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      標(biāo)簽　>　pn結(jié)

      pn結(jié)

      pn結(jié)

      +關(guān)注8人關(guān)注

      采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。

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      2023-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體PN結(jié)交流電源 8.8k 0

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      2022-04-13 標(biāo)簽：英飛凌PN結(jié)絕緣體 8.2k 0

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      2023-10-19 標(biāo)簽：電容器PN結(jié)反向電壓 5.6k 0

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      分享一下從PN結(jié)到IGBT的機理，掌握基礎(chǔ)

      此時P區(qū)多子“空穴”在電場的作用下向N區(qū)運動，N區(qū)多子電子相反，使耗盡層變窄至消失，正向?qū)щ奜K，也可以理解成外加電場克服耗盡層內(nèi)電場，實現(xiàn)導(dǎo)電，該電壓...

      2022-07-04 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié) 5.6k 0

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        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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