鎧俠斥資16.75億元研發(fā)下一代內存，目標2030年前實現(xiàn)商業(yè)化
近日，日本NAND Flash大廠鎧俠宣布了一項重大投資計劃。據(jù)日媒報道，該公司將在未來三年內投資360億日元（約合人民幣16.75億元），用于研發(fā)面向AI的下一代更省電的內存。這一舉措旨在滿足未來市場對高效能、低功耗內存的需求，并計劃在2030年代前半段實現(xiàn)商業(yè)化。
鎧俠表示，將研發(fā)基于CXL（Compute Express Link）技術的內存。相較于目前的DRAM，這種新型內存具有更低的功耗；而與現(xiàn)有的NAND Flash相比，其讀取速度更快。更重要的是，與DRAM在電力中斷時數(shù)據(jù)會消失不同，CXL內存能夠在斷電時保留大量數(shù)據(jù)，這對于AI驅動的應用場景尤為重要，能夠顯著降低耗電量。
為了支持這一研發(fā)項目，日本政府將提供最高50%的補貼，以鼓勵企業(yè)在高科技領域進行更多的創(chuàng)新和投資。這一舉措不僅有助于鎧俠在研發(fā)過程中減輕財務壓力，同時也為日本在全球半導體市場的競爭中增添了新的動力。
隨著AI技術的快速發(fā)展和普及，市場對高效能、低功耗內存的需求日益迫切。鎧俠此次的投資計劃無疑將推動全球半導體產業(yè)的進一步發(fā)展和創(chuàng)新，為未來的科技應用提供更加堅實的基礎。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
NAND
+關注
關注
16文章
1755瀏覽量
141040 -
內存
+關注
關注
9文章
3209瀏覽量
76358 -
鎧俠
+關注
關注
1文章
118瀏覽量
8495
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
RK這顆芯片爆了！下一代芯片再續(xù)神話？
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）瑞芯微 2024 年實現(xiàn)營業(yè)收入31.36 億元，同比增長46.94%，創(chuàng)歷史新高。實現(xiàn)凈利潤5.95億元
鎧俠UFS 5.0嵌入式閃存出樣
2月24日，鎧俠于官網(wǎng)宣布為下一代移動應用提供UFS 5.0嵌入式閃存樣品。 評估樣品基于公司為UFS 5.0自主研發(fā)的主控和鎧
進迭時空再獲數(shù)億元融資，下一代 RISC-V AI 芯片 K3 即將發(fā)布
進迭時空再獲數(shù)億元融資，下一代 RISC-V AI 芯片 K3 即將發(fā)布
LitePoint與高通合作加速下一代Wi-Fi 8創(chuàng)新
無線測試解決方案先進供應商LitePoint宣布，已使用其行業(yè)先進的LitePoint IQxel-MX平臺，實現(xiàn)高通技術公司的下一代Wi-Fi 8物理層（PHY）驗證。這一里程碑標志著Wi-Fi 8技術正迅速接近
億緯鋰能儲能大電池全球商業(yè)化應用實現(xiàn)重要突破
近日，億緯鋰能儲能大電池全球商業(yè)化應用實現(xiàn)重要突破——搭載628Ah儲能大電池的Mr.Giant儲能系統(tǒng)已成功運抵澳大利亞，并完成首批交付。此舉再次彰顯了億緯鋰能在儲能系統(tǒng)設計、制造及
法本信息2025年前三季度總營收36.74億元
10月28日，法本信息（300925）披露 2025 年三季報，彰顯高質量穩(wěn)健增長成色，公司前三季度實現(xiàn)營業(yè)總收入36.74億元，同比增長15.92%，其中第三季度單季營業(yè)收入13.59億元
華力創(chuàng)通2025年前三季度營收5.64億元
2025年第三季度，華力創(chuàng)通交出高質量增長答卷：單季度實現(xiàn)營業(yè)收入2.32億元，同比激增193.02%；歸母凈利潤642.22萬元，同比增長120.31%，
Telechips與Arm合作開發(fā)下一代IVI芯片Dolphin7
Telechips宣布，將在與 Arm的戰(zhàn)略合作框架下，正式開發(fā)下一代車載信息娛樂系統(tǒng)（IVI）系統(tǒng)級芯片（SoC）“Dolphin7”。
鎧俠第九代 BiCS FLASH? 512Gb TLC 存儲器開始送樣
融合現(xiàn)有存儲單元與先進的 CMOS 技術，實現(xiàn)投資效益最大化 ? 全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代 BiCS FLASH? 3D 閃存技術的 512Gb TLC存儲器已開始
發(fā)表于 07-28 15:30
?716次閱讀
下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！
的過渡步驟。
不過2017 年提出的叉片設計初始版本似乎過于復雜，無法以可接受的成本和良率進行制造?，F(xiàn)在，Imec 推出了其叉片晶體管設計的改進版本，該設計有望更易于制造，同時仍能為下一代工藝技術提供功率
發(fā)表于 06-20 10:40
LG Display宣布重大投資計劃，推動下一代OLED技術發(fā)展
近日，韓國媒體報道，LGDisplay(LG顯示)董事會批準了一項高達1.26萬億韓元(約合9.169億美元)的投資計劃，旨在開發(fā)下一代OLED(有機發(fā)光二極管)技術。此舉旨在進一步鞏
下一代PX5 RTOS具有哪些優(yōu)勢
許多古老的RTOS設計至今仍在使用，包括Zephyr（1980年代）、Nucleus（1990年代）和FreeRTOS（2003年）。所有這些舊設計都有專有的API，通常更大、更慢，并且缺乏下
鎧俠雙軸技術戰(zhàn)略，研發(fā)超級SSD
年，近一半的NAND需求將與人工智能相關。Kioxia旨在通過先進的SSD產品和技術，以支持人工智能系統(tǒng)不斷變化的需求。鎧俠正在開發(fā)鎧
外媒稱三星與英飛凌/恩智浦達成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片
據(jù)外媒 SAMMobile 報道，三星已與英飛凌（Infineon）和恩智浦（NXP）達成合作，共同研發(fā)下一代汽車芯片解決方案。 據(jù)悉， 此次合作將基于三星的 5 納米工藝 ，重點是“優(yōu)化內存
中國下一代半導體研究超越美國
美國機構分析，認為中國在支持下一代計算機的基礎研究方面處于領先地位。如果這些研究商業(yè)化，有人擔心美國為保持其在半導體設計和生產方面的優(yōu)勢而實施的出口管制可能會失效。 喬治城大學新興技術觀察站（ETO
工商網(wǎng)監(jiān)
評論