近兩年來DIY市場可謂是風(fēng)起云涌，從2016年下半年開始SSD、內(nèi)存和顯卡陸續(xù)漲價(jià)，2017年8GB內(nèi)存價(jià)格甚至一度破千元，顯卡一度賣脫銷。本以為2018年能夠安穩(wěn)裝機(jī)了，誰想最近CPU和主板又來湊熱鬧漲價(jià)，DIY玩家可謂是苦不堪言。

要是你在2016年屯了點(diǎn)SSD，在2017年屯了點(diǎn)顯卡，又在2018年屯了點(diǎn)CPU，現(xiàn)在生活不想美滋滋也難啊......不過我們接下來準(zhǔn)備聊的是最近在降價(jià)的存儲(chǔ)顆粒（NAND FLASH），它是SSD中最重要的組成部分，已經(jīng)在降價(jià)了。

商品漲跌，總是離不開市場的供需關(guān)系。近三年來NAND Flash市場行情波動(dòng)較大，從2016年開始價(jià)格持續(xù)上漲，在經(jīng)歷了2年的持續(xù)漲價(jià)后急轉(zhuǎn)向下，到2018年現(xiàn)階段價(jià)格又基本算是回到了2016年的價(jià)格水平。NAND Flash市場行情有如此大的波動(dòng)，歸根結(jié)底是由于閃存技術(shù)方面進(jìn)行革新，在2D NAND轉(zhuǎn)制到3D NAND的過程中，由于閃存制程的工藝尚未成熟，良品率低，引發(fā)NAND顆粒出貨量的不足，進(jìn)而造成閃存顆粒原材料的供不應(yīng)求，推動(dòng)終端產(chǎn)品價(jià)格的上漲。

2018年NAND Flash市場行情之所以會(huì)大反轉(zhuǎn)，除了受到傳統(tǒng)淡季的沖擊以外，三星、東芝／西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等廠商64層／72層3D NAND相繼大規(guī)模量產(chǎn)，筆記本、智能手機(jī)市場也處于飽和狀態(tài)，需求增長有限，導(dǎo)致NAND Flash市場供應(yīng)略顯過剩，使得2018上半年NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑。

同時(shí)，隨著3D NAND技術(shù)的快速發(fā)展，QLC技術(shù)不斷成熟，QLC產(chǎn)品也已開始陸續(xù)出現(xiàn)，可以預(yù)見QLC將會(huì)取代TLC，猶如TLC取代MLC一樣。而且，隨著3D NAND單顆Die容量不斷翻倍增長，這也將推動(dòng)消費(fèi)類SSD向4TB邁進(jìn)，企業(yè)級SSD向8TB升級，QLC SSD將完成TLC SSD未完成的任務(wù)，逐漸取代HDD，這些都逐步的影響著NAND Flash市場。

而隨著NAND Flash價(jià)格的下滑，如何提升產(chǎn)能、加強(qiáng)成本競爭力成為各大Flash原廠共同面臨的難題。2018下半年各原廠在下一代QLC和96層技術(shù)上會(huì)越發(fā)競爭激烈，市場競爭將會(huì)越發(fā)白熱化。

三星：

目前，NAND Flash市場的領(lǐng)先者，三星已開始大規(guī)模生產(chǎn)第五代V－NAND，堆疊層數(shù)96層，支持Toggle DDR 4．0接口，傳輸速度最高可達(dá)1．4Gbps，相比64層V－NAND提升40％。其制造工藝上也做了優(yōu)化，制造生產(chǎn)效率提升30％，后續(xù)基于該技術(shù)三星還將推出容量高達(dá)1Tb容量的V－NAND。此外，三星也已大規(guī)模生產(chǎn)基于QLC SATA SSD，基于64層單顆Die 1Tb QLC（4－bit）V－NAND，新的QLC SSD搭載了32顆芯片，最高容量高達(dá)4TB。

東芝和西部數(shù)據(jù)：

東芝和西部數(shù)據(jù)早在2017年就宣稱已成功研發(fā)出96層和QLC技術(shù)，預(yù)計(jì)下半年量產(chǎn)96層3D TLC NAND，同時(shí)東芝96層3D TLC NAND將在Q4擴(kuò)大出貨，容量從256GB起跳，最高達(dá)1TB，西部數(shù)據(jù)稱成功研發(fā)的96層QLC（4－bit）NAND，單Die容量最高可達(dá)1．33Tb，將優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費(fèi)級閃存產(chǎn)品，下半年批量出，2019年開始批量生產(chǎn)。

美光與英特爾：

美光與英特爾開始量產(chǎn)64層QLC（4－bit）NAND，單顆Die容量達(dá)1Tb，現(xiàn)在已開始生產(chǎn)和出貨。其中美光采用QLC NAND技術(shù)的SSD（5210 ION）已對戰(zhàn)略合作伙伴的客戶出貨，預(yù)計(jì)今年秋季將會(huì)擴(kuò)大供貨。英特爾基于QLC NAND面向數(shù)據(jù)中心市場的PCIe SSD也已開始投產(chǎn)，容量最高8TB。與此同時(shí)，美光和英特爾聯(lián)合研發(fā)的第二代3D Xpoint將于2019年上半年面世，下一代的96層3D NAND已送樣給客戶，預(yù)計(jì)將在2018年底量產(chǎn)。

SK海力士：

SK海力士推出的4D NAND，初期是96層堆疊的512Gb TLC，I／O接口速度1．2Gbps，預(yù)計(jì)將在今年Q4送樣。SK海力士還將推出96層QLC NAND，單Die容量1Tb，預(yù)計(jì)將在2019年下半年送樣。

除了技術(shù)上的突破以外，在Fab工廠擴(kuò)產(chǎn)方面，三星增加平澤廠產(chǎn)出的同時(shí)，開始新建西安二期工廠；東芝和西部數(shù)據(jù)增加Fab 6投資金額，并新建Fab7工廠；美光擴(kuò)建Fab10工廠和美國弗吉尼亞州Manassas工廠，SK海力士新建M15工廠。

未來可期，坐等降價(jià)：

面對著各家原廠NAND Flash產(chǎn)能增加以及QLC、96層3D NAND等技術(shù)均有所突破，并預(yù)計(jì)在2019年擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，NAND Flash市場供應(yīng)量將大幅增加。雖然最近有消息傳出，由于客戶需求正在變緩，各廠家都計(jì)劃推遲工廠擴(kuò)建、產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃。但NAND Flash市場整體形勢已如此，市場將持續(xù)供過于求，NAND Flash每GB成本也將進(jìn)一步降低。

就目前而言，盡管第三季度是傳統(tǒng)需求旺季，但由于64層、72層堆疊3D閃存產(chǎn)能持續(xù)提升，NAND市場供應(yīng)仍然很充足。同時(shí)，筆記本、智能手機(jī)市場都已相當(dāng)飽和，需求增長有限。在加上渠道供應(yīng)鏈內(nèi)也堆積了大量NAND閃存芯片，NAND Flash價(jià)格勢必將持續(xù)緩慢下滑。對于DIY玩家來說，在經(jīng)歷了2017年P(guān)C硬件市場的冰火兩重天”，以及2018年CPU和主板的一波漲價(jià)之后，也總算是有點(diǎn)好消息了。