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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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美光：DRAM價(jià)格下降放緩，NAND閃存正上升

美光科技公司在2019年面臨中美貿(mào)易挑戰(zhàn)。隨著華為被列入美國(guó)政府的實(shí)體名單，芯片制造商不得不暫停向華為發(fā)貨。鑒于需求疲軟和供過(guò)于求，美光面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)...

2019-12-27 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.8萬(wàn) 0

旺宏攪局3D NAND 預(yù)計(jì)明年投資新臺(tái)幣87億元

新聞主體：旺宏電子于 1989 年創(chuàng)立于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)，是全球少數(shù)能夠提供從 512Kbit 至 2Gbit 完整 Serial NOR Flash ...

2019-12-25 標(biāo)簽：NAND 1k 0

浦科特M9P Plus AIC固態(tài)硬盤推出，搭載東芝原廠96層3D NAND顆粒

作為市面位數(shù)不多的AIC固態(tài)，浦科特M9P AIC固態(tài)硬盤也推出了Plus版本，還是原來(lái)的設(shè)計(jì)，顆粒、主控以及NVMe協(xié)議獲得更新。

2019-12-23 標(biāo)簽：東芝 nand 硬盤 4k 0

受5G的影響 DRAM與NAND將迎來(lái)增長(zhǎng)

12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬...

2019-12-23 標(biāo)簽：DRAM NAND 1k 0

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來(lái)源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲(chǔ)）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲(chǔ)密度。這項(xiàng)于...

2019-12-23 標(biāo)簽：NAND NAND閃存 5.2k 0

隨著存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)行情回暖美光預(yù)計(jì)2020年DRAM和NAND Flash行業(yè)也將改善

美光科技公布截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)，營(yíng)收及盈利均超市場(chǎng)分析師預(yù)期，分析師此前平均預(yù)期營(yíng)收為49.9億美元，平均預(yù)期每股收益...

2019-12-20 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 1.1k 0

5G通信引領(lǐng)，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)需求將增加

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)...

2019-12-20 標(biāo)簽：dram nand 5g 4k 0

美光：沖刺2020財(cái)年 DRAM，NAND有望Q3恢復(fù)

美光科技公司（Micron）于昨日宣布了截至2019年11月28日的2020財(cái)年第一季度業(yè)績(jī)。 12月18日下午4:30（美國(guó)東部時(shí)間），美光舉行了最新...

2019-12-19 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光 1.7萬(wàn) 0

三星擴(kuò)大西安3D NAND工廠設(shè)施，新投資數(shù)十億美元

根據(jù)AnandTech的報(bào)道，三星計(jì)劃投資數(shù)十億美元擴(kuò)大其在中國(guó)西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。

2019-12-18 標(biāo)簽：nand 三星電子 3.6k 0

增資80億美元！三星促進(jìn)中國(guó)NAND閃存芯片生產(chǎn)

三星電子是消費(fèi)者級(jí)產(chǎn)品的最大知名品牌之一。但是，大多數(shù)人都不知道這家韓國(guó)科技巨頭的實(shí)際規(guī)模和經(jīng)營(yíng)規(guī)模，其中還包括其他智能手機(jī)OEM的芯片制造工藝?，F(xiàn)在，...

2019-12-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 4.9k 0

三星加大投資明年全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)將出現(xiàn)反彈

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱，三星電子將對(duì)其中國(guó)芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對(duì)5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升...

2019-12-13 標(biāo)簽：NAND 三星電子內(nèi)存 729 0

三星持續(xù)投資閃存芯片加劇與NAND市場(chǎng)的差異化

12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項(xiàng)目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動(dòng)。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)...

2019-12-12 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 787 0

三星打造全球最大閃存生產(chǎn)基地大力投資西安占據(jù)中國(guó)市場(chǎng)

三星是全球最大的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商，僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額，不過(guò)韓國(guó)本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了，三星這幾年來(lái)大力投資中...

2019-12-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 1.5k 0

中國(guó)芯國(guó)產(chǎn)進(jìn)程加速刺激了NAND Flash和DRAM戰(zhàn)略布局速度的加快

12 月 9 日訊，2020 年 SK 海力士將進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，為實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理，會(huì)將 DRAM 和 ...

2019-12-10 標(biāo)簽：DRAM NAND 2.1k 0

明年內(nèi)存平均銷售價(jià)格或?qū)⑸仙?0% 2020年下半年中才能夠恢復(fù)正常

臨近年底，內(nèi)存行業(yè)分析師給出了許多關(guān)于明年內(nèi)存價(jià)格上漲的預(yù)警，其中DigiTimes引用業(yè)界消息稱明年內(nèi)存的平均銷售價(jià)格將上升30%。

2019-12-07 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 6.5k 0

SK海力士2020年合并DRAM和NAND Flash業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā)、制造，以及...

2019-12-07 標(biāo)簽：DRAM NAND SK海力士 4.9k 0

明年的NAND Flash市場(chǎng)或?qū)?qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) 存儲(chǔ)行業(yè)即將迎來(lái)曙光

IC Insights 表示，2020 年預(yù)測(cè)成長(zhǎng)最快 IC 產(chǎn)品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。今年這兩項(xiàng)商品的市場(chǎng)崩盤，201...

2019-12-06 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 847 0

2020年IC市場(chǎng)增長(zhǎng)有望恢復(fù) NAND Flash保持領(lǐng)漲

15日，根據(jù)IC Insights發(fā)布的《2020 McClean報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)至2020年33種IC產(chǎn)品類別中的26種將恢復(fù)增長(zhǎng)。本文中將著重介...

2019-12-05 標(biāo)簽：DRAM IC Nand 1.6萬(wàn) 0

2019年第三季度NAND閃存出貨量增長(zhǎng) 中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍然弱小但迎發(fā)展機(jī)遇

第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)明顯復(fù)蘇，三星、鎧俠（原東芝存儲(chǔ)）、美光等主要存儲(chǔ)廠商的出貨量均有較大幅度增長(zhǎng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競(jìng)爭(zhēng)卡位，以期...

2019-12-04 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 3.3k 0

內(nèi)存行業(yè)衰退未來(lái)是否會(huì)恢復(fù)市場(chǎng)尚未可知

由于將 NAND 作為固態(tài)硬盤上的巨額支出，業(yè)界最新一次的周期波動(dòng)很大。此外，DRAM 的支出也不小，邏輯芯片代工廠都保持了相當(dāng)不錯(cuò)的發(fā)展速度。

2019-12-02 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 1.1k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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