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標(biāo)簽 > sic器件
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SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC器件Si器件 1.3萬(wàn) 1
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET,進(jìn)一步降低應(yīng)用損耗并提高可靠性
【2022年3月31日,德國(guó)慕尼黑訊】在數(shù)字化、城市化和電動(dòng)汽車(chē)等大趨勢(shì)的推動(dòng)下,電力消耗日益增加。與此同時(shí),提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應(yīng)...
2022-03-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌sic器件 6k 0
SiC FET半導(dǎo)體器件的主要拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和器件功能解析
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的部署,在世界范圍內(nèi)將有大規(guī)模的擴(kuò)建浪潮,并需要許多高質(zhì)量的電信整流器來(lái)提供所需的電力。為了滿(mǎn)足提高效率、降低運(yùn)營(yíng)成本和降低物料清單成本的需...
2020-02-24 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)sic器件 5.9k 0
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
小鵬、比亞迪擁抱800V高壓平臺(tái),電車(chē)普及超快充還在等什么?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)與遵循摩爾定律持續(xù)高速迭代的集成電路不同,電池技術(shù)在過(guò)去幾十年中進(jìn)展緩慢。因此當(dāng)前電動(dòng)汽車(chē)要解決續(xù)航問(wèn)題,主要有兩個(gè)發(fā)展方...
2021-10-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)充電樁sic器件 4.6k 0
眾所周知,封裝技術(shù)是讓寬帶隙 (WBG) 器件發(fā)揮潛力的關(guān)鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術(shù)的性能表征,如單位面積的導(dǎo)通電阻 (RdsA),...
如何量測(cè)SiC器件的結(jié)-殼熱阻和結(jié)溫等熱特性參數(shù)
以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件,可在更高溫度、更高電壓、更高頻率環(huán)境下正常工作,同時(shí)功耗更小,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、...
SIC器件發(fā)展助力新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新
自2011年-2017年,我國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)規(guī)模年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)114%。根據(jù)中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示,2017年新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量分別為79.4萬(wàn)輛和...
2018-04-26 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SIC器件 4.4k 0
汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)使用SiC器件有哪些常見(jiàn)問(wèn)題
談一下之前所說(shuō)的SiC的器件使用問(wèn)題,在國(guó)內(nèi)發(fā)生了一個(gè)案例,筆者做過(guò)一番采訪和調(diào)研之后做了一些整理,涉及三方(車(chē)企、零部件廠商和器件廠家),具體可以參考...
2020-10-11 標(biāo)簽:sic器件車(chē)載充電機(jī) 3.7k 0
超共源共柵與硅技術(shù)和SiC MOSFET技術(shù)對(duì)比分析
新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開(kāi)關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標(biāo)簽:sic器件硅技術(shù)SiC MOSFET 3.5k 0
在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對(duì)于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對(duì)性能要求的不斷...
碳化硅 (SiC) 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn),包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...
Qorvo?推出新一代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (S...
RF GaAs模具市場(chǎng)將從2019年的28億美元左右增長(zhǎng)到2025年的36億美元以上。這一市場(chǎng)是由5G和Wi-Fi6手機(jī)應(yīng)用需求的增長(zhǎng)推動(dòng)的。
SiC工藝特點(diǎn)核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)
器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)?;a(chǎn)對(duì)裝備支撐能力不斷提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。
碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局,帶來(lái)了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是,汽車(chē)應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...
納米技術(shù)使下一代電動(dòng)汽車(chē)充電成為可能
隨著新型電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的推出,汽車(chē)制造商正努力創(chuàng)造一個(gè)更可持續(xù)的未來(lái)。這些電動(dòng)汽車(chē)的出現(xiàn)將見(jiàn)證能源的重大轉(zhuǎn)變,需要看到更強(qiáng)大的快速充電網(wǎng)絡(luò),而硅 ...
2022-08-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)鋰離子電池納米技術(shù) 1.9k 0
ST 如何推動(dòng)特斯拉和蘋(píng)果的電動(dòng)汽車(chē)和 5G 雄心
通常情況下,少數(shù)客戶(hù)推動(dòng)公司在特定市場(chǎng)或應(yīng)用程序中的發(fā)展。對(duì)于意法半導(dǎo)體而言,汽車(chē)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的成功取決于兩個(gè)關(guān)鍵客戶(hù):特斯拉和蘋(píng)果。 在本文中,Yo...
2022-07-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)蘋(píng)果特斯拉 1.9k 0
關(guān)于ESS產(chǎn)品中SiC器件的應(yīng)用
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶(hù)打造個(gè)性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
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