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nand

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

紫光宏茂微電子宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3DNAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)

1月7日,紫光集團(tuán)官方微信公眾號(hào)發(fā)文,宣布旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司宣布成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。

2019-01-09 標(biāo)簽:芯片NAND紫光 8k 0

美光計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

美光總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,美光將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)美光的...

2018-12-21 標(biāo)簽:NAND閃存芯片美光 4.4k 0

預(yù)估明年第一季NAND Flash合約價(jià)將再跌10%

展望2019年上半年,盡管原廠對(duì)擴(kuò)充產(chǎn)能態(tài)度保守,甚至開始抑制擴(kuò)產(chǎn),但由于淡季影響,加上市場(chǎng)庫存水位仍高,供過于求的情況只會(huì)更加顯著,預(yù)估第一季NAND...

2018-12-20 標(biāo)簽:NANDFlash 3.3k 0

帶你認(rèn)識(shí)eMMC閃存和UFS閃存 規(guī)格不是萬能的

一部完整的手機(jī)是由許多零部件組成的,但是用戶往往只關(guān)注運(yùn)算處理器、運(yùn)行內(nèi)存、圖形處理器等核心硬件,卻忽略了另外一個(gè)直接影響手機(jī)性能和讀取速度的硬件模塊:...

2018-12-18 標(biāo)簽:閃存NAND 1.4萬 0

賽普拉斯把一個(gè)營(yíng)收一億八千六百萬美元的業(yè)務(wù)剝離出去,為什么在這個(gè)時(shí)候做這個(gè)決定?

Hassane表示,賽普拉斯重奪USB芯片出貨量頭名,靠得也是專注與變革?!百惼绽乖?jīng)是USB市場(chǎng)第一名,但因?yàn)椴粔驅(qū)Wⅲ允チ诉@個(gè)位置?!盚as...

2018-12-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NAND賽普拉斯 4.4k 0

關(guān)于不同NAND閃存的種類對(duì)比淺析

由于閃存的成本取決于其裸片面積,如果可以在同樣的面積上存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù),閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型:?jiǎn)螌訂卧⊿LC)、多層單元(MLC...

2018-12-17 標(biāo)簽:閃存NAND 2.6k 0

SLC NAND Flash是旺宏今年?duì)I運(yùn)主要成長(zhǎng)動(dòng)力之一

旺宏電子(2337)2018年4月合并營(yíng)收29.02億元,較3月之32.53億元減少10.8%,較2017年同期20.48億元,則增加41.7%。

2018-12-14 標(biāo)簽:NAND旺宏 8.5k 0

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng),如今美光(Micron)也...

2018-12-13 標(biāo)簽:NAND三星電子美光 1.4k 0

英特爾與傲騰聯(lián)手 重塑數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)架構(gòu)

今日,以“智數(shù)據(jù)·創(chuàng)未來”為主題的2018中國(guó)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)峰會(huì)在北京拉開帷幕。作為中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)行業(yè)頂級(jí)的交流平臺(tái),本次峰會(huì)匯集了全球近百位來自產(chǎn)業(yè)界、學(xué)...

2018-12-13 標(biāo)簽:英特爾NAND存儲(chǔ) 900 0

DRAM連漲之后持續(xù)下跌 各大廠商已做好準(zhǔn)備

全球DRAM市場(chǎng)上,三星一家獨(dú)大,接著是SK Hynix及美光,這三家的DRAM份額占到了全球95%左右,而華亞科被美光全資收購之后,Nanya南亞科技...

2018-12-10 標(biāo)簽:DRAMNAND內(nèi)存 8k 0

分拆內(nèi)存業(yè)務(wù) 助力提高東芝/威騰陣營(yíng)的NAND Flash產(chǎn)能及產(chǎn)品開發(fā)

最新調(diào)查顯示,日本大廠東芝(Toshiba)為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力,已正式宣布將在今年3月31日前完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù),預(yù)期分拆后的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及...

2018-12-10 標(biāo)簽:東芝NAND內(nèi)存 1.4k 0

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場(chǎng)將迎來新的局面

6月15日,三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)...

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預(yù)計(jì)明年Q1季度DRAM內(nèi)存環(huán)比降幅高達(dá)10-15%

經(jīng)過兩年多的漲價(jià)之后,DRAM內(nèi)存在今年10月份也就是Q4季度終于降價(jià)了,靠著內(nèi)存漲價(jià)而賺了大把利潤(rùn)的三星、SK Hynix及美光公司對(duì)此顯然是不滿意的...

2018-12-05 標(biāo)簽:nand三星電子內(nèi)存 4.1k 0

3D NAND技術(shù)的轉(zhuǎn)換促進(jìn)產(chǎn)業(yè)洗牌戰(zhàn) 三星/英特爾/東芝各有應(yīng)對(duì)招數(shù)

NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后,正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代,目前三星電子(Samsung Elec...

2018-12-03 標(biāo)簽:英特爾NAND三星電子 2.4k 0

為滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲(chǔ)器晶圓廠

SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠,滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建...

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全球 3D NAND 價(jià)格近來快速崩跌,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)打破國(guó)內(nèi)“零”存儲(chǔ)自制率之重任,以”光速”的氣勢(shì)加入這場(chǎng)存儲(chǔ)世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 ...

2018-11-30 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)紫光 3k 0

3大危機(jī)發(fā)酵?蘋果公司再度雪上加霜,網(wǎng)友:坑完用戶坑開發(fā)者!

2018年時(shí)光飛逝,氣溫逐漸下降,而對(duì)于蘋果公司來說就猶如天氣般, 多項(xiàng)危機(jī)接踵而至,讓蘋果公司也進(jìn)入了嚴(yán)寒冬季。蘋果公司曾是所有人的寵兒,如今,蘋果好...

2018-11-27 標(biāo)簽:NAND 3.9k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)

談到NAND閃存,或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品,多數(shù)人對(duì)速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上,但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口,LG...

2018-11-26 標(biāo)簽:閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.8萬 0

存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈建立過多庫存的問題特別明顯

外資摩根士丹利認(rèn)為,存儲(chǔ)器于2015年遭遇產(chǎn)業(yè)逆風(fēng)時(shí),至少持續(xù)了三個(gè)季度,而這次的產(chǎn)業(yè)逆風(fēng),從交貨時(shí)間、重復(fù)下單、庫存等觀察指標(biāo)來看,現(xiàn)在都比2015年...

2018-11-27 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器 1k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會(huì)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破...

2018-11-23 標(biāo)簽:閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3萬 0

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    富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力,致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)(東京證券交易所上市代碼:6702)截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元(400億美元)。
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