-12-08 標(biāo)簽：閃存控制器 NAND 3k 0

三星電子正在研發(fā)第七代V-NAND,預(yù)計明年批量生產(chǎn)

12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。

2020-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體控制器 NAND 2.2k 0

重慶SK海力士全線停產(chǎn)！

據(jù)了解，SK海力士半導(dǎo)體有限公司是全球第二大內(nèi)存制造商，公司主要生產(chǎn)以D-RAM和NAND為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品，自1983年建立以來，公司不斷發(fā)展創(chuàng)新，在2...

2020-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND SK海力士 3.3k 0

SK海力士重慶工廠全員及相關(guān)人員核酸檢測完成均為陰性

SK海力士半導(dǎo)體（重慶）有限公司是SK海力士在重慶投資建設(shè)的封裝測試工廠，位于重慶西永綜合保稅區(qū)B區(qū)，累計注冊資本已達4億美元。該工廠2014年下半年投...

2020-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 移動終端 2.6k 0

SEMI:全球半導(dǎo)體設(shè)備Q3銷售年增三成

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）今天發(fā)布了半導(dǎo)體的全球銷售金額，據(jù)他們報道，2020年十月，全球半導(dǎo)體銷量達到了390億美元，同比增長了6.0％。數(shù)據(jù)顯示，20...

2020-12-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IC NAND 2.2k 0

PC DRAM爆料稱內(nèi)存價格將會上漲

日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價格情況。

2020-12-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 2.5k 0

華為緊急大量備貨閃存出貨容量暴漲

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的最新報告，2020年第三季度，全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％，只是平均售價減少了9％，導(dǎo)致總收入只微增了0.3％...

2020-12-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 華為 1.5k 0

因華為緊急備貨，閃存出貨量暴漲

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2020-12-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 華為 1.5k 0

2020年Q3全球NAND閃存行業(yè)出貨容量大增9％

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2020-12-01 標(biāo)簽：智能手機 NAND 華為 1.8k 0

2020年存儲行業(yè)十大事件：全球格局生變、價格跌宕起伏、國產(chǎn)芯片承壓突圍！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）2020年已接近尾聲，這一年對于存儲行業(yè)來說是不同尋常的一年。首先，價格漲跌出乎尋常，年初DRAM、NAND因為疫情原因產(chǎn)...

2020-12-01 標(biāo)簽：Nand 存儲國產(chǎn)芯片 8.1k 0

FORESEE微存儲產(chǎn)品線推出的新品：SLC Parallel NAND

最近幾年，物聯(lián)網(wǎng)的概念特別火，各種便攜式電子產(chǎn)品層出不窮，無人機、WiFi路由器、掃地機器人、兒童手表等電子產(chǎn)品更新特別快。這類電子產(chǎn)品對存儲產(chǎn)品的需求...

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Mate40旗艦機搭載長江存儲64層3D NAND

此外，楊士寧還展示了Xtacking技術(shù)，表示：在這一方面，長江存儲也是走在國際最前沿的；長江存儲的技術(shù)也是非常先進的，以后可以委托給中芯國際；同時也要...

2020-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 長江存儲 4.1k 0

為打入NAND市場，西數(shù)澄清不會停用閃迪企業(yè)名稱變更僅限日本市場

為了打入 NAND 市場，傳統(tǒng)硬盤制造商之一的西部數(shù)據(jù)作出了收購閃迪的決定。之后一段時間，西數(shù)一直在采取兩步走的戰(zhàn)略，以避免對消費市場造成太大的沖擊。 ...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存 NAND 閃迪 2.4k 0

全球NAND產(chǎn)值將在今年四季度環(huán)比下降

11月27日消息，據(jù)國外媒體報道，市場研究機構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2020年第四季度，全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。對比2020年第...

2020-11-29 標(biāo)簽：NAND Nand flash 3.2k 0

TrendForce：全球NAND閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降，進一步降低閃存價格

11 月 27 日消息，據(jù)國外媒體報道，市場研究機構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，2020 年第四季度，全球 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值將環(huán)比下降。 ...

2020-11-27 標(biāo)簽：閃存 NAND 行業(yè) 1.8k 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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