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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

打線門極電阻,助力SiC碳化硅模塊性能提升

近年來,在國家相關(guān)政策支持下,應(yīng)用于新能源領(lǐng)域的功率模塊迎來了增長新契機(jī)。而SiC碳化硅模塊以其卓越性能,成為新能源核心賽道的“佼佼者”。碳化硅模塊的性...

2025-12-31 標(biāo)簽:SiC碳化硅 210 0

2025年終總結(jié):SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化

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2025年終總結(jié):SiC碳化硅功率器件的“三個(gè)必然”與電力電子產(chǎn)業(yè)的自主進(jìn)化 1. 執(zhí)行摘要:跨越拐點(diǎn),重塑格局 2025年,對于全球電力電子行業(yè)而言,...

2025-12-31 標(biāo)簽:功率器件SiC 297 0

新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件

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新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等...

2025-12-31 標(biāo)簽:MOSFETSiC 632 0

SiC碳化硅模塊在商用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析

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基本半導(dǎo)體BMF540R12MZA3碳化硅模塊在商用車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中替代進(jìn)口IGBT模塊的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于...

2025-12-31 標(biāo)簽:IGBTSiC碳化硅 1.5k 0

年終盤點(diǎn):2025載譽(yù)而歸,2026蓄力向新

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在2025年行業(yè)和科技浪潮中,英飛凌再次憑借卓越技術(shù)、創(chuàng)新產(chǎn)品與優(yōu)質(zhì)服務(wù),于客戶與行業(yè)層面收獲滿滿、載譽(yù)而歸。英飛凌始終堅(jiān)持以客戶為中心,將客戶的需求作...

2025-12-30 標(biāo)簽:英飛凌SiC 523 0

碳化硅器件在新能源汽車中的核心作用

碳化硅(SiC)器件在新能源汽車中起到了非常核心的作用,尤其是在提升電能轉(zhuǎn)換效率、減小體積和重量、延長續(xù)航里程等方面,具有不可替代的優(yōu)勢。具體來說,碳化...

2025-12-29 標(biāo)簽:新能源汽車SiC碳化硅 699 0

中國電力電子產(chǎn)業(yè)以國產(chǎn)SiC模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的深度邏輯解析

戰(zhàn)略突圍與技術(shù)代差:中國電力電子產(chǎn)業(yè)以國產(chǎn)SiC模塊全面替代進(jìn)口IGBT模塊的深度邏輯解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和...

2025-12-29 標(biāo)簽:IGBTSiC 777 0

SiC碳化硅時(shí)代的破局者:華東區(qū)電力電子業(yè)務(wù)的戰(zhàn)略使命與市場藍(lán)圖

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在當(dāng)今全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局重塑與中國“雙碳”戰(zhàn)略深入實(shí)施的歷史交匯點(diǎn)上,電力電子行業(yè)正經(jīng)歷著一場前所未有的技術(shù)革命。這場革命的核心,便是以碳化硅(SiC)...

2026-01-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 526 0

固態(tài)變壓器(SST)高頻隔離DC-DC技術(shù)趨勢與配套SiC模塊及短路過流驅(qū)動(dòng)保護(hù)的分析報(bào)告

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全球能源互聯(lián)網(wǎng)的構(gòu)建與配電網(wǎng)的現(xiàn)代化轉(zhuǎn)型正推動(dòng)著電力電子變壓器——即固態(tài)變壓器(Solid State Transformer, SST)——從理論研究...

2026-02-03 標(biāo)簽:DC-DCSiC固態(tài)變壓器 735 0

大儲集中式儲能變流器PCS拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與采用碳化硅SiC功率模塊升級儲能PCS的技術(shù)和商業(yè)價(jià)值

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研究發(fā)現(xiàn),盡管BMF540R12MZA3的標(biāo)稱電流(540A)低于對標(biāo)的IGBT產(chǎn)品(800A-900A),但得益于SiC材料的極低開關(guān)損耗與阻性導(dǎo)通特...

2026-02-03 標(biāo)簽:SiC變流器碳化硅 608 0

碳化硅SiC功率模塊與2LTO驅(qū)動(dòng)技術(shù)在下一代高性能商用車電驅(qū)動(dòng)中的技術(shù)與商業(yè)價(jià)值解析

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全球商用車行業(yè)正處于從內(nèi)燃機(jī)向電氣化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵拐點(diǎn)。與乘用車市場不同,重型卡車、物流車、礦卡及電動(dòng)大巴等商用車型對電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的要求不僅在于效率,更在于極...

2026-01-27 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 478 0

深度解讀意法半導(dǎo)體工業(yè)級高壓伺服驅(qū)動(dòng)方案

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意法半導(dǎo)體電機(jī)控制技術(shù)創(chuàng)新中心聚焦于AI服務(wù)器高功率電源熱管理、家電和工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等領(lǐng)域,在新型無傳感智能算法、高集成度能效提升、工業(yè)位置控制系統(tǒng)等...

2025-12-28 標(biāo)簽:機(jī)器人電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 2.2k 0

“三個(gè)必然”戰(zhàn)略論斷對國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的業(yè)務(wù)指引作用與產(chǎn)業(yè)演進(jìn)路徑

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全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷從硅(Si)基向?qū)捊麕В╓BG)材料轉(zhuǎn)型的歷史性時(shí)刻,中國作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場,正處于技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)的十字路口。

2026-01-04 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 420 0

半橋SiC模塊并聯(lián)應(yīng)用工程實(shí)踐指南與短路過流2LTO兩級關(guān)斷保護(hù)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)深度研究報(bào)告

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隨著電力電子技術(shù)向高頻、高壓、高功率密度方向的迅猛發(fā)展,碳化硅(Silicon Carbide, SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)正...

2026-02-03 標(biāo)簽:晶體管SiC關(guān)斷保護(hù) 641 0

5兆瓦M(jìn)W固態(tài)變壓器(SST)深度研究報(bào)告:拓?fù)溲葸M(jìn)、技術(shù)趨勢與SiC功率器件的戰(zhàn)略優(yōu)勢

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2025-12-26 標(biāo)簽:電力電子SiC碳化硅 104 0

高壓靜電除塵電源拓?fù)浼軜?gòu)演進(jìn)與碳化硅SiC模塊應(yīng)用的技術(shù)變革

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中央空調(diào)變頻器技術(shù)發(fā)展趨勢研究報(bào)告:SiC MOSFET功率模塊(BMF540R12MZA3)升級替代大電流IGBT模塊的技術(shù)優(yōu)勢分析 傾佳電子(Cha...

2025-12-26 標(biāo)簽:變頻器SiC 289 0

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2025-12-26 標(biāo)簽:安森美封裝SiC 717 0

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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