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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

第一代、第二代和第三代半導(dǎo)體知識(shí)科普

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材料領(lǐng)域中,第一代、第二代、第三代沒(méi)有“一代更比一代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制...

2023-09-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 7.3k 0

16家SiC企業(yè)公布成績(jī)單,上半年誰(shuí)更賺錢(qián)?

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報(bào)告期內(nèi),天岳先進(jìn)高品質(zhì)SiC襯底獲得國(guó)際客戶(hù)的認(rèn)可。今年5月,天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了合作協(xié)議,8月24日,天岳先進(jìn)與客戶(hù)F簽訂了一份碳化硅采購(gòu)協(xié)議,約...

2023-09-08 標(biāo)簽:SiC碳化硅三安光電 1.9k 0

碳化硅 (SiC)的歷史與應(yīng)用

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碳化硅(SiC),通常被稱(chēng)為金剛砂,是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在,但其出現(xiàn)相對(duì)罕見(jiàn)。然而,自從1893年以來(lái),粉狀碳...

2023-09-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 3.2k 0

CHA6262-99F高功率放大器UMS概述

UMS的CHA6262-99F是款三級(jí)GaN高功率放大器,頻率范圍為17.3-21.5GHz。CHA6262-99F一般提供4W額定功率,功率額外效率為...

2023-09-08 標(biāo)簽:放大器功率放大器SiC 1.2k 0

碳化硅MOSFET模塊,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前二十大廠商排名及份額

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2023-09-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFETSiC 2k 0

碳化硅SiC功率器件,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場(chǎng)份額

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本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立...

2023-09-08 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 5.4k 0

新能源汽車(chē)?yán)瓌?dòng)SiC第三代半導(dǎo)體上車(chē):襯底與外延環(huán)節(jié)的材料,設(shè)備國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇

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導(dǎo)電型襯底Wolfspeed一家獨(dú)大,絕緣型襯底天岳先進(jìn)入圍前三。2020年全球?qū)щ娦蚐iC襯底依舊被Wolfspeed、II-VI、羅姆壟斷,CR3高...

2023-09-07 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 4.5k 0

IGBT與SiC在電動(dòng)汽車(chē)功率模塊中的重要性

電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的增長(zhǎng)不僅僅是數(shù)量的增加,更在于市場(chǎng)的多元化。從低成本、低排放車(chē)輛的需求趨勢(shì)來(lái)看,亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)有望穩(wěn)步擴(kuò)張;而北美和歐洲地區(qū),政府...

2023-09-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTSiC 1.2k 0

意法半導(dǎo)體、博格華納簽署車(chē)規(guī)碳化硅器件供應(yīng)協(xié)議

據(jù)報(bào)道,博格華納將使用第三代750v sic mosfet芯片作為現(xiàn)在和未來(lái)沃爾沃bev型號(hào)的牽引變頻。在此之前,博格華納已經(jīng)與安森美簽訂了10億美元的...

2023-09-05 標(biāo)簽:芯片安森美SiC 1.3k 0

長(zhǎng)光辰芯發(fā)布8K APS-C畫(huà)幅背照式堆棧CMOS圖像傳感器新品,CMOS圖像傳感器價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇

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? 傳感新品 【中山大學(xué):研發(fā)可拉伸自供電傳感器,可檢測(cè)痕量生物標(biāo)志物!】 及時(shí)和遠(yuǎn)程的生物標(biāo)志物檢測(cè)在個(gè)性化醫(yī)療和健康保護(hù)中是非常需要的,但在迄今為止...

2023-09-04 標(biāo)簽:傳感器芯片SiC 2.4k 0

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大

功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大

調(diào)查結(jié)果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件,市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。

2023-09-04 標(biāo)簽:ledSiC氮化鎵 1.3k 0

Wolfspeed 8英寸向中國(guó)客戶(hù)批量出貨碳化硅MOSFET

當(dāng)前SiC的火熱浪潮主要由逆變器以及電動(dòng)汽車(chē)中的車(chē)載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)市場(chǎng),到2022年將占功率SiC市場(chǎng)份額的 70%,到2028年這...

2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET晶圓逆變器 1.5k 0

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開(kāi)工建設(shè)

湖北工業(yè)信息消息,長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體項(xiàng)目位于光谷科學(xué)島,項(xiàng)目總投資有望超過(guò)200億元人民幣。該項(xiàng)目一期投資100億元,每年可生產(chǎn)36萬(wàn)個(gè)sic mosfet...

2023-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC晶片 3.4k 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧

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8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...

2023-09-02 標(biāo)簽:MOSFET晶圓逆變器 2.2k 0

賽晶科技發(fā)布一種車(chē)規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技發(fā)布一種車(chē)規(guī)級(jí)HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技表示,為電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)...

2023-09-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器電阻器 1.3k 0

1.23億,吉利旗下晶能微電子收購(gòu)益中封裝

收購(gòu)?fù)瓿珊?,晶能微電子產(chǎn)品版圖實(shí)現(xiàn)對(duì)殼封模塊、塑封模塊和單管產(chǎn)品的全覆蓋。此外,晶能會(huì)持續(xù)增加投資,將現(xiàn)有產(chǎn)線逐步升級(jí)為工業(yè)級(jí)產(chǎn)品線,并新建車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品線...

2023-08-30 標(biāo)簽:功率器件SiC晶能微電子 1.3k 0

碳化硅IGBT絕緣襯底材料

碳化硅IGBT絕緣襯底材料

目前,碳化硅(SiC)這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對(duì)晶圓和器件的研究在近年來(lái)已經(jīng)取得很大進(jìn)展。碳化硅是一種寬禁帶(WB...

2023-08-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 4.6k 0

SIC是否能成為光伏發(fā)電的再生能源?

SIC是否能成為光伏發(fā)電的再生能源?

光伏發(fā)電是SIC器件除新能源汽車(chē)領(lǐng)域之外的第二個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備,主要用于將太陽(yáng)能電池組件發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。隨著光伏產(chǎn)...

2023-08-29 標(biāo)簽:光伏發(fā)電SiC 1.4k 0

又一車(chē)企入股SiC企業(yè),市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)再加速!

又一車(chē)企入股SiC企業(yè),市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)再加速!

廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司成立于2018年11月,主營(yíng)業(yè)務(wù)為SiC功率半導(dǎo)體器件,其主要產(chǎn)品車(chē)規(guī)級(jí)功率和工業(yè)級(jí)功率模塊廣泛,應(yīng)用于新能源汽車(chē)主機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域和...

2023-08-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體SiC 1.2k 0

國(guó)產(chǎn)SiC MOS又添新軍,性能媲美國(guó)際大廠

國(guó)產(chǎn)SiC MOS又添新軍,性能媲美國(guó)際大廠

據(jù)介紹,他們的新一代產(chǎn)品是基于6英寸晶圓平臺(tái)進(jìn)行開(kāi)發(fā),主要有4款新產(chǎn)品(K3M040120-R、K3M040120-R4、K3M080120-R以及K3...

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 5.4k 0

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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