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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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近年來,在國家相關(guān)政策支持下,應(yīng)用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來了增長新契機(jī)。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能,成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性...
2025年終總結(jié):SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化
2025年終總結(jié):SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化 1. 執(zhí)行摘要:跨越拐點(diǎn),重塑格局 2025年,對于全球電力電子行業(yè)而言,...
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等...
SiC碳化硅模塊在商用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析
基本半導(dǎo)體BMF540R12MZA3碳化硅模塊在商用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
年終盤點(diǎn):2025載譽(yù)而歸,2026蓄力向新
在2025年行業(yè)和科技浪潮中,英飛凌再次憑借卓越技術(shù)、創(chuàng)新產(chǎn)品與優(yōu)質(zhì)服務(wù),于客戶與行業(yè)層面收獲滿滿、載譽(yù)而歸。英飛凌始終堅(jiān)持以客戶為中心,將客戶的需求作...
碳化硅(SiC)器件在新能源汽車中起到了非常核心的作用,尤其是在提升電能轉(zhuǎn)換效率、減小體積和重量、延長續(xù)航里程等方面,具有不可替代的優(yōu)勢。具體來說,碳化...
中國電力電子產(chǎn)業(yè)以國產(chǎn)SiC模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的深度邏輯解析
戰(zhàn)略突圍與技術(shù)代差:中國電力電子產(chǎn)業(yè)以國產(chǎn)SiC模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的深度邏輯解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和...
SiC碳化硅時(shí)代的破局者:華東區(qū)電力電子業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略使命與市場藍(lán)圖
在當(dāng)今全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國“雙碳”戰(zhàn)略深入實(shí)施的歷史交匯點(diǎn)上,電力電子行業(yè)正經(jīng)歷著一場前所未有的技術(shù)革命。這場革命的核心,便是以碳化硅(SiC)...
固態(tài)變壓器(SST)高頻隔離DC-DC技術(shù)趨勢與配套SiC模塊及短路過流驅(qū)動(dòng)保護(hù)的分析報(bào)告
全球能源互聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)建與配電網(wǎng)的現(xiàn)代化轉(zhuǎn)型正推動(dòng)著電力電子變壓器——即固態(tài)變壓器(Solid State Transformer, SST)——從理論研究...
2026-02-03 標(biāo)簽:DC-DCSiC固態(tài)變壓器 735 0
大儲集中式儲能變流器PCS拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與采用碳化硅SiC功率模塊升級儲能PCS的技術(shù)和商業(yè)價(jià)值
研究發(fā)現(xiàn),盡管BMF540R12MZA3的標(biāo)稱電流(540A)低于對標(biāo)的IGBT產(chǎn)品(800A-900A),但得益于SiC材料的極低開關(guān)損耗與阻性導(dǎo)通特...
碳化硅SiC功率模塊與2LTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)在下一代高性能商用車電驅(qū)動(dòng)中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值解析
全球商用車行業(yè)正處于從內(nèi)燃機(jī)向電氣化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵拐點(diǎn)。與乘用車市場不同,重型卡車、物流車、礦卡及電動(dòng)大巴等商用車型對電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的要求不僅在于效率,更在于極...
深度解讀意法半導(dǎo)體工業(yè)級高壓伺服驅(qū)動(dòng)方案
意法半導(dǎo)體電機(jī)控制技術(shù)創(chuàng)新中心聚焦于AI服務(wù)器高功率電源熱管理、家電和工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等領(lǐng)域,在新型無傳感智能算法、高集成度能效提升、工業(yè)位置控制系統(tǒng)等...
2025-12-28 標(biāo)簽:機(jī)器人電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 2.2k 0
“三個(gè)必然”戰(zhàn)略論斷對國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的業(yè)務(wù)指引作用與產(chǎn)業(yè)演進(jìn)路徑
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷從硅(Si)基向?qū)捊麕В╓BG)材料轉(zhuǎn)型的歷史性時(shí)刻,中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場,正處于技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的十字路口。
2026-01-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 420 0
半橋SiC模塊并聯(lián)應(yīng)用工程實(shí)踐指南與短路過流2LTO兩級關(guān)斷保護(hù)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高壓、高功率密度方向的迅猛發(fā)展,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)正...
2026-02-03 標(biāo)簽:晶體管SiC關(guān)斷保護(hù) 641 0
5兆瓦M(jìn)W固態(tài)變壓器(SST)深度研究報(bào)告:拓?fù)溲葸M(jìn)、技術(shù)趨勢與SiC功率器件的戰(zhàn)略優(yōu)勢
2.5兆瓦(MW)至5兆瓦級固態(tài)變壓器(SST)深度研究報(bào)告:拓?fù)溲葸M(jìn)、技術(shù)趨勢與SiC功率器件的戰(zhàn)略優(yōu)勢 1. 緒論:能源變革下的電力電子技術(shù)重構(gòu) 全...
2025-12-26 標(biāo)簽:功率器件SiC固態(tài)變壓器 212 0
針對高效能電力電子系統(tǒng)的SiC碳化硅半橋功率模塊構(gòu)建ANPC拓?fù)洌簱Q流路徑解析與控制策略優(yōu)化研究
針對高效能電力電子系統(tǒng)的BMF540R12MZA3半橋SiC碳化硅ED3功率模塊構(gòu)建ANPC拓?fù)洌簱Q流路徑解析與控制策略優(yōu)化研究 傾佳電子(Change...
高壓靜電除塵電源拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與碳化硅SiC模塊應(yīng)用的技術(shù)變革
高壓靜電除塵電源拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與碳化硅SiC模塊應(yīng)用的技術(shù)變革:BMF540R12MZA3全面替代大電流IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢研究報(bào)告 傾佳電子(Chan...
中央空調(diào)變頻器SiC碳化硅功率升級技術(shù)發(fā)展趨勢研究報(bào)告
中央空調(diào)變頻器技術(shù)發(fā)展趨勢研究報(bào)告:SiC MOSFET功率模塊(BMF540R12MZA3)升級替代大電流IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢分析 傾佳電子(Cha...
重卡電驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展趨勢研究報(bào)告:基于碳化硅SiC功率模塊的并聯(lián)升級與工程實(shí)踐
重卡電驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展趨勢研究報(bào)告:基于BMF540R12MZA3碳化硅SiC功率模塊的并聯(lián)升級與工程實(shí)踐 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...
2025-12-26 標(biāo)簽:SiC功率模塊電驅(qū)動(dòng) 365 0
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