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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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近日,日本NAND Flash大廠鎧俠宣布,將在未來(lái)三年內(nèi)投資360億日元,用于研發(fā)AI用CXL(Compute Express Link)省電存儲(chǔ)器。...
2024-11-12 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 1.2k 0
鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內(nèi)存,目標(biāo)2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化
近日,日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項(xiàng)重大投資計(jì)劃。據(jù)日媒報(bào)道,該公司將在未來(lái)三年內(nèi)投資360億日元(約合人民幣16.75億元),用于研發(fā)面向...
TOSHIBA 74VHC00FT COMS 汽車(chē)、工業(yè)企業(yè)的選擇
74VHC00FT 是一種四路雙輸入 NAND 門(mén),屬于 CMOS 系列數(shù)字集成電路。它采用東芝先進(jìn)的硅柵 C2MOS 技術(shù)設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)類(lèi)似于雙極性肖...
近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。
存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價(jià)格承壓
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的匱乏,共同制約了大規(guī)模升級(jí)周期的到來(lái)。在供應(yīng)端,主要制造商在第三季度全面恢復(fù)了滿(mǎn)負(fù)荷生產(chǎn),而其他供...
機(jī)構(gòu):SSD價(jià)格有望在年底前因產(chǎn)量增需求減而下降10%
根據(jù)TrendForce的最新研究報(bào)告,2024年第四季度,客戶(hù)端固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的價(jià)格預(yù)計(jì)將下滑5%至10%。這一預(yù)測(cè)基于產(chǎn)量增長(zhǎng)與需求縮減的雙重因...
2024-10-18 標(biāo)簽:NANDSSD固態(tài)硬盤(pán) 1.8k 0
今天和大家一起學(xué)習(xí)NAND Flash與主控HOST之間的SDIO接口工作原理、接口優(yōu)勢(shì)以及主控的作用,這是構(gòu)建高效、可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心要素。以下是...
近期,DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊,導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,...
日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)近日宣布,已決定將原定于10月在東京證券交易所的首次公開(kāi)募股(IPO)計(jì)劃暫時(shí)擱置。這一決定背后,是鎧俠在競(jìng)爭(zhēng)激烈的...
長(zhǎng)江存儲(chǔ)正加速轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備
面對(duì)國(guó)際環(huán)境的變化,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強(qiáng)大的韌性與決心。自2022年美國(guó)實(shí)施對(duì)華先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備出口限制,并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)...
2024-09-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 2.3k 0
H2 testw檢測(cè)工具是一款能夠?yàn)橛脩?hù)們提供全面的U盤(pán)讀寫(xiě)性能的U盤(pán)工具,H2testwU盤(pán)檢測(cè)工具能夠準(zhǔn)確的檢測(cè)出U盤(pán)的參數(shù)信息,提高用戶(hù)的使用效率...
2024-09-23 標(biāo)簽:NAND測(cè)試工具轉(zhuǎn)接板 1.1k 0
三星調(diào)整晶圓代工策略,聚焦NAND Flash與HBM
三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)一步擴(kuò)建,轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)的生產(chǎn)上。這一戰(zhàn)略...
三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在...
2024-09-12 標(biāo)簽:NAND三星電子存儲(chǔ)技術(shù) 1.2k 0
2024年第二季度,全球NAND閃存市場(chǎng)迎來(lái)價(jià)格顯著上漲的行情,平均售價(jià)攀升了15%,反映出市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛與供應(yīng)端的緊張態(tài)勢(shì)。然而,與此同時(shí),NAND...
在近期于深圳舉行的ELEXCON 2024國(guó)際電子展上,江波龍電子以創(chuàng)新姿態(tài)亮相,首次提出了PTM(存儲(chǔ)產(chǎn)品技術(shù)制造)這一前沿商業(yè)模式。該模式深度融合了...
三星電子近日宣布,其位于韓國(guó)平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計(jì)劃將發(fā)生重大調(diào)整,原定于加速推進(jìn)的項(xiàng)目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動(dòng)旨在優(yōu)先保障位于美國(guó)得...
江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時(shí)代
深圳2024年9月4日?/美通社/ -- 隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng),市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中,NAN...
MK米客方德SD NAND:STM32平臺(tái)上的存儲(chǔ)方案
在STM32平臺(tái)上,SD卡的重要性不言而喻,它為嵌入式系統(tǒng)提供了必要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀寫(xiě)能力。MK米客方德SD作為市場(chǎng)上的一種選擇,因其耐用性、較小的體積以...
Solidigm發(fā)布高性能PCIe 5.0 SSD,引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)新紀(jì)元
全球知名的創(chuàng)新NAND閃存解決方案巨頭Solidigm,近期隆重推出了兩款專(zhuān)為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的旗艦級(jí)固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)(SSD)——Solidigm D7-...
2024-08-16 標(biāo)簽:NANDSSD數(shù)據(jù)中心 1.7k 0
卓越存儲(chǔ)方案:杰理AC7916搭配MK米客方德SD NAND
通過(guò)與MK米客方德SD NAND的適配,AC7916為市場(chǎng)提供了一個(gè)高效、可靠的存儲(chǔ)解決方案,并已經(jīng)在單詞機(jī)等產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了成功的應(yīng)用和量產(chǎn)。
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