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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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新品 | 第2代CoolSiC? MOSFET 400V

新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時改善了系統(tǒng)成本。40...

2024-09-27 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 1.1k 0

逆變器應(yīng)用中國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管損耗計算對比

國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管在125kW儲能變流器逆變損耗計算對比以及國產(chǎn)SiC單管替代進口IGBT單管趨勢分析：一、關(guān)鍵參數(shù)提取與對比以下為...

2025-02-24 標(biāo)簽：逆變器 IGBT SiC 1.1k 0

在沒有散熱器的情況下，SA310 3相SiC模塊能做什么？

在供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率這三個參數(shù)中，一個參數(shù)越高，其他兩個參數(shù)就必須越低，才能將內(nèi)部功耗保持在安全程度內(nèi)（或者說，才能讓SA310外殼和結(jié)溫保持...

2022-10-26 標(biāo)簽：驅(qū)動器散熱器 SiC 1.1k 0

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...

2022-09-01 標(biāo)簽：MOSFET 東芝功率器件 1.1k 0

方正微電子精彩亮相SNEC 2025

近日，在第十八屆SNEC PV展，深圳方正微電子（FMIC）首次以“SiC功率專家”的品牌形象成功亮相光儲行業(yè)，向客戶展示了第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品在智慧...

2025-06-17 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體 SiC 1.1k 0

令人欽佩的碳化硅接受度

甚至懷疑它的人也改變了主意，因為他們驚嘆于它的能力、性能和強度。碳化硅 (SiC)，這種化合物一直令半導(dǎo)體設(shè)計師著迷。隨著對其技術(shù)的需求不斷增長，該技術(shù)...

2022-07-28 標(biāo)簽：模塊半導(dǎo)體 SiC 1.1k 0

安富利構(gòu)建面向未來的韌性能源系統(tǒng)

近期，一場史詩級停電災(zāi)難席卷歐洲南部，西班牙、葡萄牙全國電網(wǎng)崩潰，法國南部及比利時部分地區(qū)受波及，超5000萬民眾受影響，陷入黑暗中度過煎熬時光。停電后...

2025-08-06 標(biāo)簽：安富利 SiC 儲能 1.1k 0

2000V SiC分立器件雙脈沖或連續(xù)PWM評估板

開發(fā)EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板的目的是評估TO-247 PLUS-4-HCC封裝的CoolSiC? 2000V碳化硅MOSFET。評...

2024-05-14 標(biāo)簽：PWM 分立器件 SiC 1.1k 0

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用中實現(xiàn)可靠、高能效的工作來源：安森美 2023年1月4日— 領(lǐng)先于智能電源和智能感知...

2023-01-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.1k 0

全新SiC塑封模塊，羅姆革新了哪些？

羅姆的EcoSiC? TRCDRIVE pack? 模塊以小型化、高功率密度及易量產(chǎn)等特點，革新了電動汽車逆變器技術(shù)，推動行業(yè)向更高性能和可靠性邁進。 ...

2024-09-23 標(biāo)簽：模塊 SiC 羅姆 1.1k 0

新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...

2025-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 分立器件 SiC 1.1k 0

東芝推出兩項創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能

日本川崎——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可在增強溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...

2025-06-20 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 東芝 1.1k 0

SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議，擴大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡稱ST）宣布，雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm（...

2024-04-23 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體驅(qū)動IC 1.1k 0

新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊

新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...

2025-06-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 1.1k 0

中瓷電子：國聯(lián)萬眾部分1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已批量供貨中

據(jù)悉，國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，部分型號產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場。另一方面，針對比亞迪在內(nèi)的多方...

2023-12-12 標(biāo)簽：MOSFET 大功率 SiC 1.1k 0

燒結(jié)銀技術(shù)賦能新能源汽車超級快充與高效驅(qū)動

AS9385燒結(jié)銀

2025-03-27 標(biāo)簽：新能源汽車封裝驅(qū)動系統(tǒng) 1.1k 0

森國科榮獲“2023年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌企業(yè)成長之星”獎

4月12日，由華強電子網(wǎng)主辦的“2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會暨2023年度（第十六屆）華強電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎盛典...

2024-04-16 標(biāo)簽：二極管電子元器件半導(dǎo)體 1.1k 0

SiC與GaN技術(shù)專利競爭：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機遇

在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...

2025-03-07 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1k 0

羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導(dǎo)體擴大SiC晶圓供應(yīng)合同

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）和為各種電子設(shè)備提供半導(dǎo)體的全球著名半導(dǎo)體制造商意法半導(dǎo)體（以下簡稱“ST”）宣布，...

2024-04-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1.1k 0

賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

在2011年，在經(jīng)過了將近二十年的研發(fā)之后，科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實現(xiàn)。

2021-03-17 標(biāo)簽：MOSFET Cree SiC 1.1k 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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