長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，紫光投資的長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳來新動(dòng)態(tài)。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3.1k 0

NAND存儲(chǔ)器跌破兩年前價(jià)位，國(guó)內(nèi)廠商能否決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)？

內(nèi)存市場(chǎng)和閃存市場(chǎng)有一定的關(guān)聯(lián)性，不管是存儲(chǔ)介質(zhì)或是存儲(chǔ)主控芯片，它的成敗不在一年兩年，而是一個(gè)長(zhǎng)期的過程，一個(gè)企業(yè)要好這個(gè)事情，不可能是做好一款爆品之...

2018-09-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 5.1k 0

96層QLC技術(shù)的升級(jí)，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會(huì)上表示：“短期內(nèi)的價(jià)格波動(dòng)是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 5.4k 0

IC設(shè)計(jì)門檻墊高　NAND Flash控制晶片進(jìn)入1X奈米時(shí)代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長(zhǎng)潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、所需人力及銀彈越來...

2018-09-21 標(biāo)簽：ICNand 4.8k 0

東芝無懼芯片價(jià)格下跌，將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片...

2018-09-20 標(biāo)簽：東芝Nand 5.7k 0

旺宏預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場(chǎng)

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場(chǎng)。

2018-09-17 標(biāo)簽：NANDSSD旺宏 2.2k 0

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。

2018-09-16 標(biāo)簽：閃存NAND3D 815 0

三家主控廠商：慧榮、群聯(lián)、得一，共話SSD市場(chǎng)新格局

在2D納米工藝時(shí)代，NAND Flash架構(gòu)經(jīng)歷了從SLC向TLC的過渡，控制芯片技術(shù)的發(fā)展起到非常重要的作用。隨著原廠3D NAND技術(shù)的不斷成熟，2...

2018-09-13 標(biāo)簽：NANDSSD大數(shù)據(jù) 1.7萬(wàn) 0

隨著NAND Flash價(jià)格的下滑，如何加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力成為各大原廠共同的難題

近兩年來DIY市場(chǎng)可謂是風(fēng)起云涌，從2016年下半年開始SSD、內(nèi)存和顯卡陸續(xù)漲價(jià)，2017年8GB內(nèi)存價(jià)格甚至一度破千元，顯卡一度賣脫銷。本以為201...

2018-09-12 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)SSD 1.2k 0

群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash控制芯片出貨，單顆容量即可達(dá)128GB

快閃存儲(chǔ)器（NANDFlash）控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國(guó)際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 2.6k 0

西數(shù)談中國(guó)NAND競(jìng)爭(zhēng)：仍有技術(shù)優(yōu)勢(shì) 2020年前中國(guó)廠商意義不大

面對(duì)中國(guó)廠商在NAND市場(chǎng)上的威脅，這些公司是怎么看的呢？西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們?cè)谶@方面依然有優(yōu)勢(shì)，中國(guó)的NAND廠商在2020年...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND三星電子美光 5.6k 0

SK海力士計(jì)劃明年增產(chǎn)96層3D NAND閃存

SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

2018-09-07 標(biāo)簽：NANDSK海力士 3.9k 0

存儲(chǔ)芯片價(jià)格連漲三年，預(yù)測(cè)今年第四季度內(nèi)存漲價(jià)終于到頭了

2016年以來，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)上漲，今年已經(jīng)是第三個(gè)年頭。雖然NAND閃存、SSD等產(chǎn)品已經(jīng)有所回落，但內(nèi)存依然沒有下跌勢(shì)頭。不過，業(yè)內(nèi)普遍預(yù)測(cè)，到...

2018-09-05 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ) 3.9k 0

臺(tái)北電腦展拉開序幕，AS2258 SSD控制芯片將會(huì)是點(diǎn)序最大的亮點(diǎn)

一年一度的臺(tái)北電腦展即將在6月5日拉開序幕，屆時(shí)將吸引國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)參展。全球閃存控制芯片供貨商點(diǎn)序科技以「點(diǎn)序十年，記憶相隨」（ASolid – A ...

2018-09-03 標(biāo)簽：閃存NANDSSD 4.5k 0

2018年大容量硬盤供不應(yīng)求，?？低曌プ×嗣看无D(zhuǎn)型機(jī)遇

3月30日，“智涌錢塘”2018AI Cloud生態(tài)國(guó)際峰會(huì)在G20主會(huì)場(chǎng)·杭州國(guó)際博覽中心隆重舉行。在此次峰會(huì)上，希捷科技作為?？低曋匾暮献骰锇?..

2018-09-06 標(biāo)簽：NAND硬盤?？低?/a> 4.4k 0

DRAM-less利用HMB技術(shù)優(yōu)化成本，彌補(bǔ)IOPS性能劣勢(shì)

2017 年受 NAND Flash 漲價(jià)因素的影響，SATA SSD 與 PCIe SSD 仍有 10%的差價(jià)，由于 PCIe SSD 較 SATA ...

2018-08-30 標(biāo)簽：芯片nandflash 1.4萬(wàn) 0

關(guān)于NAND閃存有哪些觀念是錯(cuò)誤的？

在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。

2018-08-30 標(biāo)簽：閃存NAND 1.2k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來新變量

2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌，由于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)平緩，業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢(shì)，隨著國(guó)際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆...

2018-08-29 標(biāo)簽：nandflashssd 7.5k 0

深度分析SSD主控市場(chǎng)

隨著 3D NAND 擴(kuò)大應(yīng)用和封裝技術(shù)的進(jìn)步，SSD Form Factor 已經(jīng)發(fā)生了革命性的變化。

2018-08-29 標(biāo)簽：NANDSSD 1.3萬(wàn) 0

在三星、海力士持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)下，2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再成長(zhǎng)10%

DRAM價(jià)格飆漲帶動(dòng)2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值沖破4000億美元，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI預(yù)估，在三星電子、SK海力士（SK Hynix）持續(xù)擴(kuò)展DRA...

2018-08-27 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 2.2k 0