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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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泰克示波器如何精準測量半導體SiC的動態(tài)特性

隨著第三代半導體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領域的廣泛應用，其動態(tài)特性的精準測量成為保障系統(tǒng)可靠性的關鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣...

2025-10-17 標簽：半導體泰克示波器 SiC 335 0

基于半橋SiC模塊特性的SST固態(tài)變壓器高頻DC/DC級雙有源橋（DAB）變換器控制策略

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2026-01-14 標簽：SiC SST 固態(tài)變壓器 334 0

一文闡述IGBT持續(xù)獲得廣泛采用的原因

盡管寬禁帶技術正在崛起，但傳統(tǒng)的功率電子器件仍在持續(xù)進化并被廣泛應用。憑借其出色的性價比、穩(wěn)定的供應以及經(jīng)過實際驗證的可靠性，在小型化和輕量化無法帶來較...

2026-03-19 標簽：IGBT 功率器件 SiC 334 0

ROHM全面啟動新型SiC塑封型模塊的網(wǎng)售

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，其新型SiC模塊“TRCDRIVE pack”、“HSDIP20”及“DOT-247”已開始網(wǎng)售...

2026-03-12 標簽：半導體 SiC Rohm 333 0

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2025-09-21 標簽：斷路器 SiC 325 0

羅姆節(jié)能產(chǎn)品矩陣為構建綠色低碳社會提供支持

臨近植樹節(jié)，萬物萌新。在科技的疆域里，羅姆同樣耕耘著更深層的綠意——以創(chuàng)新之力探索能效邊界，為地球的可持續(xù)未來注入持久的動力。多年技術深耕，構建起覆蓋多...

2026-03-12 標簽：封裝 SiC 羅姆 325 0

2025年終總結：SiC碳化硅功率器件的“三個必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進化

2025年終總結：SiC碳化硅功率器件的“三個必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進化 1. 執(zhí)行摘要：跨越拐點，重塑格局 2025年，對于全球電力電子行業(yè)而言，...

2025-12-31 標簽：功率器件 SiC 322 0

基于光伏逆變器應用碳化硅（SiC）二極管結溫Tj驗算方法詳解；

【博主簡介】本人“愛在七夕時”，系一名半導體行業(yè)質量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相...

2025-11-13 標簽：SiC 光伏逆變器光伏技術 320 0

QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南

基本半導體（BASiC Semiconductor）碳化硅（SiC）MOSFET 數(shù)據(jù)手冊（包含 650V 的 AB3M025065CQ 和 1200V...

2026-02-26 標簽：MOSFET 封裝 SiC 306 0

SiC碳化硅MOSFET在光儲混合逆變器與輕型工商業(yè)PCS全碳化硅化進程中的價值分析

深度研究報告：基本半導體SiC碳化硅MOSFET在光儲混合逆變器與輕型工商業(yè)PCS全碳化硅化進程中的價值分析傾佳電子（Changer Tech）是一家...

2025-12-10 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 305 0

中央空調變頻器SiC碳化硅功率升級技術發(fā)展趨勢研究報告

中央空調變頻器技術發(fā)展趨勢研究報告：SiC MOSFET功率模塊（BMF540R12MZA3）升級替代大電流IGBT模塊的技術優(yōu)勢分析傾佳電子（Cha...

2025-12-26 標簽：變頻器 SiC 305 0

【有獎直播】onsemi SiC 和 PIM 產(chǎn)品介紹及其在光伏和儲能領域的應用

01直播介紹直播時間2026/03/201430直播內容onsemiSiC和PIM產(chǎn)品介紹及其在光伏和儲能領域的應用直播技術亮點1.豐富的產(chǎn)品規(guī)格，多樣...

2026-03-10 標簽：SiC 儲能 pim 303 0

SiC賦能天基基礎設施：基本半導體在太空光伏與太空算力領域的價值

SiC賦能天基基礎設施：基本半導體在太空光伏與太空算力領域的價值評估報告 BASiC Semiconductor基本半導體一級代理商傾佳電子（Chang...

2026-02-01 標簽：半導體光伏 SiC 292 0

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在全球工業(yè)界加速邁向深度脫碳、電氣化與工業(yè)4.0智能制造的歷史交匯點上，電力電子技術正經(jīng)歷一場根本性的底層架構變革。

2026-03-14 標簽：晶體管 SiC PIM模塊 286 0

SiC碳化硅MOSFET短路過流兩級關斷（2LTO）保護成為行業(yè)標準的研究報告

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