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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功

作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND...

2020-04-13 標(biāo)簽：NAND SSD 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款128層QLC規(guī)格的3DNAND閃存，滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求

4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3DNAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)...

2020-04-13 標(biāo)簽：閃存 nand 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 4.3k 0

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲(chǔ)解決方案

4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用...

2020-04-09 標(biāo)簽：nand ssd sk海力士 4.6k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工 128層技術(shù)將按計(jì)劃在2020年推出

4月8日零時(shí)，武漢市正式解除離漢離鄂通道管控措施，而位于武漢的國(guó)家存儲(chǔ)器基地長(zhǎng)江存儲(chǔ)的研發(fā)進(jìn)展以及受疫情影響情況受到業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注。

2020-04-08 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度...

2020-04-08 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3k 0

NAND Flash實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，即將跨入128層時(shí)代

日前，美光發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，其在電話會(huì)議中美光透露，即將開始批量生產(chǎn)其基于公司新的RG（replacement gate）架構(gòu)的第四代3D NAND存儲(chǔ)設(shè)備。

2020-04-07 標(biāo)簽：閃存 NAND 華秋DFM 2.9k 0

美光即將量產(chǎn)第四代3D NAND存儲(chǔ)器層數(shù)達(dá)到128層

美光在二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，該公司即將開始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開...

2020-04-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器美光 2.1k 0

兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量超過(guò)100億顆將推動(dòng)研發(fā)24nm工藝NAND技術(shù)

在NAND閃存市場(chǎng)，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能...

2020-04-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 兆易創(chuàng)新 3.4k 0

NAND閃存需求萎縮韓半導(dǎo)體制造業(yè)呈下降趨勢(shì)

韓聯(lián)社消息，自去年第四季度以來(lái)，作為忠北經(jīng)濟(jì)中心的半導(dǎo)體制造業(yè)已逐漸擺脫衰退，但據(jù)最新預(yù)測(cè)，這種改善趨勢(shì)將在新冠病毒疫情之下萎縮。

2020-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存 NAND 2.8k 0

NAND閃存芯片價(jià)格持續(xù)上漲，到Q3季度會(huì)有所轉(zhuǎn)變

SSD的價(jià)格最近這段時(shí)間一直都是在增長(zhǎng)，雖然漲勢(shì)很緩慢，但這個(gè)趨勢(shì)還將要持續(xù)一段時(shí)間，預(yù)計(jì)今年第三季度會(huì)有所改善。

2020-03-29 標(biāo)簽：芯片閃存 nand 2.5k 0

Greenliant發(fā)布工業(yè)級(jí) ArmourDrive M.2 SSD 新品

ArmourDrive 88PX 系列 NVMe M.2-2280 / PCIe 3.0 x4 SSD和 ArmourDrive 87PX 系列 SAT...

2020-03-28 標(biāo)簽：NAND SSD driver 1.5k 0

SSD價(jià)格上漲仍將持續(xù) 預(yù)計(jì)今年下半年將會(huì)有所轉(zhuǎn)變

2020-03-28 標(biāo)簽：NAND SSD 4.1k 0

5G助推NAND FLASH發(fā)展

據(jù)分析機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生的帶動(dòng)作用影響，2019年第四季度的NAND Flash的總出貨量季增近10%，市場(chǎng)逐漸出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。經(jīng)歷了...

2020-03-25 標(biāo)簽：Nand 5G 1.5k 0

閃迪推出新款microSD卡，三種型號(hào)順序讀取速度為100 MB/s

根據(jù)消息報(bào)道，閃迪推出了 Max Endurance系列microSD卡，最大可選256GB，質(zhì)保最高為15年。

2020-03-22 標(biāo)簽：nand 3d 8.6k 0

MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場(chǎng)小容量FLASH短缺需求

MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場(chǎng)小容量FLASH短缺需求一、MXIC 19nm SLC NAND ...

2020-03-23 標(biāo)簽：NAND FlaSh slc 2.6k 0

西安2工廠NAND Flash開始量產(chǎn)以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求

三星在該工廠主要量產(chǎn)用于智能手機(jī)，PC，服務(wù)器等領(lǐng)域作為數(shù)據(jù)處理設(shè)備使用的 Nand Flash 記憶芯片。值得注意的是，通過(guò)垂直結(jié)構(gòu)堆疊電路提高儲(chǔ)存容...

2020-03-20 標(biāo)簽：NAND 三星電子 788 0

機(jī)械硬盤走下坡路硬盤體積變小且容量變大是必然趨勢(shì)

主流的固態(tài)硬盤價(jià)格基本在1-1.5元1GB的區(qū)間，憑借著極速的性能表現(xiàn)和較為合適的價(jià)格它如今已經(jīng)成為了DIY玩家，游戲發(fā)燒友，普通攢機(jī)用戶等PC需求群體...

2020-03-19 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤 3.4k 0

紫光存儲(chǔ)解散？官方回應(yīng)NAND業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移到長(zhǎng)江存儲(chǔ)

3月18日有媒體報(bào)道紫光集團(tuán)旗下子紫光存儲(chǔ)上海公司即將解散，未來(lái)紫光存儲(chǔ)業(yè)務(wù)重點(diǎn)將轉(zhuǎn)移DRAM。對(duì)此，紫光存儲(chǔ)方面回應(yīng)稱，為實(shí)現(xiàn)紫光集團(tuán)整體存儲(chǔ)戰(zhàn)略，...

2020-03-19 標(biāo)簽：NAND 紫光集團(tuán)長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6.5k 0

針對(duì)3D Xpoint芯片，Intel和美光再次進(jìn)行合作

出于對(duì)數(shù)字存儲(chǔ)市場(chǎng)前景的看好，Intel在2005年和美光合資成立IM公司，用于NAND閃存芯片的研發(fā)和生產(chǎn)，不過(guò)，兩家公司均獨(dú)立銷售自家牌子產(chǎn)品。

2020-03-17 標(biāo)簽：芯片 nand intel 2.4k 0

預(yù)計(jì)二季度NAND閃存會(huì)環(huán)比上漲15%

3月13日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，此前外媒曾預(yù)計(jì)NAND閃存和DRAM內(nèi)存的合約價(jià)格，在今年二季度的漲幅將達(dá)到兩位數(shù)，現(xiàn)在外媒也逐步給出了具體的預(yù)測(cè)。

2020-03-14 標(biāo)簽：閃存 NAND 2.2k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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